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    CMOS LOGIK SCHALTKREISE Search Results

    CMOS LOGIK SCHALTKREISE Result Highlights (5)

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    74HC4053FT Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation CMOS Logic IC, SPDT(1:2)/Analog Multiplexer, TSSOP16B, -40 to 125 degC Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    74HC4051FT Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation CMOS Logic IC, SP8T(1:8)/Analog Multiplexer, TSSOP16B, -40 to 125 degC Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    MG80C186XL-20/R Rochester Electronics LLC Microprocessor, CMOS Visit Rochester Electronics LLC Buy
    MD87C51-16/B Rochester Electronics LLC Microcontroller, CMOS Visit Rochester Electronics LLC Buy
    A80C286-12 Rochester Electronics LLC Microprocessor, CMOS Visit Rochester Electronics LLC Buy

    CMOS LOGIK SCHALTKREISE Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Schieberegister

    Abstract: E001 G003 CMOS schaltkreise
    Text: iC-NT LICHTGITTER PULSTREIBER-IC EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ LED-Pulsstrom einstellbar von 0.4.1A ♦ Kurze Lichtpulse ab 1µs mit steilen Flanken ♦ Positiver Temperaturkoeffizient der LED-Stromsenke zur Kompensation der Lichtausbeute ♦ Geringer Ruhestrom; Aktivierung durch Eingangsdaten


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    stromquelle 100ma

    Abstract: IC-VX-TSSOP20 iC-VX E001 G003 SO16W digitale schaltungen 10mA stromquelle 24-V-Applikationen CMOS schaltkreise
    Text: iC-VX LEITUNGSTREIBER, 3 KANÄLE KOMPLEMENTÄR Ausgabe C1, Seite 1/11 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° 6 strombegrenzte und kurzschlussfeste Push-Pull Treiberstufen in komplementärer Anordnung Garantierter Treiberstrom auf 30mA oder 100mA einstellbar


    Original     		PDF 100mA 24VSteuerungstetion stromquelle 100ma IC-VX-TSSOP20 iC-VX E001 G003 SO16W digitale schaltungen 10mA stromquelle 24-V-Applikationen CMOS schaltkreise

    Spannungsregler

    Abstract: 6250G 6258G Dual Spannungsregler TLE 6270G infineon tle 6261g 6260G powerso12 ISO9141 smd tabellen
    Text: Bussysteme THEMA Mögliche Funktionsaufteilung zwischen HighSpeed-CAN und FaultTolerant-Low-Speed-CAN INFINEON MIT UMFANGREICHEN IC-ANGEBOT CAN-Transceiver – Schnittstelle zur rauen Umwelt Wenn der Regensensor mit dem Dashboard-Steuergerät, die Klimaanlage mit


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    ic 7805

    Abstract: stromquelle spannungsregler 7805 datasheet datasheet ic 7805 stromquelle 100ma MA 7805 7905 IC iC-VX ic 7905 4 bis 20 mA stromquelle
    Text: iC-VX LEITUNGSTREIBER, 3 KANÄ LE KOMPLEMENTÄR EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN 6 strombegrenzte und kurzschlußfeste Push-Pull Treiberstufen in komplementärer Anordnung Garantierter Treiberstrom auf 30mA oder 100mA einstellbar Ausgänge TTL kompatibel bei kleinem Laststrom


    Original     		PDF 100mA SO16W ic 7805 stromquelle spannungsregler 7805 datasheet datasheet ic 7805 stromquelle 100ma MA 7805 7905 IC iC-VX ic 7905 4 bis 20 mA stromquelle

    G003

    Abstract: M122 P-DIP-22 Applikationsh ic-xu
    Text: iC-XU PROGRAMMIERBARER 4xLOW-/HIGH-SIDE TREIBER EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 4 unabhängig steuerbare Kanäle mit 8 Leistungsendstufen ♦ Leistungsendstufen für 350mA Dauerstrom und hohe Pulsbelastung ♦ Integrierte Freilaufdioden ♦ Mikroprozessor-kompatible Ansteuerung für bis zu 4


    Original     		PDF 350mA PDIP22 G003 M122 P-DIP-22 Applikationsh ic-xu

    100nF Kondensator

    Abstract: 500 wd 4 siemens matsushita kondensator Leistungsdiode Keramikkondensator iC-WD-SO8 TOKO 10RF459 B78108-S1224-J E001 G003
    Text: iC-WD, iC-WDS ABWÄRTSWANDLER MIT 5V-LÄNGSREGLERN EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ 5V-Spannungsversorgung aus dem 24V-Industrienetz ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ◊ ◊ Eingangsspannung 8.30 36 Vdc Abwärtswandler mit hohem Wirkungsgrad Schalttransistor und Freilaufdiode integriert


    Original     		PDF 100kHz 200mA/25mA 100nF Kondensator 500 wd 4 siemens matsushita kondensator Leistungsdiode Keramikkondensator iC-WD-SO8 TOKO 10RF459 B78108-S1224-J E001 G003

    stu 407

    Abstract: siemens stu stu 407 dh siemens matsushita kondensator TOKO 10RF459 WD Demo-Board STU SIEMENS Keramikkondensator 100nF Kondensator zu 103 ma
    Text: iC-WD ABWÄRTSWANDLER MIT 5V-LÄNGSREGLERN EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN Eingangsspannung 8.30Vdc Abwärtswandler mit hohem Wirkungsgrad Schalttransistor und Freilaufdiode integriert Einstellung des Wandler-Abschaltstroms mit externem Widerstand Integrierter Oszillator ohne externe Komponenten


    Original     		PDF 30Vdc 200mA/25mA stu 407 siemens stu stu 407 dh siemens matsushita kondensator TOKO 10RF459 WD Demo-Board STU SIEMENS Keramikkondensator 100nF Kondensator zu 103 ma

    information applikation

    Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511
    Text: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G


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    valvo halbleiter

    Abstract: SCL4028BE tesla schaltkreise applikation heft information applikation V4001D aiken analoge schaltkreise V4011D 4029D
    Text: m iö lk in ö e le l-c t e n a n ilK Integrierte Schaltkreise Funktion und Einsatzm öglichkeiten CMOS-Logikschaltkreise V 4028 D, V 4035 D und V 4 0 4 2 D CMOS - Logikbaureihe V 4 0 0 0 D Heft 4 Funktion und Einsatzmögiichkeiten der C M O S -L o g ik sc h a ltk re ise


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    MH 74141

    Abstract: Tesla katalog MH74S04 MH74188 information applikation MH74S287 mikroelektronik RFT CDB404E ucy 74132 MZH 115
    Text: m o N r ^ e le l- c fe n a n il- c Information Applikation ._ B|B Information Applikation Heft 26: IMPORT-IS Teil 2 i ' . • fbkj veb Halbleiterwerk frankfurt/oder Ü B d batriab im vab ko m binat mfcr m M ftrnnllt DER TECHNIK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR
    Text: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)


    OCR Scan     		PDF R-1035 Halbleiterbauelemente DDR transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR

    information applikation

    Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
    Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,


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    information applikation

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR U555C information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft mikroelektronik applikation Transistoren DDR
    Text: in n ilk a n í o J B lB t a L J I , L J n Í lH KáD Information Applikation Halbleiter Speicher Teil 1 SRAM [ n n ilk r a ^ e lE s k t s n a r iik Information Applikation HEFT 79- , HALBLEITERSPEiCHER TEIL li > < .1* • • r* - . SRAM * VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
    Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr TESLA Tesla katalog 74c915 V4093D 4502c mosfet 4040BC K561TM2
    Text: DATEN DIGITALER INTEGRIERTER SCHALTKREISE AMATEUR BIBLIOTHEK Klaus K.Streng Streng, Klaus K.: Daten digitaler integrierter Schaltkreise CMOS-Schaltkreise . Berlin: Militirverlag der DDR. 1987. - 192 S.: 314 Bilder (Amateurbibliothek) ISBN 3-327-00360-2 l. Auflage, 1987


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    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik heft applikation heft mikroelektronik applikation DL374D VEB mikroelektronik
    Text: LnnJQ[]=<3r D ö]ElE 3l"<t3r ,LJI lilK Information Applikation in r # ^ o s J e k t 3r» ariik Information Applikation Heft Saue * 35 I S aus dem K i O 1 9 8 6 i I I 1 I . . \mb Halhi^iterw r k frankfurt/odai» imvebkombin mücroatektrontoc wt KAMMER DER TECHNIK


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    E412D

    Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik applikation heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik DDR
    Text: innjolkiij ii l _!Il j I h Information Applikation L . i m in i l- c Die vorliegende technische Information dient dea Informati. bedürfnis des Schaltungsentwicklers sowie interessierten Technikers im In- und Ausland eu speziellen aasgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der


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    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft A4100D "Mikroelektronik" Heft applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik
    Text: m o N n ^ e le l-c te n o r iil-c Kp Information Applikation m L r r t l k < I r J[ S J E 2 l E l - < f c i r ,a r - | i t < Information Applikation H e f t : 40 L S - T T L - R e l h e Teil 1 ueb Halbleiterwerk frankfurt /oder* b o t r - ie b im v e t k o m b m a t m ik r o o le k t r o n « k


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    74S487

    Abstract: information applikation cdb 4121 e CDB 447 FZH 195 mh 3212 applikation heft 74LS125N MH 74141 FZH195
    Text: m ô D ^ n iœ lo M s n a n ilK Information Applikation INTERFACE SCHALTUNGEN RGW mit internationaler Typen­ übersicht ¿ kH KKÄÄÄÄAZJ, r in iO lk r t^ B lo lK b n a in H K I Information Applikation H a f t I N T E E F A C E E 4 8 » - S C G H A L T U N G E N


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    information applikation mikroelektronik

    Abstract: information applikation A301D VEB mikroelektronik mikroelektronik applikation "halbleiterwerk frankfurt" Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" mikroelektronik DDR Kombinat VEB A 301
    Text: ' \ INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Information-Applikation Aufbau, E igenschaften und Anwendung d e s integrierten Initiator-S chaltkreises A 301 D M ik ro e le k tro n ik H e ft 2 veb halblelterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb K om binat m ik ro elek tro n ik


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    E355D

    Abstract: mikroelektronik RFT A283D B3370 D100D information applikation B083D SN28654N SN28654 A277D
    Text: ïTTfe Information Applikation Ü b e rsic h t VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT ODER âl-< I n r D D G ^ Ö E i s W s n o r i i H IN F O R M A T IO N - A P P L IK A T IO N Bipolare integrierte Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt /O d e r H e ft 20


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    MSD 7818

    Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN
    Text: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen­ übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation MAA725 information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR applikation heft
    Text: LnnJütkilr'l; E l d - t = n a | - | i l - C Information Applikation D/A WandlerFamilie wvReferenz Stromquellen­ schalter /« Widerstands­ netzwerk 1 J • -CCI w f f i ni ö l k ä r i' t s i s l s S - t f c s n o r i i l - t i iforma t l o n pplikation


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    b342d

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
    Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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