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    TRANSISTOR MARK IGE Search Results

    TRANSISTOR MARK IGE Result Highlights (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    TTC5886A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation NPN Bipolar Transistor / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22V / tf=120ns Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TTA2097 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation PNP Bipolar Transistor / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27V / tf=60ns Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XPQR8308QB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-ch MOSFET, 80 V, 350 A, 0.00083 Ω@10V, L-TOGL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XPQ1R00AQB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-ch MOSFET, 100 V, 300 A, 0.00103 Ω@10V, L-TOGL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK190U65Z Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    TRANSISTOR MARK IGE Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    FS75R12KE3

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FS 75 R 12 KE3 Zieldaten Target data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


    Original     		PDF FS75R12KE3

    fs 35

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FS 35 R 12 KE3 Zieldaten Target data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


    Original     		PDF FS35R12KE3 fs 35

    FS50R12KE3

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FS 50 R 12 KE3 Zieldaten Target data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


    Original     		PDF FS50R12KE3

    BSM50GD120DLC

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GD120DLC E3226 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM50GD120DLC E3226 E3226

    KL4C

    Abstract: ic 4800 FZ2400R12KL4C 12KL4C Fz2400
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 2400 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


    Original     		PDF 56Ohm, FZ2400R12KL4C KL4C ic 4800 12KL4C Fz2400

    AL2O3

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R 12 KL4C Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF

    BSM300GB120DLC

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM300GB120DLC BSM300GB120DLC

    FZ2400R12KL4C

    Abstract: IC 3700
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 2400 R 12 KL4C Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF 56Ohm, FZ2400R12KL4C FZ2400R12KL4C IC 3700

    FZ1600R12KL4C

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


    Original     		PDF FZ1600R12KL4C

    BSM35GB120DLC

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM35GB120DLC BSM35GB120DLC

    FF600R12KL4C

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF FF600R12KL4C FF600R12KL4C

    IGBT 600V 1200A

    Abstract: FZ1200R12KL4C IGBT 1200A 600V
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


    Original     		PDF 82Ohm, FZ1200R12KL4C IGBT 600V 1200A IGBT 1200A 600V

    BSM400GA120DLC

    Abstract: DIODE i2t
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM400GA120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM400GA120DLC BSM400GA120DLC DIODE i2t

    mj86

    Abstract: BSM35GD120DLC E3224
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GD120DLC E3224 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM35GD120DLC E3224 BSM35GD120DLC-E3224 mj86 E3224

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


    Original     		PDF BSM50GB120DLC BSM50GB120DLC

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ600R12KE3 B1 Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25°C VCES


    Original     		PDF FZ600R12KE3 499E-02 499E-02 601E-02 601E-02 364E-03 364E-03 187E-05 187E-05

    FZ1600R12KL4C

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 12 KL4C Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF FZ1600R12KL4C FZ1600R12KL4C

    600v 100a

    Abstract: BSM100GB120DLC
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM100GB120DLC gate-1000 BSM100GB120DLC 600v 100a

    BSM75GB120DLC

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM75GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM75GB120DLC BSM75GB120DLC

    BSM200GB120DLC

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM200GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM200GB120DLC gate-e1000 BSM200GB120DLC

    BSM150GXL120DN2

    Abstract: 150 GXL 120 DN2 ,igbtmodule
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM150GXL120DN2 BSM150GXL120DN2 150 GXL 120 DN2 ,igbtmodule

    FZ400R12KE3

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ400R12KE3 Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25°C VCES 1200


    Original     		PDF FZ400R12KE3 499E-02 601E-02 364E-03 187E-05 FZ400R12KE3

    BSM50GB120DLC

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM50GB120DLC BSM50GB120DLC

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: I Ordering number : ENN6580 N P N Epitaxial P lan ar Silicon Transistor EC3H04C SANYO High-Frequency Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features Package Dimensions • L o w noise : N F = 1 .7 d B typ f= 2 G H z . unit : mm • H ige c u t-o ff frequency : fT = 8 G H z typ (V C E = 1 V ).


    OCR Scan     		PDF ENN6580 EC3H04C EC3H04C] E-CSP1008-4