12 volt 5 pin relay data sheet
Abstract: relay 5 volt datasheet two way solenoid valve schematic diagram circuit 12 volt DC JACK lm339 square wave SMC-25 5 pin relay 12vdc ADVANCED MICRO SYSTEMS RJ45 modular jack two way solenoid valve circuit controller
Text: CCB-25 / DCMB Hardware - Revision Date: 03/21/08 CCB-25 / DCMB HARDWARE MANUAL ADVANCED MICRO SYSTEMS, INC. ii TABLE OF CONTENTS ADVANCED MICRO SYSTEMS, INC. CCB-25 / DCMB HARDWARE MANUAL Table of Contents Overview. 1
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CCB-25
RS-422
CCB-25/CCB-26.
SIN-11
12 volt 5 pin relay data sheet
relay 5 volt datasheet
two way solenoid valve schematic diagram circuit
12 volt DC JACK
lm339 square wave
SMC-25
5 pin relay 12vdc
ADVANCED MICRO SYSTEMS
RJ45 modular jack
two way solenoid valve circuit controller
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74LVX4245
Abstract: 74LVX4245M 74LVX4245MTR 74LVX4245TTR TSSOP24
Text: 74LVX4245 OCTAL DUAL SUPPLY BUS TRANSCEIVER • ■ ■ ■ ■ ■ ■ HIGH SPEED: tPD = 8.5 ns MAX. at VCCA=5.0V VCCB = 3.3V LOW POWER DISSIPATION: ICCA = ICCB =5µA(MAX.) at TA=25°C LOW NOISE: VOLP =0.3V (TYP.) at VCCA=5.5V V CCB=3.3V SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:
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74LVX4245
74LVX4245
74LVX4245M
74LVX4245MTR
74LVX4245TTR
TSSOP24
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 10
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1113
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
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Q62702-P75
Q62702-P3577
BP 103-3
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Q62702P0075
Abstract: osram Phototransistor GETY6017 OHLY0598 get 103 BP 103-3
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
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GETY6017
Abstract: OHLY0598 Q62702P0075 BP 103-3
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
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BPY 62-3/4
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit
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Q60215-Y62
Q60215-Y1112
Q60215-Y5198
Q60215-Y1113
BPY 62-3/4
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foto transistor
Abstract: BPX 43-3/4 BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Bpx 95 bis125
Text: BPX 43 BPX 43 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
foto transistor
BPX 43-3/4
BPX43
Q62702-P16
Q62702-P16-S2
Q62702-P16-S3
Q62702-P16-S4
Bpx 95
bis125
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Bpx 95
Abstract: Q62702-P16 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Q62702-P3580 Q62702-P3581 Q62702-P3582 BPX 43-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
Bpx 95
Q62702-P16
Q62702-P16-S3
Q62702-P16-S4
Q62702-P3580
Q62702-P3581
Q62702-P3582
BPX 43-3/4
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Bpx 95
Abstract: foto transistor BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 F912 bpx 43-4
Text: BPX 43 BPX 43 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
Bpx 95
foto transistor
BPX43
Q62702-P16
Q62702-P16-S2
Q62702-P16-S3
Q62702-P16-S4
F912
bpx 43-4
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GET06017
Abstract: Q62702-P3577 Q62702-P75 Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S4 BP 103-3
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Features • Especially suitable for applications from
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ICEO/ICEO25°
GET06017
GET06017
Q62702-P3577
Q62702-P75
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S4
BP 103-3
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BPY62
Abstract: Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
BPY62
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y5198
Q60215-Y62
Q60215Y1113
BPY 62-3/4
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foto transistor
Abstract: BPY62 foto Y1112 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 npn phototransistor
Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
foto transistor
BPY62
foto
Y1112
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
npn phototransistor
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npn phototransistor
Abstract: Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 Q62702-P3578 Q62702-P3579 Q62702-P5197 BPx38
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 38 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
npn phototransistor
Q62702-P15
Q62702-P15-S2
Q62702-P15-S3
Q62702-P15-S4
Q62702-P3578
Q62702-P3579
Q62702-P5197
BPx38
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phototransistor 650 nm
Abstract: foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38
Text: BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm
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Original
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fmo06018
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
phototransistor 650 nm
foto transistor
Q62702-P15
Q62702-P15-S2
Q62702-P15-S3
Q62702-P15-S4
BPX 38
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bpy 62-4
Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
bpy 62-4
Q60215-Y1111
foto transistor
Y1112
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
Q60215Y1113
BPY62
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P781
Abstract: Q62702-P75 foto transistor Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S1 Q62702-P79-S4 200 BP
Text: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm
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fet06017
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
P781
Q62702-P75
foto transistor
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S1
Q62702-P79-S4
200 BP
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BP103 Silicon NPN Phototransistor Characteristics TA=25°C FEATU R ES • Especially suitable for applications from 420nm to1130nm • High linearity • TO-18, base plate, transparent epoxy resin Ians, with base connection • Spectral sensitivity selections
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BP103
420nm
to1130nm
BP103
EM0t59a
PCE250=
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npn phototransistor package
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS BP 103 SILICON NPN PHOTOTRANSISTOR Package Dimensions in Inches mm FEATURES Maximum Ratings • • • • • • • • • Operating and Storage Temperature Range Hop, Tstg) . -4 0° to +80°C Soldering Temperature (¿2 mm from case bottom)
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LD242
cE02H
npn phototransistor package
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 74LVXC3245 OCTAL DUAL SUPPLY BUS TRANSCEIVER PR ELIM IN ARY DATA . HIGH SPEED: tpD = 6 ns TYP. at Vcc =3.3V • LOW POWER DISSIPATION: Icc = 8 |oA (MAX.) at Ta = 25 °C . LOW NOISE: V o lp = 0 .3 V (TYP.) at Vcc = 3 .3 V ■ SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:
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74LVXC3245
LVXC3245
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417 TRANSISTOR
Abstract: 25CC 2N5086 MMBTA63 MMBTA64 MMBTA70 MMBTA92 MMBTA93 MPSA75 MPSA92
Text: M O T O R O L A SC Í X S T R S / R 6367254 Tb F> MOTOROLA SC DE I t 3 t ? a S 4 96D 8 2 0 6 1 CXSTRS/ R, F □DöfiOhJ. D t-bpi-ba M A X IM U M R A TIN G S Sym bol Value U n it VCES 30 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter-Base Voltage Ve b o 10
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: T O SH IB A TC74LVX4245FS TO SH IBA CM OS D IG ITAL INTEGRATED CIRCU IT SILICON M ONOLITHIC TC74LVX4245FS OCTAL DUAL SUPPLY BUS TRANSCEIVER The TC74LVX4245 is a dual supply, advanced high speed CM OS O CTA L BUS TRAN SCEIVER fabricated w ith silicon gate CM OS technology.
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TC74LVX4245FS
TC74LVX4245
SSOP24-P-300-0
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