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    ZSPA Search Results

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    ZSPA Price and Stock

    Schneider Electric SOMSQLCZZSPAZZ

    DIGITAL LICENSE, ECOSTRUXURE MAC
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    RS SOMSQLCZZSPAZZ Bulk 1 Weeks 1
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    Tripp Lite SB107ABZ-SPANNER-CLIP-WITH-HARDWARE

    MOTORS & SOLENIODS
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    Schneider Electric ESEEXPCZZSPAZZ

    Software
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    Mouser Electronics ESEEXPCZZSPAZZ
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    RS ESEEXPCZZSPAZZ Bulk 1 Weeks 1
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    Schneider Electric ESECAPCZZSPAZZ

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    Mouser Electronics ESECAPCZZSPAZZ
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    RS ESECAPCZZSPAZZ Bulk 1 Weeks 1
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    Hirschmann Electronics GmbH & Co Kg RS32-1602OOZZSPAEHFXX.X.

    Rs32-1602Oozzspaehfxx.x. |Hirschmann RS32-1602OOZZSPAEHFXX.X.
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    • 1 $8361.34
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    ZSPA Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    DO-213AB

    Abstract: No abstract text available
    Text: ZMY 1…ZMY 200 1.3 W Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1.3 W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case MELF


    Original
    DO-213AB UL94V-0 DO-213AB PDF

    zy 500

    Abstract: DO-204AL zy zener zy 6.2
    Text: ZY 1…ZY 200 2 W Silicon-Power-Z-Diodes Silizium-Leistungs-Z-Dioden Nominal Zener voltage Nominale Zener-Spannung Ø 2.6 max 1…200 V Standard tolerance of Zener voltage Standard-Toleranz der Zener Spannung ± 5 % (E24) Plastic case – Kunststoffgehäuse


    Original
    DO-41 DO-204AL) UL94V-0 zy 500 DO-204AL zy zener zy 6.2 PDF

    SEMIKRON ZENER DIODE

    Abstract: No abstract text available
    Text: SMZ 1 … SMZ 200 2 W Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage 2W 0.5 Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF Dimensions / Maße in mm


    Original
    DO-213AB UL94V-0 SEMIKRON ZENER DIODE PDF

    Zener diode ZPY 18

    Abstract: Zener diode ZPY 75 Zener diode ZPY 51 Zener diode ZPY 39 Zener diode ZPY 30 Zener diode ZPY 16 Zener diode ZPY 82 Zener diode ZPY 36 Zener diode ZPY 10 Zener diode ZPY 12
    Text: ZPY 1…ZPY 200 1.3 W Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Z-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1.3 W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse


    Original
    DO-41 DO-204AL UL94V-0 Zener-Sp100) Zener diode ZPY 18 Zener diode ZPY 75 Zener diode ZPY 51 Zener diode ZPY 39 Zener diode ZPY 30 Zener diode ZPY 16 Zener diode ZPY 82 Zener diode ZPY 36 Zener diode ZPY 10 Zener diode ZPY 12 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Z2SMB 1 … Z2SMB 200 2 W Surface mount Silicon Power Zener Diodes Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 2.2 2.1 ± 0.1 ± 0.2 5.4 ± 0.2 0.15 Type Typ 2W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse 1…200 V ~ SMB


    Original
    DO-214AA UL94V-0 PDF

    PALMDSPCORE

    Abstract: No abstract text available
    Text: Features • 16-bit Fixed-point Advanced Digital Signal Processing DSP Core • High Performance: • • • • • • • • • • • • • – 210 MHz (typical) on 0.18-micron CMOS, 1.8V – 3800 MOPS (3.8 GOPS) - Peak Performance on 0.18-micron CMOS


    Original
    16-bit 18-micron 03/01/0M PALMDSPCORE PDF

    C47A

    Abstract: MARKING W16 SOT23 W16 sot 23 C22A C20A C10A C11A C12A C15A C16A
    Text: 2BZX84 C3V0A . 2BZX84 C47A Dual Surface Mount Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Common Anode Gemeinsame Anode Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1 1.3 ±0.1 3 2.5 max 0.4 VZ for both diodes in one case


    Original
    2BZX84 OT-23 O-236) C47A MARKING W16 SOT23 W16 sot 23 C22A C20A C10A C11A C12A C15A C16A PDF

    ZMM11B

    Abstract: ZMM20B ZMM36B DO-213AA ZMM10B ZMM12B ZMM13B ZMM15B ZMM16B ZMM18B
    Text: ZMM3B9 . ZMM75B 500 mW - 2% ZMM3B9 . ZMM75B (500 mW - 2%) Surface mount Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2007-07-06 0.3 0.3 Type Typ 3.5 ±0.1 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung


    Original
    ZMM75B OD-80 DO-213AA) ZMM75B ZMM36B ZMM39B ZMM43B ZMM47B ZMM51B ZMM11B ZMM20B ZMM36B DO-213AA ZMM10B ZMM12B ZMM13B ZMM15B ZMM16B ZMM18B PDF

    zy zener

    Abstract: ZY 6,4
    Text: MCC ZY1 THRU ZY200   omponents 20736 Marilla Street Chatsworth    !"# $ %    !"# Features Silicon 2.0 Watt l Silicon Power Zener Diodes l 1.0 thru 200 Volt Voltage Range Standard Tolerance of Zener Voltage ±5%


    Original
    ZY200 DO-41 DO-41 20olt. zy zener ZY 6,4 PDF

    VZ 9G

    Abstract: DO-213AB ZMY10 ZMY11 ZMY12 ZMY13 ZMY15 ZMY16 ZMY200
    Text: ZMY3.0G . ZMY9.1G 1.0 W , ZMY1, ZMY10 . ZMY200 (1.3 W) ZMY3.0G . ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 . ZMY200 (1.3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-27 ZMY. non-planar 3.0.9.1 V Glass case – Glasgehäuse MELF


    Original
    ZMY10 ZMY200 DO-213AB UL94V-0 ZMY91 VZ 9G DO-213AB ZMY10 ZMY11 ZMY12 ZMY13 ZMY15 ZMY16 ZMY200 PDF

    Z3SMC10

    Abstract: Z3SMC11 Z3SMC12 Z3SMC13 Z3SMC15 Z3SMC16 Z3SMC200 zenerspannung
    Text: Z3SMC1 . Z3SMC200 3 W Z3SMC1 . Z3SMC200 (3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-24 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung ±0.2 2.2±0.2


    Original
    Z3SMC200 DO-214AB UL94V-0 Z3SMC100 Z3SMC110 Z3SMC120 Z3SMC130 Z3SMC150 Z3SMC160 Z3SMC10 Z3SMC11 Z3SMC12 Z3SMC13 Z3SMC15 Z3SMC16 Z3SMC200 zenerspannung PDF

    mc13718

    Abstract: Coin based mobile battery charger circuit diagram RBL 43 P TRANSISTOR MC13717 Delay linear sweep generator using 555 timer circuit diagram for Coin based mobile battery charger Coin Based Mobile Phone Charger RBL 43 P Transistor Circuits coin operated mobile phone charger inverter board monitor backlight
    Text: Freescale Semiconductor Advance Information MC13790/D Rev. 1.1, 11/2004 MC13790 Package Information QFN Package Case 1506-01 QFN–76 MC13790 Ordering Information Integrated Power Management IC Device Operating Temperature Range Package MC13790 TA = –20°C to 70°C


    Original
    MC13790/D MC13790 MC13790 MC13717 MC13790application, MC13790/D mc13718 Coin based mobile battery charger circuit diagram RBL 43 P TRANSISTOR Delay linear sweep generator using 555 timer circuit diagram for Coin based mobile battery charger Coin Based Mobile Phone Charger RBL 43 P Transistor Circuits coin operated mobile phone charger inverter board monitor backlight PDF

    zener die diode

    Abstract: No abstract text available
    Text: Z3SMC 1 … Z3SMC 200 3 W Surface mount Silicon Power Zener Diodes Silizium-Leistungs-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 3W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse


    Original
    DO-214AB UL94V-0 zener die diode PDF

    zener diode zpd 6

    Abstract: No abstract text available
    Text: ZPD2B7 . ZPD47B 500 mW / ±2% ZPD2B7 . ZPD47B (500 mW / ±2%) Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden Version 2006-12-01 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 3.9 62.5 Ø 1.9 500 mW Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung


    Original
    ZPD47B DO-35 OD-27) ZPD47B ZPD30B ZPD33B ZPD36B ZPD39B ZPD43B zener diode zpd 6 PDF

    3EZ10

    Abstract: 3EZ11 3EZ12 3EZ13 3EZ15 3EZ200 DO-204AC
    Text: 3EZ1 . 3EZ200 3 W 3EZ1 . 3EZ200 (3 W) Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Version 2008-08-14 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung ±0.05 Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung


    Original
    3EZ200 DO-15 DO-204AC UL94V-0 voltag31 3EZ100 3EZ110 3EZ120 3EZ130 3EZ10 3EZ11 3EZ12 3EZ13 3EZ15 3EZ200 DO-204AC PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170 PDF

    veb mikroelektronik

    Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft tesla schaltkreise DL000D "Mikroelektronik" Heft applikation heft Mikroelektronik Information Applikation information applikation b340d
    Text: m io ß ^ r ^ e le k t e n a r iik Integrierte Schaltkreise CM OS - Logikbaureihe V4000 D Heft 1 Eigenschaften und Ein satzrich tlinien der C M O S - Logikbaureihe V 4000D veb mikroelekfcronik >karl m an« Brfurt im veb kombinat mikrooloktronik Inhaltsübersicht


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    V4000 4000D veb mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft tesla schaltkreise DL000D "Mikroelektronik" Heft applikation heft Mikroelektronik Information Applikation information applikation b340d PDF

    "halbleiterwerk frankfurt"

    Abstract: VEB mikroelektronik A220D mikroelektronik RFT rft mikroelektronik bauelemente Kombinat VEB Kombinat Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt
    Text: A 220 D M onolithisch integrierter FM - ZF - V erstärker und D em odulator vorzugsw eise fü r den Einsatz Im Ton - ZF - Teil von Fernseh­ geräten und als FM - ZF - V erstärker in R undfunkgeräten. Der S chaltkreis enthält einen sym m etrischen B reitbandverstär­


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    B083D

    Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
    Text: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
    Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der


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    mikroelektronik ddr

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden


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    diode zener 8v2

    Abstract: DIODE BZV ZENER DIODES BZV 85 8V2
    Text: BZV 58 C 8V2.C 200 5 W Silizium-Leistungs-Z-Dioden Silicon-Power-Z-Diodes m in 8.2.200 V Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung ^— ±5% Tolerance o f zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung j/ 4.5:ai Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D0-201


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    UL94V-0 D0-201 R0D1RS14 DGG174 000017S diode zener 8v2 DIODE BZV ZENER DIODES BZV 85 8V2 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: H15721 HARRIS S E M I C O N D U C T O R 10-Bit, 125 M SPS, High Speed D/A C onverter December 1997 Features Description • Throughput R a t e . 125 MSPS The HI5721 is a 10-bit, 125 MSPS, high speed D/A converter. The converter incorporates a 10-bit, input data


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    H15721 10-Bit, HI5721 700mW 1-800-4-HARRIS PDF