ic 70306
Abstract: CPH6002 marking GB
Text: CPH6002 Ordering number : ENA0262 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor CPH6002 High-Frequency Medium-Power Amplifier Applications Features • • • High fT fT=3.0GHz typ . Large current (IC=200mA). Large collector dissipation (800mW max).
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Original
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CPH6002
ENA0262
200mA)
800mW
900mm2
A0262-3/3
ic 70306
CPH6002
marking GB
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ic 70306
Abstract: SANYO 5100 CPH6002
Text: CPH6002 Ordering number : ENA0262 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor CPH6002 High-Frequency Medium-Power Amplifier Applications Features • • • High fT fT=3.0GHz typ . Large current (IC=200mA). Large collector dissipation (800mW max).
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Original
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PDF
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CPH6002
ENA0262
200mA)
800mW
900mm
A0262-3/3
ic 70306
SANYO 5100
CPH6002
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CPH6002
Abstract: 7018-002 marking GB IT10486
Text: CPH6002 Ordering number : ENA0262 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor CPH6002 High-Frequency Medium-Power Amplifier Applications Features • • • High fT fT=3.0GHz typ . Large current (IC=200mA). Large collector dissipation (800mW max). Specifications
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Original
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CPH6002
ENA0262
200mA)
800mW
900mm2
A0262-3/3
CPH6002
7018-002
marking GB
IT10486
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ic 70306
Abstract: CPH6002
Text: CPH6002 注文コード No. N A 0 2 6 2 三洋半導体データシート N CPH6002 NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波中出力増幅用 特長 ・高 fT である fT=3.0GHz typ 。 ・大電流である(IC=200mA)。
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Original
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CPH6002
200mA)
800mW
900mm2
42806AB
TB-00002247
A0262-1/3
IT10487
ic 70306
CPH6002
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