TRANSISTORE Search Results

TRANSISTORE Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
CA3082	Rochester Electronics LLC	CA3082 - Small Signal Bipolar Transistor
CA3081F	Rochester Electronics LLC	CA3081 - Small Signal Bipolar Transistor
2SC6026MFV	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=50 V / IC=0.15 A / hFE=120~400 / VCE(sat)=0.25 V / SOT-723
TTC5886A	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=50 V / IC=5 A / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22 V / tf=120 ns / New PW-Mold
TTA2097	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	PNP Bipolar Transistor / VCEO=-50 V / IC=-5 A / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27 V / tf=60 ns / New PW-Mold

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Catalog Datasheet	Type	Document Tags	PDF
CFY19-22 Abstract: CFY19 Dual-Gate* bf981 bf987 Text: "sIEMENS AKTIENGESELLSCHAF bOE I> • SEBSbDS DDS1M7M S34 «SIEfi 'T'dó'M SIEMENS Transistoren Transistors MOS Feldeffekt-Transistoren Type MOS Field-Effect Transistors Maximum Ratings Characteristics TA= 25° C ^ds V ¡d mA P,o. G ps mW dB ' * I' c' ' '	OCR Scan	BF930 BF994S BF996S BF998 BF1012 CF739 CF750 OT-143 CFY19-18 CFY19-22 CFY19 Dual-Gate* bf981 bf987	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF LOE ]> • 023SbOS G D S m ? S M7D I1SIE6 SIEMENS Transistoren Transistors AIGaAs/GaAs HEMTs AIGaAs/GaAs HEMTs Characteristics TA = 25° C Maximum Ratings E mW 9m mS 70 180 40 ¿> P o Type 70 180 40 -3.0.0 60 180 50 70 200 40	OCR Scan	023SbOS CGY50 OT-143 CGY40 CLY10 CGY52	PDF
MMBTA05 Abstract: MMBTA06 MMBTA55 MMBTA56 Text: MMBTA55 . MMBTA56 MMBTA55 . MMBTA56 General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2006-08-09 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 1.1 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse	Original	MMBTA55 MMBTA56 OT-23 O-236) UL94V-0 MMBTA05, MMBTA05 MMBTA06 MMBTA55 MMBTA56	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372 Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der	OCR Scan		PDF
reedrelais Abstract: zu 109 reedschalter Text: MEDER electronic REEDSCHALTER IN RELAIS Der Reedschalter als Schaltelement in einem Reedrelais Wird der Reedschalter in einem Reedrelais verwendet, erzeugt man das Magnetfeld durch eine Kupferspule. Abb. # 1 zeigt die einfache Wirkungsweise. Reedrelais benötigen in der Regeleine relativ geringe Steuerleistung und können durch Transistoren, TTL-Logik oder	Original		PDF
tfk 731 Abstract: N100700 bcy 79 BCY58 BCY 65 BCY 59 Text: BCY 58 • BCY 59 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Allgem ein und NF-Verstärker Applications: General and AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 1 W 0 Power dissipation 1 W	OCR Scan		PDF
mosfet bf 966 Abstract: smd bf BF965 BF963 Marking fs sot mg sot-143 BF964S marking 16 sot143 BF96 Text: -T -3 I-Ä S SIEMENS AKTIENGESELLSC HAF ÖE3SbOS GDSb27'i 4 « S I E G M7E » HF-MOS-Transistoren / RF MOS Transistors N-Channel MOSFET Tetrodes Plastic Package Type Max. ratings Characteristics CO Ï? P.O. G ps > mA mW mS Package Fig. F dB V mA f MHz dB 16.5	OCR Scan	GDSb27 BF965 OT-143 OT-142 OT-23 mosfet bf 966 smd bf BF963 Marking fs sot mg sot-143 BF964S marking 16 sot143 BF96	PDF
103MA Abstract: 1D2 SOT-23 BCW68 BCW58 BCW57A BCW57 OES45 JR-101 Text: BCW 67 BCW 68 PIMP-Transistoren für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen BCW 67 und BCW 68 sind epitaktische PNP-Silizium -Planar-Transistoren m it Plastikum hüllung 23 A 3 DIN 41 86 9 S O T -2 3 für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen. Sie	OCR Scan	OT-23) BCW68 Q62702-C463 Q62702-C464 Q62702-C465 Q62702-C466 Q62702-C467 103mA 1D2 SOT-23 BCW58 BCW57A BCW57 OES45 JR-101	PDF
transistor B 560 Abstract: TRANSISTOR BC 136 BC560 TRANSISTOR BC 560 TRANSISTOR BC 135 IC 7414 transistor c-133 2493 transistor transistor Bc 82 ic 7414 cm Text: BC 559 * BC 560 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar AF Transistors Anwendung: Rauscharme Vorstufen Application: Low noise prestages Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 500 m W • Power dissipation 500 m W	OCR Scan		PDF
TFK BC Abstract: TFK 110 TFK 309 TFK 727 tfk 4 309 tfk 238 BC109 tfk bc108 BC107 TFK 330 Text: BC 107 • B C 1 0 8 - B C 109 BC 237 • BC 238 • BC 239 'W Silizium-NPN-Epitaxial -Planar NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: NF-Vor- und Treiberstufen A p p lic a tio n s : AF pre and driver stages Features: Besondere Merkmale:	OCR Scan	BC108 BC109 TFK BC TFK 110 TFK 309 TFK 727 tfk 4 309 tfk 238 BC109 tfk bc108 BC107 TFK 330	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: BDY 12 BDY13 Sta tisc h e Ken ndaten TQ = 25 °C Die Transistoren B D Y 12 und B D Y 13 werden bei /c = 1 A und UCE = 1 V nach der statischen Stromverstärkung gruppiert und mit Zahlen der DIN-R-5-Normenreihe gekenn zeichnet. Für folgende Arbeitspunkte gilt:	OCR Scan		PDF
BF259 Abstract: bf 233 BF257 BF 235 BF258 BF258-BF259 bf 258 bf 236 A1233 Text: Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Video-Endstufen in Schwarz-Weiß- und Farb-FS-Empfängern. Schaltungen mit hoher Betriebsspannung Applications: Video power stages in black and white and colour TV receivers.	OCR Scan		PDF
c 337 25 Abstract: NPN 337 bc 170 c BC 337 bc 170 BC338 bc337 bc 338 npn bc 337 AF200 Text: BC 337 * BC 338 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: T reiber und Endstufen Applications: D river and p o w e r stages Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 625 mW • In G ruppen so rtie rt	OCR Scan		PDF
2N929 Abstract: 2N930 929-2N Text: 2 N 929 • 2 N 930 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: Rauscharme NF-Verstärker Applications: Low noise AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Besonders rauscharm bei kleinen Kollektorström en	OCR Scan		PDF

BD185 Abstract: BD189 2DIN125A din 125a 187BD BD188 c 36 to bd 25 m BD190 Text: w BD185 • BD187 - BD189 Silizium-NPN-Epibasis-Transistoren Silicon NPN Epibase Transistors Anwendungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Audio amplifier, driver and output stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Spitzenleistung	OCR Scan		PDF
BC160 Abstract: bc 160 BC161 TFK BC TFK 175 TFK 236 bc 141 Text: ip ^ B C 160- BC 161 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: NF-Verstärker und Schalter Applications: AF am plifiers and switches Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 3,2 W • Power dissipation 3.2 W	OCR Scan		PDF
BCY 59 Abstract: BCY 12 BCY58X BCY 85 BCY59 BCY59X BCY58 BCY58-VIII Ucesat BCY 58 Text: N P N -Transistoren fü r N F -V o r- und T re ib erstu fen sow ie S ch alteran w en dungen - BCY 58 BCY 59 BCY 65 E BCY 58, BCY 59 und BCY 65 E sind epitaktische NPN-Silizium -Planar-Transistoren im Gehäuse 18 A 3 DIN 41 876 T O -1 8 . Der Kollektor ist m it dem Gehäuse elektrisch ver	OCR Scan	Q60203- BCY 59 BCY 12 BCY58X BCY 85 BCY59 BCY59X BCY58 BCY58-VIII Ucesat BCY 58	PDF
transistor BC 549 Abstract: transistor BC 550 TRANSISTOR BC 550 c TRANSISTOR BC 550 b TFK BC BC549 BC550 TRANSISTOR BC 135 BE550 TRANSISTOR BC 620 Text: BC 549 - BC 550 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendung: Rauscharme V orstufen Application: Low noise prestages Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 500 mW • Power dissipation 500 m W	OCR Scan		PDF
BF679 Abstract: BF679S bf 679 Text: BF 679 S Silizium-PNP-HF-Transistoren Silicon PNP RF Transistors Anwendungen: R egelbare U HF/VH F-Eingangsstufen Applications: G ain controlled UHF/VHF input stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Verstärkung • H igh pow e r gain • Kleine R auschzahlen	OCR Scan	-30dBGpb BF679 BF679S bf 679	PDF
BFX59 Abstract: Transistor BFX 25 BFX59F Text: B F X 59 B F X 59 F N PIM -Transistoren fü r Treiber- und Endstu fen in A ntennenverstärkern BFX 59 und BFX 59F sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-HF-Transistoren im Gehäuse 1 8 A 4 DIN 41876 TO-72 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Die Tran	OCR Scan	Q60206-X59 Q60206-X59-S5 BFX59 Transistor BFX 25 BFX59F	PDF
MEM511 Abstract: MEM511C diode a60 MEM556 mem556c 2N4120 517C 520C 556C MEM561C Text: OS TRANSISTOREN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS V br oss V(br) gss Volts V( br) dg Min Volts Min Volts Min Power Dis. 25°C Amb mW Max -30 -2 5 —30 -3 0 -3 0 -2 5 -3 0 -2 5 -5 0 -4 5 -3 5 -3 0 -3 0 -2 5 -2 5 -2 0 -3 0 -4 0 -4 0 -4 0 -4 0 -3 5 -3 0 -4 5	OCR Scan		PDF
PN2907A Abstract: 2N2907A 2N2907A die 10D3 2N2222A PN2222A 2n2222a to 92 TO-92 Gehause 2N2907A plastic Text: PN2907A / 2N2907A PN2907A / 2N2907A General purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2005-11-21 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 E BC 2 x 2.54 Dimensions / Maße [mm] 625 mW	Original	PN2907A 2N2907A UL94V-0 PN2222A 2N2222A 2N2907A 2N2907A die 10D3 2N2222A 2n2222a to 92 TO-92 Gehause 2N2907A plastic	PDF
k2645 Abstract: k4005 U664B mosfet k4005 MB8719 transistor mosfet k4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417 Text: 1 BHIAB Electronics Du som söker besvärliga IC & transistorer, börja Ditt sökande hos oss – vi har fler typer på lager än man rimlingen kan begära av ett företag Denna utgåva visar lagerartiklar men tyvärr saknas priser och viss information Men uppdatering sker kontinuerligt	Original	MK135 MK136 MK137 MK138 MK139 MK140 Mk142 MK145 MK155 157kr k2645 k4005 U664B mosfet k4005 MB8719 transistor mosfet k4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417	PDF
ta7317 Abstract: TA7311 Text: I Power Transistore 2N5490-2N5497 353 7 HHAS File N um ber HARRIS SEMICOND SECTOR 27E I> M302271 G 0 n ò 7 M TERMINAL DESIGNATIONS Silicon N-P-N VERSAWATT Transistors G e n e r a l-P u rp o s e T y p e s fo r M e d iu m -P o w e r S w itc h in g an d A m p lifie r A p p lic a tio n s	OCR Scan	2N5490-2N5497 M302271 2N5490, 2N5491) 2N5492, 2N5493) 2N5494, 2N5495) 2N5496, 2N5497) ta7317 TA7311	PDF

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