ENN8175
Abstract: CPH3430 marking zf
Text: CPH3430 Ordering number : ENN8175 N-Channel Silicon MOSFET CPH3430 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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CPH3430
ENN8175
900mm2
ENN8175
CPH3430
marking zf
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ECH8305
Abstract: No abstract text available
Text: ECH8305 Ordering number : ENN8145 P-Channel Silicon MOSFET ECH8305 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage
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Original
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PDF
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ECH8305
ENN8145
900mm2
ECH8305
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CPH5612
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5612 注文コード No. N 8 1 8 0 三洋半導体データシート N CPH5612 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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PDF
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CPH5612
600mm2
500mA
500mA,
IT08337
600mm2
IT08344
CPH5612
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Tf88
Abstract: ECH8608
Text: ECH8608 注文コード No. N 8 1 7 9 三洋半導体データシート N ECH8608 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに
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Original
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PDF
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ECH8608
900mm2
IT04392
--40A
900mm2
IT04376
Tf88
ECH8608
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ECH8402
Abstract: No abstract text available
Text: ECH8402 Ordering number : ENN8148 N-Channel Silicon MOSFET ECH8402 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage
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Original
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PDF
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ECH8402
ENN8148
900mm2
ECH8402
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CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 MARKING X.R
Text: CPH5839 Ordering number : ENN8181 CPH5839 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-Channel Sillicon MOSFET MCH3409 and a schottky barrier diode (SBS005)
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Original
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PDF
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CPH5839
ENN8181
MCH3409)
SBS005)
CPH5839
MCH3409
SBS005
MARKING X.R
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CPH3338
Abstract: No abstract text available
Text: CPH3338 Ordering number : ENN8174 P-Channel Silicon MOSFET CPH3338 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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CPH3338
ENN8174
900mm2
CPH3338
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CPH3430
Abstract: No abstract text available
Text: CPH3430 注文コード No. N 8 1 7 5 三洋半導体データシート N CPH3430 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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PDF
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CPH3430
900mm2
IT06819
IT06818
900mm2
IT06821
IT09129
CPH3430
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CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 81812
Text: CPH5839 注文コード No. N 8 1 8 1 三洋半導体データシート N CPH5839 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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CPH5839
MCH3409)
SBS005)
600mm2
11205PE
TB-00001085
DS360°
IT00629
CPH5839
MCH3409
SBS005
81812
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ECH8608
Abstract: No abstract text available
Text: ECH8608 Ordering number : ENN8179 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs ECH8608 General-Purpose Switching Device Applications Features • • The ECH8608 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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PDF
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ECH8608
ENN8179
ECH8608
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CPH3338
Abstract: No abstract text available
Text: CPH3338 注文コード No. N 8 1 7 4 三洋半導体データシート N CPH3338 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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PDF
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CPH3338
900mm2
--10V
900mm2
IT08957
IT08958
CPH3338
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ECH8402
Abstract: IT08487
Text: ECH8402 注文コード No. N 8 1 4 8 三洋半導体データシート N ECH8402 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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PDF
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ECH8402
900mm2
IT08489
900mm2
IT08491
IT08492
ECH8402
IT08487
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CPH5612
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5612 Ordering number : ENN8180 N-Channel Silicon MOSFET CPH5612 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing-density mounting.
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Original
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PDF
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CPH5612
ENN8180
600mm2
CPH5612
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ECH8608
Abstract: No abstract text available
Text: ECH8608 注文コード No. N 8 1 7 9 ECH8608 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに
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Original
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PDF
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ECH8608
900mm2
IT04392
--40A
900mm2
IT04376
ECH8608
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