Scans-048
Abstract: technische Daten SFE 235 DSAGER00063
Text: Vorläufige technische Daten SFE 235 8ilizium*npa-Epifcaxie-Plaa.ar-!Dransisfcor im. hybridgerechten Miniaturplastgehäuse für den Einsatz als HF-Verstärker in Basisschaltung Grenzwerte, gültig für den Betriebstemperaturbereich llasimale Kollektor-Basis-Spannung
|
OCR Scan
|
PDF
|
IXI/18/39?
Scans-048
technische Daten SFE 235
DSAGER00063
|
technische Daten SFE 235
Abstract: Scans-048 sfe235 DSAGER00059
Text: WWT SFE 235 Vorläufige technische Daten Silizium-npn—Epitaxie-Pl anar-Transistor im hybridgerechten Minlaturplastgehau.se für den Einsatz als HF-Verstärker in Basisschaltung FOOA8BO Massei -<0,02 g Grenzwerte« gültig für den Betriebetemperatarbereich
|
OCR Scan
|
PDF
|
140/2/B1
technische Daten SFE 235
Scans-048
sfe235
DSAGER00059
|
BFT65
Abstract: D1279 Siemens 1414 D1275 germanium Germanium drift transistor diode a811 Siemens Halbleiter germanium transistor legiert
Text: Table of Contents Selection Guide Ordering Codes Inhaltsverzeichnis Typeniibersicht Bestellnummern Scope of Applications Technical Information Quality Specifications Einsatzhinweise Technische Angaben Qualitatsangaben Package Outlines Mounting Instructions
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
B083D
Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
Text: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
VEB mikroelektronik
Abstract: 4565 D A2005V KP303 KP303D U806D analoge schaltkreise a4100d A209K sf126d
Text: DATEN BUCH 0 /x *«» Der vorliegende T ite l ist ein w eite re r Band d er D aten buch-R eihe Uber die M ikroelektronik. B auelem ente Die A pplikationszentrum R eihe wird Elektronik des im Berlin VEB Kom binat A uftrag des und des VEB M ilitär verlages herausgegeben.
|
OCR Scan
|
PDF
|
|