VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT Search Results

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Halbleiterbauelemente DDR Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder	OCR Scan		PDF
information applikation mikroelektronik Abstract: mikroelektronik applikation applikation heft mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik A211D Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft valvo transistoren Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION KBD FT Inform ation-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Aufnahmeund W iedergabeverstärkerSchaltkreises A 202 D M ikroelektronik Heft 4 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb kom binat m ikroelektronik	OCR Scan		PDF
E355D Abstract: mikroelektronik RFT A283D B3370 D100D information applikation B083D SN28654N SN28654 A277D Text: ïTTfe Information Applikation Ü b e rsic h t VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT ODER âl-< I n r D D G ^ Ö E i s W s n o r i i H IN F O R M A T IO N - A P P L IK A T IO N Bipolare integrierte Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt /O d e r H e ft 20	OCR Scan		PDF
B589N Abstract: B511N information applikation mikroelektronik B589 "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation 4 bis 20 mA Schaltkreis halbleiterwerk mikroelektronik applikation Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B589N Temperaturkompensierte Referenzspannungsquetle Applikationshinweise TG L 42934 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Kurzcharakteristik Grenzwerte P aram eter Kurzzeichen Betriebsstrom (von 1 nach 3) Umgebungstemperatur	OCR Scan	B589N B511N, B511N information applikation mikroelektronik B589 "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation 4 bis 20 mA Schaltkreis halbleiterwerk mikroelektronik applikation	PDF
B511N Abstract: information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "halbleiterwerk frankfurt" B589N FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation schlenzig Funkamateur 4 bis 20 mA stromquelle Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B 511N Temperatursensor Temperatur/Strom-Wandler-IS Applikationshinweise TGL 42933 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter (Bedingungen) Kurzzeichen min. max. Betriebsspannung (zwischen 1 und 3)	OCR Scan	B511N, B511N information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "halbleiterwerk frankfurt" B589N FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation schlenzig Funkamateur 4 bis 20 mA stromquelle	PDF
Mikroelektronik Heft Abstract: information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik applikation A290D applikation heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION INTEGRIERTER PLLSTEREO-DEKODER 220n A 290 n v /50 mA m m K m Information-Applikation Aufbau, Funktionsweise und Anwendung des integrierten PLL-StereodekoderSchaltkreises A 290 D Mikroelektronik Heft 3 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder	OCR Scan	47/uF Mikroelektronik Heft information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik applikation A290D applikation heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation	PDF
B2761D Abstract: B861 13001 s B4761D B861D SR 13001 TAA2761 TCA321 TCA311 TAA 2761 A Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B 61t . . . 4 7 6 5 D Bipolare Operationsverstärker Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt O. TGL 38925 Kurzcharakteristik Grenzwerte1 P aram eter (B edingungen) Typ B etriebsspannung K u rzzeichen m in. m ax. —U cc2	OCR Scan	B611D BS31D 10-UcclV] 57l022357103f 57W2Z357W32357lOuf B2761D B861 13001 s B4761D B861D SR 13001 TAA2761 TCA321 TCA311 TAA 2761 A	PDF
information applikation Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation" Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: information applikation mikroelektronik a2030h Halbleiterbauelemente DDR mikroelektronik applikation A2030 VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt" Text: m ö I k F ^ e le l- c t s n o n ik Information Applikation K»D :z i= ä B lB k c fc 3 n c 3 r iik Information Applikation H e f t : 27 ! Integrierter NF-Verstärker A 2030 H/V veb Halbleiterwerk frankfurt/oder batrSob im veb kcm binat mikroolaktronik Es K A M M E R DER TECHNIK	OCR Scan		PDF
selen-gleichrichter Abstract: Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb Text: CD AUSGABE GO 1971 I 5 2 CD • M H CD CD CD ■ SELEN FREIFLÄCHEN GLEICHRICHTER Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Gleichrichterwerk Großräsdien Information 20-1-71 Änderungen der allgemeinen und tech nischen Angaben, die durch die Weiter	OCR Scan	59/71/D selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb	PDF
MH 74141 Abstract: Tesla katalog MH74S04 MH74188 information applikation MH74S287 mikroelektronik RFT CDB404E ucy 74132 MZH 115 Text: m o N r ^ e le l- c fe n a n il- c Information Applikation ._ B\|B Information Applikation Heft 26: IMPORT-IS Teil 2 i ' . • fbkj veb Halbleiterwerk frankfurt/oder Ü B d batriab im vab ko m binat mfcr m M ftrnnllt DER TECHNIK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: Halbleiterbauelemente DDR U555C information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft mikroelektronik applikation Transistoren DDR Text: in n ilk a n í o J B lB t a L J I , L J n Í lH KáD Information Applikation Halbleiter Speicher Teil 1 SRAM [ n n ilk r a ^ e lE s k t s n a r iik Information Applikation HEFT 79- , HALBLEITERSPEiCHER TEIL li > < .1* • • r* - . SRAM * VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: applikation heft A109D a 109 opv information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft Text: I 1 I 'li Information Applikation OPERATIONS VERSTÄRKER •lit J m ■ liUf [ f ^ a lk a r a ^ E lo k c t s n a n il- c Information Applikation Heft 21: OPERATIONS-VERSTÄRKER-IS T e ill veb halbleiterwerk frankfurt/oder im v e b k o m b in a t m ik ro e le k tro n ik	OCR Scan		PDF
Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik	OCR Scan		PDF

"halbleiterwerk frankfurt" Abstract: halbleiterwerk A295D scans-048 Halbleiterwerk Frankfurt VEB Halbleiterwerk Frankfurt DSAGER00030 0u81 frankfurt Text: mm A 295 D Vorläufige technieche Daten Integrierter Kreuzschalter, Begrenzer und Farbkanalschalter für den Einsatz In Secam-Dekoder von Farbfernsehgeräten. Abmessungen In mm und AnschluBbetegung : ,35 tO J E3 X ° 's -005 •0 75 * *00 A2.AÒ £ 75 7t 73 72 71 70 9	OCR Scan		PDF
"halbleiterwerk frankfurt" Abstract: VEB mikroelektronik A220D mikroelektronik RFT rft mikroelektronik bauelemente Kombinat VEB Kombinat Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt Text: A 220 D M onolithisch integrierter FM - ZF - V erstärker und D em odulator vorzugsw eise fü r den Einsatz Im Ton - ZF - Teil von Fernseh geräten und als FM - ZF - V erstärker in R undfunkgeräten. Der S chaltkreis enthält einen sym m etrischen B reitbandverstär	OCR Scan		PDF
"halbleiterwerk frankfurt" Abstract: Halbleiterwerk Frankfurt halbleiterwerk frankfurt oder Scans-048 VEB Halbleiterwerk Frankfurt Kombinat VEB frankfurt A252D Text: A 252 D Vorläufige technische Daten Integrierte H orizontalkom bination fü r die Im pulstrennung und Zeilensynchronisation in Fernsehem pfängern m it Thyristor-Zeilen endstufe. Neben einem geregelten H orizontaloszillator und dem Am plitudensleb m it Störaustastung enthält dieser S chaltkreis die Baugruppen	OCR Scan		PDF
"halbleiterwerk frankfurt" Abstract: halbleiterwerk Scans-048 Halbleiterwerk Frankfurt VEB Halbleiterwerk Frankfurt Kombinat VEB DSAGER00016 frankfurt Text: A 230 D Vorläufige technische Daten integrierte RGB-Matrix mit D unkeltastschaltung für den Einsatz ;n Farbfernsehgeräten. Dia R \ G- und B-Ausg3ngsimpulse erlauben iie direkte Ansteuerung der Videoendstufe. Abm essungen in mm und AnschluBbelegung : .400	OCR Scan		PDF
"halbleiterwerk frankfurt" Abstract: Halbleiterwerk Frankfurt A240D 3030mV halbleiterwerk VEB Halbleiterwerk Frankfurt DSAGER00018 frankfurt VEB Kombinat Text: A 240 D Vorläufige technische Daten Monolithisch integrierter Bild - Z F -V e rstä rk e r für Schw arz-W eißund Farbfernsehempfänger. Neben dem geregelten Z F - Verstärker enthält der Schaltkreis einen bildträgergesteuerten Dem odulator und einen Video - Nachverstärker.	OCR Scan	0/2/76ATT/ "halbleiterwerk frankfurt" Halbleiterwerk Frankfurt A240D 3030mV halbleiterwerk VEB Halbleiterwerk Frankfurt DSAGER00018 frankfurt VEB Kombinat	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170 Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.	OCR Scan	DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft VEB mikroelektronik "information applikation" Text: m ffik a r ^ e le l-c b n a r iîl-c Information Applikation [ n nf l^ On i □ Information Applikation Heft : 3 7 Qualitätssicherung - Zuverlässigkeit veto halbtaMfcorwerk frankfurt/oder bateriabkn veb kombinat mikroelektrontk KAMMER PER TECHNIK Vorslond des Beiirkiverbondei	OCR Scan		PDF
A244D Abstract: meuselwitz "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter A244 scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt VEB Halbleiterwerk Frankfurt veb halbleiterwerk Text: ìr 31H A 244 D Vorläufige technisch« Daten Integrierte A M -Em pfängerschaltung fü r AM - Em pfänger bis 3 0 MHz. Oer S chaltkreis beinhaltet neben Vor-, M isch- und O szillatorstufe einen vierstufigen Z F -V e rs tä rk e r und zwei unabhängige Regelkreise.	OCR Scan		PDF
A283D Abstract: HS 455 e "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt halbleiterwerk TGL26713 Halbleiterwerk Frankfurt A283 frankfurt Text: Vorläufige technische Daten A 283 D Einchip-AS /FlMSmpfängerschalfckreis mit OT-Leistungs•verstärker für Hörrundfuakempfänger Abmessungen, in qm und Anschlaßbelegaog 8 22,3 3.5 ± 0,3 . 15° 2/5 - 0,725 16 15 n 13 12 11 10 9 n n n n n n n j n o -trra-cro-nT-n-crxr	OCR Scan	16nach A283D HS 455 e "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt halbleiterwerk TGL26713 Halbleiterwerk Frankfurt A283 frankfurt	PDF
A283D Abstract: VEB mikroelektronik 455 KHz VEB Kombinat AM deMODULATOR Halbleiterwerk Frankfurt "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk mikroelektronik veb VEB Halbleiterwerk Frankfurt Text: A 283 D V orläufige technische Daten SinctLip-AH/?14-anpfäncer8Chal t t r o i s mit NP-Ijeietungsv o rsta rk e r fü r Hörrunafunkempfänger Abmessungen in am und AnachlußbeleKungi 22 3 .Z3012j. 0.2S-QQ5 ¿50725 * AOO A2A3 TS 1* 13 12 77 IO 9 nnnffnnnn	OCR Scan	14-anpf A283D VEB mikroelektronik 455 KHz VEB Kombinat AM deMODULATOR Halbleiterwerk Frankfurt "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk mikroelektronik veb VEB Halbleiterwerk Frankfurt	PDF

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