DSA00462205.pdf
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OSRAM
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 242
Wesentliche Merkmale
· Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
· Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
· Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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