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    VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Search Results

    VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Result Highlights (6)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    TK190U65Z Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK7R0E08QM Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 80 V, 64 A, 0.0070 Ohm@10V, TO-220AB Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XPJ1R004PB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-ch MOSFET, 40 V, 160 A, 0.001 Ω@10V, S-TOGL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK4K1A60F Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 600 V, 2.0 A, 4.1 Ohm@10V, TO-220SIS Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK090U65Z Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 650 V, 30 A, 0.09 Ohm@10V, TOLL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK5R3E08QM Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 80 V, 120 A, 0.0053 Ohm@10V, TO-220AB Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    FS50SM-5A

    Abstract: FS50SM-5A-A8
    Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications


    Original     		PDF FS50SM-5A REJ03G0277-0100 FS50SM-5A-A8 FS50SM-5A FS50SM-5A-A8

    2SK2477

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2477 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2477はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2477 2SK2477N D10269JJ2V0DS00 D10269JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2477

    voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

    Abstract: 2SK2482
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2482 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2482はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2482 2SK2482N D10274JJ2V0DS00 D10274JJ2V0DS MP-88) M8E02 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet 2SK2482

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FK30SM-5 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1402-0200 Previous: MEJ02G0204-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 250 V rDS (ON) (max) : 0.108 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A


    Original     		PDF FK30SM-5 REJ03G1402-0200 MEJ02G0204-0101) PRSS0004ZB-A

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FK30SM-5 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1402-0200 Previous: MEJ02G0204-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 250 V rDS (ON) (max) : 0.108 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A


    Original     		PDF FK30SM-5 REJ03G1402-0200 MEJ02G0204-0101) PRSS0004ZB-A

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FK30SM-6 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1403-0200 Previous: MEJ02G0214-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 300 V rDS (ON) (max) : 0.143 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A


    Original     		PDF FK30SM-6 REJ03G1403-0200 MEJ02G0214-0101) PRSS0004ZB-A

    2SK2488

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2488 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2488はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2488 2SK2488N D10284JJ3V0DS00 D10284JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2488

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FK30SM-6 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1403-0200 Previous: MEJ02G0214-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 300 V rDS (ON) (max) : 0.143 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A


    Original     		PDF FK30SM-6 REJ03G1403-0200 MEJ02G0214-0101) PRSS0004ZB-A

    7824 3A

    Abstract: 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2480 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2480はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2480 2SK2480N O-220MP-45F D10272JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

    2SK2487

    Abstract: voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2487 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2487はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2487 2SK2487N D10283JJ3V0DS00 D10283JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2487 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

    2SK2478

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2478 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2478はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2478 2SK2478N O-220MP-45F D10270JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2478

    ZD 103

    Abstract: 200V 50A mos fet FS50SM-5A FS50SM-5A-A8
    Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications


    Original     		PDF FS50SM-5A REJ03G0277-0100 ZD 103 200V 50A mos fet FS50SM-5A FS50SM-5A-A8

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications


    Original     		PDF FS50SM-5A REJ03G0277-0100

    PC1094C

    Abstract: 2SK2486 G13006J TEA-572 7824 MAX INPUT VOLTAGE pc1094
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2486 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2486はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2486 2SK2486N OP-3MP-88 D10282JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC PC1094C 2SK2486 G13006J TEA-572 7824 MAX INPUT VOLTAGE pc1094

    FM2018

    Abstract: 2sk1193 2SK1368 fkv550 2SK3332 T03EB0 2SK2245 2SK2943 2SK3460 2SK3199 equivalent
    Text: Bulletin No. T03EB0 Nov., 2000 MOS FET CAUTION / WARNING • The information in this publication has been carefully checked and is believed to be accurate; however, no responsibility is assumed for inaccuracies. • Sanken reserves the right to make changes without further notice to any products herein


    Original     		PDF T03EB0 H1-T03EB0-0011010TA FM2018 2sk1193 2SK1368 fkv550 2SK3332 T03EB0 2SK2245 2SK2943 2SK3460 2SK3199 equivalent

    MA 7824 3A

    Abstract: 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet IEA-631
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2480 2SK2480N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC MA 7824 3A 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet IEA-631

    2SK2478

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2478 2SK2478N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2478

    2SK2486

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2486 2SK2486N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2486

    2SK2477

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2477 2SK2477N D10269JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2477

    2SK2482

    Abstract: voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2482 2SK2482N D10274JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2482 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

    2SK2488

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2488 2SK2488N D10284JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2488

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MG50D2YM1 GTR MODULE SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. Unit in nun MOTOR CONTROL APPLICATIONS. FEATURES: . The Drain is Isolated from Case. . 2 MOS FETs are Built-in to 1 Package . With Built-in Free Wheeling Diode. . Low Drain-Source ON Resistance


    OCR Scan     		PDF MG50D2YM1 085il

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: TOSHIBA - C D I S C R E T E / O P T O J T D 9097250 TOSHIBA <DISCRETE/OPTO> TOSHIBA SEMICONDUCTOR DE | ^D^TaSO DGlb4Sl S 90D 16421 TOSHIBA GTR MODULE .MG50D2DM1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. MOTOR CONTROL APPLICATIONS.


    OCR Scan     		PDF MG50D2DM1 085il MG50D2DM1-4 DT7a50 HG50D2DM1-5

    MG50D2YM1

    Abstract: No abstract text available
    Text: TOSHIBA {DISCRETE/OPT0> TD 9097250 TOSHIBA DISCRETE/OPTO TOSHIBA SEMICONDUCTOR DE~| TGTT E S G □Dlb4Eti 1 90D D T -3 9 -5 7 16426 TOSHIBA GTR MODULE MG50D2YM1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. flOTOR CONTROL APPLICATIONS.


    OCR Scan     		PDF MG50D2YM1 085ii 31/C2) MG50D2YM1-4 MG50D2YM1-5 T1A20 MG50D2YM1