DSAISS00017665.pdf
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Infineon Technologies
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GaAlAs-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
SFH 460
Wesentliche Merkmale
⢠Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
⢠Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
⢠Hohe ZuverlÃ
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Original
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