10EDA40
Abstract: No abstract text available
Text: ｓ DIODE 10EDA40 Type : OUTLINE DRAWING 1A 400V Tj =150 °C FEATURES * Miniature Size * Low Forward Voltage drop * Low Reverse Leakage Current * High Surge Capability * 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available Maximum Ratings Approx Net Weight:0.17g
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Original
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10EDA40
10EDA40
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10EDA60
Abstract: No abstract text available
Text: Certificate TH97/10561QM 10EDA60 Certificate TW00/17276EM SILICON RECTIFIER DIODE M1A PRV : 600 Volts Io : 1.0 Ampere FEATURES : * * * * * 1.00 25.4 MIN. 0.085(2.16) 0.075(1.91) Glass passivated junction chip High Surge Capability Low Forward Voltage drop
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Original
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TH97/10561QM
10EDA60
TW00/17276EM
UL94V-O
MIL-STD-202,
10EDA60
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10EDA20
Abstract: No abstract text available
Text: ｓ DIODE 10EDA20 Type : OUTLINE DRAWING 1A 200V Tj =150 °C FEATURES * Miniature Size * Low Forward Voltage drop * Low Reverse Leakage Current * High Surge Capability * 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available Maximum Ratings Approx Net Weight:0.17g
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Original
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10EDA20
10EDA20
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10EDA
Abstract: No abstract text available
Text: ｓ DIODE 10EDA 10EDA60 Type : OUTLINE DRAWING 1A 600V Tj =150 °C FEATURES * Miniature Size * Low Forward Voltage drop * Low Reverse Leakage Current * High Surge Capability * 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available Maximum Ratings Approx Net Weight:0.17g
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Original
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10EDA
10EDA60
10EDA60
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10EDA20
Abstract: 10EDA
Text: 10EDA20 SILICON RECTIFIER DIODE DO - 41 PRV : 200 Volts Io : 1.0 Ampere FEATURES : * * * * * 1.00 25.4 MIN. 0.107 (2.7) 0.080 (2.0) High current capability High reliability Low reverse current Low forward voltage drop Pb / RoHS Free 0.205 (5.2) 0.166 (4.2)
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Original
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10EDA20
DO-41
UL94V-O
MIL-STD-202,
10EDA20
10EDA
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10dda20
Abstract: TA29 TA-29 10EDB40 10EDA10 10edb20
Text: Standard Recovery Diodes Part Number VRRM V IFAV (A) Condition IFSM (A) VFM(V) 25°C IRM（µA) 25°C Tjmax (°C) Case Outline Axial Lead Type 10EDA10 100 1 Ta=39℃ PCB Mounted 45 1 10 150 1 10EDA20 200 1 Ta=39℃ PCB Mounted 45 1 10 150 1 10EDA40 400 1
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Original
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10EDA10
10EDA20
10EDA40
10EDA60
10EDB10
10EDB20
10EDB40
10EDB60
10JDA10
10JDA20
10dda20
TA29
TA-29
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10EDA10
Abstract: No abstract text available
Text: 拡散型シリコンダイオード 1A 100V Tjw150℃ Axial Lead Type Diffusion-type Silicon Rectifier Diode Diffusion 10EDA10 外 形 図 拡散型シリコンダイオード,リード線型 構造 Construction Diffusion-type Silicon Rectifier Diode 一般整流用
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Original
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Tjw150
10EDA10
10EDA10
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10EDA10
Abstract: No abstract text available
Text: ｓ DIODE 10EDA10 Type : OUTLINE DRAWING 1A 100V Tj =150 °C FEATURES * Miniature Size * Low Forward Voltage drop * Low Reverse Leakage Current * High Surge Capability * 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available Maximum Ratings Approx Net Weight:0.17g
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Original
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10EDA10
10EDA10
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10EDA60
Abstract: No abstract text available
Text: ｓ DIODE 10EDA60 Type : OUTLINE DRAWING 1A 600V Tj =150 °C FEATURES * Miniature Size * Low Forward Voltage drop * Low Reverse Leakage Current * High Surge Capability * 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available Maximum Ratings Approx Net Weight:0.17g
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Original
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10EDA60
10EDA60
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10EDA40
Abstract: No abstract text available
Text: 1A 400V Tjw150℃ 拡散型シリコンダイオード Axial Lead Type Diffusion-type Silicon Rectifier Diode Diffusion 外 形 10EDA40 図 拡散型シリコンダイオード,リード線型 構造 Construction Diffusion-type Silicon Rectifier Diode 一般整流用
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Original
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Tjw150
10EDA40
10EDA40
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10EDA40
Abstract: No abstract text available
Text: 拡散型シリコンダイオード 1A 400V Tjw150℃ Axial Lead Type Diffusion-type Silicon Rectifier Diode Diffusion 外 形 図 10EDA40 拡散型シリコンダイオード,リード線型 構造 Construction Diffusion-type Silicon Rectifier Diode 一般整流用
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Original
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Tjw150
10EDA40
10EDA40
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 拡散型シリコンダイオード 1A 600V Tjw150℃ Axial Lead Type Diffusion-type Silicon Rectifier Diode Diffusion 外 形 図 10EDA60 拡散型シリコンダイオード,リード線型 構造 Construction Diffusion-type Silicon Rectifier Diode 一般整流用
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Original
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Tjw150
10EDA60
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10EDA20
Abstract: No abstract text available
Text: 拡散型シリコンダイオード 1A 200V Tjw150℃ Axial Lead Type Diffusion-type Silicon Rectifier Diode Diffusion 外 10EDA20 形 図 拡散型シリコンダイオード,リード線型 構造 Construction Diffusion-type Silicon Rectifier Diode 一般整流用
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Original
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Tjw150
10EDA20
10EDA20
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 1A Avg. 200 Volts Standard Recovery Diode •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 200 50Hz 正弦半波抵抗負荷 50Hz half sine wave Resistance load
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Original
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10EDA20
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CAT7105CA
Abstract: mp1410es G547E2 G547H2 G547F2 P5504EDG equivalent G547I1 SP8K10 SP8K10SFD5TB LD1117Al
Text: Diodes, Inc. - Cross Reference Industry Part Diodes, Inc. Equivalent Diodes, Inc. Nearest 1.5CE120C 1.5KE120CA N/A 1.5CE120CA 1.5KE120CA N/A 1.5CE12A 1.5KE12A N/A 1.5CE12C 1.5KE12CA N/A 1.5CE12CA 1.5KE12CA N/A 1.5CE13 1.5KE13A N/A 1.5CE130 1.5KE130A N/A 1.5CE130A
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Original
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5CE120C
5KE120CA
5CE120CA
5CE12A
5KE12A
5CE12C
5KE12CA
5CE12CA
CAT7105CA
mp1410es
G547E2
G547H2
G547F2
P5504EDG equivalent
G547I1
SP8K10
SP8K10SFD5TB
LD1117Al
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10EDA60
Abstract: No abstract text available
Text: 1A Avg. 600 Volts Standard Recovery Diode •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 600 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Output Current
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Original
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10EDA60
10EDA60
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10EDA40
Abstract: No abstract text available
Text: 1A Avg. 400 Volts Standard Recovery Diode •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 400 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Output Current
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Original
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10EDA40
10EDA40
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FCH20U10
Abstract: niec FCHS10A12 FCU20A40 FCU10UC30 FCQ10U06 FSF05B60 SA10QA03 fchs20a08 10ERB20 FCQS30A045
Text: Rectifier, Fast Recovery, and Schottky Diode SHORT FORM CATALOG 2009 3rd Edition NIEC for your better life. Latest Data sheets are available at http://www.niec.co.jp/ Contents Page Rectifier Diode Axial SOD-123 SMA Narrow SMC TO-220F-2pin B2 B3 B3 B3 B3 Fast Recovery Diode
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Original
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OD-123
O-220F-2pin
O-251
O-252)
O-220-2pin
O-220
O-220F
O-262
FCH20U10
niec FCHS10A12
FCU20A40
FCU10UC30
FCQ10U06
FSF05B60
SA10QA03
fchs20a08
10ERB20
FCQS30A045
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PT76S16
Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
Text: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Original
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EIAJRRV08B
Abstract: EIAJ-RRv-08-B ta1b2 21dq 31dq EC20QSA EC30QSA TE12L T0-251 EIAJRRV12B p 602
Text: パッケージング/テーピング仕様 PACKAGING and TAPING STANDARD 日本インターの樹脂モールドタイプ小型素子は，次の包装仕様を基準にして納品させていただきます。ご発注の際 は，希望仕様をご指定ください。
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Original
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10ERB
11EFS
11EQS
10EDB
10EDA
10DRA
10JDA
10EHJA
10EHA
10DDA
EIAJRRV08B
EIAJ-RRv-08-B
ta1b2
21dq 31dq
EC20QSA
EC30QSA
TE12L
T0-251
EIAJRRV12B
p 602
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10EDA10
Abstract: No abstract text available
Text: 1A Avg. 100 Volts Standard Recovery Diode •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 200 100 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Forward
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Original
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10EDA1
10EDA10
10EDA10
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508RP
Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
Text: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 1A Avg. 400 Volts Standard Recovery Diode •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 400 50Hz 正弦半波抵抗負荷 50Hz half sine wave Resistance load
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Original
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10EDA40
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10EDA20
Abstract: No abstract text available
Text: 1A Avg. 200 Volts Standard Recovery Diode •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 200 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Output Current
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Original
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10EDA20
10EDA20
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