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    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    SCH2830

    Abstract: A08615 IT12618
    Text: SCH2830 注文コード No. N A 0 8 6 1 三洋半導体データシート N SCH2830 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した


    Original     		SCH2830 900mm2 72mm2 62707PE TC-00000761 A0861-1/6 IT10260 SCH2830 A08615 IT12618 PDF

    SCH2830

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH2830 Ordering number : ENA0861 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2830 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original     		SCH2830 ENA0861 A0861-6/6 SCH2830 PDF

    SA-266

    Abstract: SA266 3sk58 A08609 SA1061 LC72144 A08616 v562 SA1009 46 74t
    Text: 注文コードNo.N5 7 2 4 A No. N 5 7 2 4 A 91099 新 半導体ニューズ No.5724 とさしかえてください。 LA1780M モノリシックリニア集積回路 カーラジオ用1チップチューナIC LA1780Mはカーチューナに必要な6ブロックを1チップにしたICである。特にマルチパス, 3信号IM, 2信号抑圧などのノイズ


    Original     		LA1780M LA1780M61IC, LA1888NM FMLA1193M LC72144) LA1888NMLA1888NM QIP64E 91099yk /80797TH B8-2852 SA-266 SA266 3sk58 A08609 SA1061 LC72144 A08616 v562 SA1009 46 74t PDF