R1200
Abstract: diode v3e
Text: FF 50 R 12 KF Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte VcES Maximum rated values Ic Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0 ,1 5 5 °C/W RthJC ° c / w DC, pro Zweig / per arm
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3403ES7
R1200
diode v3e
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Abstract: No abstract text available
Text: FF 50 R 12 KF Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties VCES Maximum rated values 1200 V 50 A Ic Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rthjc DC, pro B austein/p e r module 0,155 C/W ’C/W DC, pro Zweig / per arm 0,31 C/W
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