Thyristor Tabelle
Abstract: tellerfeder
Text: Einstellung der Spannkraft 1. Ermitteln der Spannkraft Fs Fs = 0,8 Fmax Fs : erforderliche Spannkraft für Diode/Thyristor im Kühlblock Fmax : max. Anpreßkraft für Diode/Thyristor nach Tabelle xx FSK : max. Spannkraft der Federsäule fs : Federweg der Federsäule
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Semipack skfh
Abstract: semikron skkt 56/14e semipack 1 skkt 19 semikron skkt 19 Semipack 1 skfh SKKD semikron semipack skkt 56/14 e Thyristor Tabelle skfh Z 151 VARISTOR
Text: 1. SEMIPACK Thyristor/Dioden - Module Besondere Merkmale Typische Anwendungen • Wärmeabfuhr über keramikisolierte Metall-Bodenplatte • Sanftanlaufgeräte für Wechselstrommotoren • Hartgelötete Verbindungen für höchste • Ungesteuerte Eingangs-Gleichrichter für
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Thyristor Tabelle
Abstract: semikron tse skiw 900/16 DIODE i2t electrolube thyristoren tellerfeder
Text: 3. Thyristoren Besondere Merkmale Typische Anwendungen Thyristoren mit Gewindestutzen • Hermetische Metallgehäuse mit Glasisolatoren • Gleichstrommotor-Steuerungen z. B. für Werkzeugmaschinen • Gewindestutzen ISO M5.M24 x 1,5, • Gesteuerte Gleichrichter (z. B. für Batterieladung)
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kluber
Abstract: KLUBER WOLFRACOAT C Thyristor BT 102 water cooled thyristor assembly kluber wolfracoat thyristor ys 150 017 NT102 295kW Thyristor ys 150 103 RC snubber thyristor design
Text: Technical Information Technische Erläuterungen Für schnelle Thyristoren wird hierzu empfohlen: - C, = 10.47 nF - R, entsprechend 7, = Fl, . C, = 1,0 . .2.0 ps - D, schnelle Diode Der Entladewiderstand R, darf niemals fehlen, weil sich sonst einige Daten der Thyristoren verschlechtern können, z.B. die kritische Spannungssteilheit dv/dt ,. Falls die Beschaltung den Verlauf des Steuerstroms nachteilig beeinflußt, so ist dies bei der Bemessung des
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Varistoren lebensdauer
Abstract: semikron skpt 25 semikron skpt SKPT 25 SKPT 11 SKPT25A3 SKPT Varistoren bimetall Thyristor Tabelle
Text: 14.2 SEMIKRON Impulsübertrager Typenschlüssel SK PT 27 a 10 SEMIKRON-Bauelement Pulsübertrager Gehäusegröße Übersetzungsverhältnis a, i 1:1 b, k 1:1:1 c 2:1 d 3:1 e 3:1:1 f 4:1 g 2:1:1 h 1:1:1:1 Typennummer ungefährer ∫ vdt-Wert [µVs]/100 Technische Erläuterungen
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semikron thyristor
Abstract: GAL -700E -1 Thyristor Tabelle Dioden Tabelle Dioden GA 100 Semikron Semitop 3 Thyristor 3kV kode diode BT thyristor GAH 3
Text: 17. SEMITOP : Das innovative Gehäusekonzept für die kleine und mittlere Leistung Merkmale Typische Anwendungen • Kompaktes Gehäusedesign konform mit UL 1557 und • Umrichter für Motorsteuerung VDE 0160 Normen • USV, Schaltnetzteile • Robuste Lötanschlüsse für Leiterplattenmontage
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DD104N12K-A circuit
Abstract: DD171N12K Thyristor Tabelle DD104N12K-A eupec DD171N12k ND89N12K T1059N Eupec Power Semiconductors Phase Control Thyristor tellerfeder ND260N12K 3KM17
Text: . power the Home Products Stacks News Contact Disc Assemblies Editorials Disc Type Stack circuit Job Offers Company Module Stacks Search Site Content Heatsinks M1C <180 V <500 V line Voltage eff 690 V M2C <180 V <500 V 690 V 1000 V M3C <180 V <500 V 690 V
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10T588N
T589N
T618N
T659N
T688N
T699N
T718N
T719N
T878N
T879N
DD104N12K-A circuit
DD171N12K
Thyristor Tabelle
DD104N12K-A
eupec DD171N12k
ND89N12K
T1059N Eupec Power Semiconductors Phase Control Thyristor
tellerfeder
ND260N12K
3KM17
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SKiiP 33 NEC 125 To
Abstract: semikron skiip 33 NEC 125 skiip 33 nec 125 t semikron ASIC SKIC semikron skiip 33 nec Semikron Semitop sk 70 kq 12 skiip 11 nec 06 1 Semikron Semitop sk 45 kq 12 MiniSKiiP 8 semikron skiip 33
Text: MiniSKiiP Technologie Druckkontakte bei allen Leistungs- und Hilfsanschlüssen anstelle von Lötverbindungen. Integration der neuesten Chiptechnologie: • • • • Niedrige Schaltverluste bei 600 V oder 1200 V, homogene NPT IGBTs mit antiparallel geschalteten CAL-Dioden
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Thyristor Tabelle
Abstract: 74ACT11244 SN74ABT16501 SN74ABT244 induktiv schaltungen mit cmos cmosschaltungen
Text: EB200 Widebus-Bustreiber EB200 Widebus-Bustreiber Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 22.05.1991 Überarbeitet Januar 1996 Rev.: A 1 Applikationslabor EB200 Widebus-Bustreiber Der Trend zu 16- und 32-Bit breiten Bussystemen in Verbindung mit kontinuierlichen
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EB200
32-Bit
Thyristor Tabelle
74ACT11244
SN74ABT16501
SN74ABT244
induktiv
schaltungen mit cmos
cmosschaltungen
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Quarzoszillator
Abstract: leistungstransistoren schaltungen 1N4001 SN74ALS138 SN74BCT2414 SN74HC138 SN74HCT138 TIP32 TL7705A
Text: EB181A Datensicherung EB181A Datensicherung in batteriegepufferten Speichern mit dem Dekoder SN74BCT2414 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 27.07.1988 Rev.: A Überarbeitet: 13.10.1995 1 Applikationslabor EB181A Datensicherung Dieser Bericht beschreibt die Funktion und Anwendung des Dekoders SN74BCT2414, der
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EB181A
SN74BCT2414
SN74BCT2414,
SN74BCT2414.
Quarzoszillator
leistungstransistoren
schaltungen
1N4001
SN74ALS138
SN74BCT2414
SN74HC138
SN74HCT138
TIP32
TL7705A
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capacitor xg-hs
Abstract: xg-hs
Text: TEAPO ELECTRONIC CORPORATION FILM CAPACITORS XG-H Film Capacitors For Interference Suppression and Across-The-Line, Class X2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Climate Category : In Accordance with IEC 68-1 40/100/21 (a) The first letter or number represents the Lower Category temperature.
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capacitor xg-hs
Abstract: No abstract text available
Text: YAGEO CORPORATION FILM CAPACITORS XG-H Film Capacitors For Interference Suppression and Across-The-Line, Class X2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Climate Category : In Accordance with IEC 68-1 40/100/21 (a) The first letter or number represents the Lower Category temperature.
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iec384 14ii
Abstract: xg-hs capacitor xg-vs IEC 384-14II XG-VS capacitor xg-hs EN60252 HSFNT HSFPU 10uF 450v tv CAPACITOR
Text: FILM CAPACITORS 88 XG-H 1,000hrs. at 100ºC 92 XG-V 1,000hrs. at 85ºC 96 XG-E 1,000hrs. at 85ºC 100 YE-T / YF-T [ For Motor Application ] 1,000hrs. at 70ºC 103 YE-D / YF-D [ For Motor Application ] 106 YE-E / YF-E [ For Motor Application ] 10,000hrs. ar 85ºC
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000hrs.
iec384 14ii
xg-hs
capacitor xg-vs
IEC 384-14II
XG-VS
capacitor xg-hs
EN60252
HSFNT
HSFPU
10uF 450v tv CAPACITOR
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smd-transistor DATA BOOK
Abstract: triac ansteuerung smd-transistor SMD transistors Relais datenblatt RGS 13 simple circuit diagram of electronic choke SITAC P-Channel Depletion Mode Field Effect Transistor SMD transistor Mo Siemens varistor family
Text: Technische Angaben Technical Information SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.
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eupec rectifier b6c 500/670
Abstract: pulse transformer ZB1 how to control firing angle in thyristor B6C 500/670 1000F K0.17F-6T588N-LRCT B6C 500/670 1360F K0.08F-6T879N-LRCT firing circuit for thyristor based three phase Gleichrichter W2S130 57558 6,6URD33TTF1000
Text: Technische Erläuterungen Technical information Allgemeines eupec bietet für alle gängige Schaltungsarten Scheibenzellensätze für den mittleren bis oberen Leistungsbereich an. Der Einsatz von Standardkühlblöcken der Reihe KK und KX garantiert ein einheitliches Aufbaukonzept
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bsm 25 gd 1200 n2
Abstract: bsm 75 gd 120 n2 siemens mosfet BSM 50 siemens igbt bsm 50 gd 120 n2 Thyristor Tabelle BSM15GD BSM15GD120DN 250068 BSM15GD120DN2
Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht IGBT-Module 1 Overview IGBT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V, 1200 V und 1700 V und im Strombereich
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tl072 spice
Abstract: D1N4007 QBC547B BF245B spice bf245b spice model inverter using irfz44n 2N5171 SPICE diode 1N750 LTspice 50HZ oscillator sinus vco
Text: SPICE-SchaltungsSimulation mit LTspice IV Tutorial zum erfolgreichen Umgang mit der frei im Internet www.linear.com erhältlichen SPICEVollversion der Firma Linear Technologies Tutorial-Version 2.2 Copyright by Gunthard Kraus, Oberstudienrat i.R. an der Elektronikschule Tettnang
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft
Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik
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BT 816 triac
Abstract: ky 202 h thyristor thyristor aeg thyristor BBC CS 8-12 Halbleiterbauelemente DDR ky 201 thyristor tesla typ 202 thyristor thyristor AEG t 10 n 600 thyristor BBC thyristor BBC CS 0,6
Text: electronica du/dt GT T AV t di/dt Günter Pilz Technische Daten von Thyristoren, Triacs und Diacs electrónica • Band 19G GÜNTER PILZ Technische Daten von Thyristoren, Triacs und Diacs MILITÄRVERLAG DER DEUTSCHEN DEMOKRATISCHEN REPUBLIK I. Auflage {(j) Militär vorlag
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ITT transistoren
Abstract: kme-3 baustein nf schaltungen kme-3 baustein ES II 21-12111 sy170 selen-gleichrichter SF136 oszillograf frankfurt widerstandsnetz
Text: li,li l | W r j »< ' w r -y, Inhaltsverzeichnis Nr. des Artikels / Titel Seite 1 Netzteil für NF-Leistungsverstärker 4 2 Ladegerät für Kfz.-Batterien 6/12 Volt 6 3 Akku-Universal-Ladegerät 8 4 Kaskadenschaltung mit Selengleichrichtern 10 5 Niederspannungsnetzgerät ohne Transformator
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VEB mikroelektronik
Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik applikation Mikroelektronik Information Applikation a4100d "information applikation" Dioden SY 250 "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk
Text: m ö tk n n ^ e le l-c fa n a riil-c Information Applikation ~ in^joNFiggelB k tana n lk Information Applikation H e f t 4 2 : IBISÜIKSSELSKlHOlflK 5 j BijlQiaXßX leiatimgsgchalttranaiatpp ¡teil 1 vab hnlbleiterwark Trankfurt /od«f> im v a b k o m b in a t m ik r t M la k t r o n ü c
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siemens BSM b2
Abstract: smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R
Text: Technische Angaben SIPMOS-Leistungstransistoren und Dioden SIPMOS-Leistungstransistoren Transistoren im Bereich 50 V . 1000 V, 1,5 A . 60 A und 18 mQ . 8 Q. P -K a n a l N-Kanal Produktpalette • • • • • N- und P-Kanal-Anreicherungstypen FREDFET
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B152-B6299-X-X-7400
siemens BSM b2
smd zener GD AX
transistor fp 1016 79 p
Siemens anwendungsbeispiele
siemens igbt BSM 25 gb 100 d
BTS412A
DIODE ZENER BZW 04
TRANSISTOR EN SMD TZ
N-Kanal FET
BTS542R
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siemens Transistoren
Abstract: induktive triac ansteuerung smd transistors SIPMOS application note BSS98 equivalent Siemens Halbleiter Bauelemente Siemens Halbleiter
Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS® Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.
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BT diode
Abstract: ECONOPACK mounting instructions bsm 25 gd 1200 n2 bsm 75 gd 120 n2 bsm 50 gd 120 n2 calculation of IGBT snubber siemens igbt BSM 200 GA 120 BSM15GD120DN2 diode bym 26 siemens igbt BSM 100
Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS 1 Übersicht IGBT-Module 1 O verview IG BT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V,
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