sfh 309 fr
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 P • GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Hohe Zuverlässigkeit • Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante • Hohe Impulsbelastbarkeit
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SFH487P
switc53SbG5
950nm
fl235b05
sfh 309 fr
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SFH4580
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS SPH 4580 SFH 4585 GaAIAs Infrared Emitters <880 nm Dimensions in inches mm .295 (7.5) .216(5.5) R.O01(2.O5) •145(30 . , .1 C J06(2.7) >077(1.95) •S3Û0,« 1 r s « 2'3)^ . 0 4 = rf (0^0 .1) 106(2.7) !.7> p î ■.126(3.2) R. t .578(14.7) .515(13.1)
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GE006960
SFH4585
GE006961
950nm1000
100mA
SFH4580/4585
SFH4580
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SFH 462
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 483 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad • Die Anode ist galvanisch mit dem
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450kAW
160kAÂ
950nm1000
SFH 462
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