DSA00314797.pdf
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Infineon Technologies
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242
Wesentliche Merkmale · Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren · Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden · Hohe Zuverlässigkeit · Gute
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Original
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Part pricing, stock, data attributes from Findchips.com