Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors Gabellichtschranke mit Fotodarlington Transistor Slotted Interrupter with Photodarlington Transistor SFH 9330 Vorläufige Daten/Preliminary Data 12.52 12.12 optical axis 6.68 6.28 Sensor 0.6 0.4 2 9.0 8.2 2.54 Circuitry 3 1 4 GPX06992 fpx06992
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Original
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GPX06992
fpx06992
OHFD00367
OHF00372
OHF00410
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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Original
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Q62702-P5250
suita10
GEOY6976
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IC 3130
Abstract: Q62702-P5250 of ic 3130 SFH3130F GEO06976 4110 opto
Text: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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Original
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E00386
OHF00383
GEO06976
IC 3130
Q62702-P5250
of ic 3130
SFH3130F
GEO06976
4110 opto
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IC 3130
Abstract: 4110 P525 Q62702-P5250 GEOY6976
Text: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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transistors
Abstract: bc337 TRANSISTOR equivalent BC337 hie hre hfe EQUIVALENT TRANSISTOR bc547 bc547 sot 23 transistor BC547 equivalent bc337 hie bc338 equivalent bc327 equivalent BC547 sot23
Text: Application Applikation Bipolar Transistors Bipolartransistoren Nomenclature: Benennung: B – Silicon Transistor C – LF Low Power Transistor nnn – Serial Number X or -nn – hFE Group B – Siliziumtransistor C – NF Kleinleistungstransistor nnn – Serien-Nummer
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BC807
BC808
BC817
BC818
BC846
BC847
BC848
BC849
BC850
BC856
transistors
bc337 TRANSISTOR equivalent
BC337 hie hre hfe
EQUIVALENT TRANSISTOR bc547
bc547 sot 23 transistor
BC547 equivalent
bc337 hie
bc338 equivalent
bc327 equivalent
BC547 sot23
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Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors Gabellichtschranke mit Fotodarlington Transistor Slotted Interrupter with Photodarlington Transistor SFH 9330 Vorläufige Daten/Preliminary Data t'- LO C \J cg 2o: e3 Emitter - t - î Sensor 1 Circuitry -o3 V 1o- -o4 GPX06992 C\J O
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GPX06992
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Abstract: No abstract text available
Text: ASSMANN Transistor-Fassungen E le ctro n ic C o m p o n e n ts Fassungen fur Leistungstransistoren im Gehause Sockets Transistor-Fassungen Transistor sockets for power-transistors TO-3 „ 010.3 * 40 -3 0 ,2 22.5 - M 3 {2 x R 0,5 •£ 5,08 Art. Nr. Part no.
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BPW30
Abstract: foto transistor cqy 38 ha photo transistor terminal
Text: Silizium-NPN-Planar-Foto-Darlington-Transistor Silicon NPN Planar Photo Darlington Transistor Anwendung: Empfänger in elektronischen Steuer- und Regeleinrichtungen Application: Detector in electronic control and drive circuits Besondere Merkmale: Features:
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BPW30
10\x1)
5033/IEC
BPW30
foto transistor
cqy 38 ha
photo transistor terminal
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transistor BF 257
Abstract: bf414 transistor BF 414 tfk 513 BF 414 transistor BF 258 414 transistor AI-257 db258 Kleine
Text: Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon PNP Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: VHF-Eingangsstufen in Basisschaltung Applications: VHF input stages in com m on base configuration Besondere Merkmale: Features: • Kleine R ückwirkungskapazität
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transistor BF 509
Abstract: transistor BF 298 bf509 TRANSISTOR bf 297 EE50 to 92 z Kleine
Text: BF 509 Silizium-PNP-HF-Transistor Silicon PNP RF Transistor Anwendungen: Regelbare VHF-Eingangsstufen Applications: Gain controlled VHF input stages Besondere Merkmale: • Hohe Leistungsverstärkung Features: • High p o w e r gain • Kleine Rauschzahlen
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BF479
Abstract: Transistor BF 479 Mischstufen Transistor BF 479 t pnp rf transistor rcbo S55A TRANSISTOR BF479 CJCO
Text: Silizium-PNP-HF-Transistor Silicon PNP RF Transistor Anwendungen: UHF/VHF-Hochstrom -Eingangs- und M ischslufen Applications: UHF/VHF-high current input and m ixer stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Kreuzm odulationsfestigkeit • • Hohe Verstärkung
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338 u
Abstract: BFW93 ic 339
Text: ISIP IM -Siliziu m -P lan ar-H F -T ran sisto r B F W 93 V o rlä u fig e Daten B F W 93 ist ein epitaktischer N PN -Silizium -Planar-H F-Transistor in einem kapazitätsarmen Kunststoffgehäuse 5 0 B 3 D IN 41 8 67 ähnlich T 0 -5 0 . Der Transistor eignet sich besonders
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BFW93
T0-50)
338 u
ic 339
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Transistor BFw 92
Abstract: TRANSISTOR BFW 11 BFW92 bfw glass bfw 10 transistor BFw 92 NPN planar RF transistor bfw 11 bfw 30 transistor BFW 42 transistor
Text: BFW 92 "W Silizium-NPN-Planar-HF-Transistor Silicon NPN Planar RF Transistor Anwendungen: Hochfrequenzverstärker bis in den GHz-Bereich Applications: RF-amplifier up to G Hz range Besondere Merkmale: Features: • Hohe Leistungsverstärkung • High pow er gain
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596/0776A1
470pF
20x8x0
Transistor BFw 92
TRANSISTOR BFW 11
BFW92
bfw glass
bfw 10 transistor
BFw 92
NPN planar RF transistor
bfw 11
bfw 30 transistor
BFW 42 transistor
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UC130
Abstract: transistor BR 471 A din 125a BF 471 bf471
Text: Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Video-B-Endstufen in Fernsehem pfängern Applications: Video-B-class p o w e r stages in TV receivers Besondere Merkmale: Features: • Hohe Sperrspannung •
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626/1176A1
UC130
transistor BR 471 A
din 125a
BF 471
bf471
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transistor BR 471 A
Abstract: BF471
Text: 4m> BF 472 'W Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon PNP Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Video-B-Endstufen in Fernsehem pfängern Applications: Video B-class p o w e r stages in TV-receivers Besondere Merkmale: Features: • Hohe Sperrspannung
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N125A
627/1177A2
transistor BR 471 A
BF471
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BFS62
Abstract: Planar RF Transistor B4025 AC309
Text: BFS 62 'W Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Allgem ein bis in den VHF-Bereich Applications: General up to the VHF range Besondere Merkmale: Features: • Kleine R ückw irkungskapazität • Small feedback capacitance
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BFS62
BFS62
Planar RF Transistor
B4025
AC309
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transistor BR 471 A
Abstract: Planar RF Transistor BF 472 BF471
Text: BF 472 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon P N P Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Video-B-Endstufen in Fernsehem pfängern Applications: Video ß-c/ass p o w e r stages in TV-receivers Besondere Merkmale: Features: • Hohe Sperrspannung
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627/1176A1
transistor BR 471 A
Planar RF Transistor
BF 472
BF471
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transistor bf 422
Abstract: BF 264 PNP transistor 263 BF 422
Text: Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon PNP Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Video-B-Endstufen in Fernsehem pfängern Applications: Video El-class p o w e r stages in TV-receivers Besondere Merkmale: Features: • Kom plem entär zu BF 422
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50T60
Abstract: BF 273 transistor BF transistor BF469
Text: Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Video-B-Endstufen in Fernsehem pfängern Applications: Video-B-class p o w e r stages in TV receivers Besondere Merkmale: Features: • Kom plem entär zu BF 470
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BF470
Abstract: JEDECTO126
Text: Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon PN P Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Video-B-Endstufen in Fernsehem pfängern Applications: Video-B-class p o w e r stages in TV-receivers Besondere M erkmale: Features: • K om plem entär zu BF 469
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581/0476A
BF470
JEDECTO126
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BFS20
Abstract: C307
Text: Gestempelt mit: 'W NA Marked w ith: D C Ö O rt D r w fc W Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Allgemein HF-Anwendung in Dick- und Dunnfilmschaltungen Applications: General in RF range in thick and thin film circuits
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BFS20
BFS20
C307
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transistor BF 506
Abstract: BF506 S45C 51785 to 92 z transistor f 506 z.2x
Text: BF 506 Silizium-PNP-HF-Transistor Silicon PNP RF Transistor Anwendungen: Oszillator-, M isch- und ungeregelte Vorstufen bis 300 MHz Applications: O scillator- m ixer and u n controlled p re a m p lifie r stages up to 300 MHz Besondere Merkmale: Features: • Kleine R ückwirkungskapazität
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TRANSISTOR C 2577
Abstract: 50T60 C 2577 transistor ABE 422 BF 422 transistor bf 254 10A3 BF422 transistor bf 422
Text: Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon N P N Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Video-B-Endstufen in Fernsehem pfängern Applications: Video B-class p o w e r stages in TV-receivers Besondere M erkmale: Features: • K om plem entär zu BF 423
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CM 90-PS
Abstract: bf470
Text: 'W BF 470 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-HF-Transistor Silicon PNP Epitaxial Planar RF Transistor Anwendungen: Video-B-Endstufen in Fernsehem pfängern Applications: Video-B-class p o w e r stages in TV-receivers Besondere M erkmale: Features: • K om plem entär zu BF 469
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581/0477A
CM 90-PS
bf470
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