OHM02257
Abstract: OHM02258 Q62702-P5038 2004.09.23 SFH9201-4 SFH 9201
Text: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH 9201 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter • Geringe Sättigungsspannung
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Fototransistor
Abstract: D 9202 9202 OHM02257 OHM02258 Q62702-P5009 Q62702-P5010 Q62702-P5039 Q62702P5039 SFH 9202
Text: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Reflective Interrupter in SMT Package SFH 9202 Wesentliche Merkmale • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender • Si-NPN-Fototransistor: Empfänger • Tageslichtsperrfilter • Kollektor-Emitter-Strom typ. 0.2 mA
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Fototransistor
Abstract: human MOTION DETECTOR ir sensor lichtschranke
Text: Reflexlichtschranke mit VCSEL-Sender Reflective Interrupter with VCSEL-Emitter SFH 9210 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Großer Arbeitsabstand 2-10mm • IR-GaAs-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)in Kombination mit einem
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2-10mm)
Fototransistor
human MOTION DETECTOR ir sensor
lichtschranke
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9202
Abstract: reflex OHM02257 OHM02258 SFH 9202
Text: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter • Geringe Sättigungsspannung
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GPLY0505
Abstract: OHLY0597 OHM02257 OHM02258 OHPY0030 Si-npn TRANSISTOR KATALOG
Text: Reflexlichtschranke mit VCSEL-Sender Reflective Interrupter with VCSEL-Emitter SFH 9210 Wesentliche Merkmale Features • Großer Arbeitsabstand 2-10mm • IR-GaAs-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor
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2-10mm)
GPLY0505
OHLY0597
OHM02257
OHM02258
OHPY0030
Si-npn
TRANSISTOR KATALOG
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IC 9102
Abstract: Fototransistor SFH 910 SFH 9102 Silicon NPN Phototransistor 9102 diode 9102
Text: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Light Reflection Switch in SMT Package SFH 9102 Vorläufige Daten Preliminary Data Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Reflexlichtschranke für 1 mm bis 5 mm
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en 60721-3-3
Abstract: OHM02257 CE-0700 fototransistor DIODE A112 A112-A GEO06840 OHM02258 CE0700 en iec 60721-3-3
Text: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Light Reflection Switch in SMT Package SFH 9202 Vorläufige Daten / Preliminary Data 4.2 3.8 2.1 1.7 0.15 0.13 0.0.1 6.2 5.8 3.4 3.0 0.5 0.3 6 5 4 1 2 3 1 Anode 2 - 3 Emitter 4 Collector 1.27 spacing GEO06840 5 - 6 Cathode
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GEO06840
OHO00786
OHO00496
OHO01326
en 60721-3-3
OHM02257
CE-0700
fototransistor
DIODE A112
A112-A
GEO06840
OHM02258
CE0700
en iec 60721-3-3
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Fototransistor
Abstract: Q65110A2705 9202 Q65110A2710 OHM02257 OHM02258 SFH 9202
Text: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter
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Motorola transistor smd marking codes
Abstract: SMD TRANSISTOR MARKING 5c SMD code smd TRANSISTOR code marking 2F toshiba smd marking code transistor TRANSISTOR SMD MARKING CODE 1P smd transistor 5c Diode SOT-23 marking 15d SMD TRANSISTOR MARKING 6B TRANSISTOR SMD MARKING CODE 1d
Text: Eugene Turuta 2 - pins SOT - 89 databook 3 - pins Acti ve Activ SMD components mar king codes marking Introduction SMD-codes for semiconductor components in 3-pins cases SMD-codes for semiconductor components in SOT-89 cases SMD-codes for semiconductor components in BGA and LPP cases
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OT-89
OT-223
C-120,
2001MD,
Motorola transistor smd marking codes
SMD TRANSISTOR MARKING 5c
SMD code
smd TRANSISTOR code marking 2F
toshiba smd marking code transistor
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 1P
smd transistor 5c
Diode SOT-23 marking 15d
SMD TRANSISTOR MARKING 6B
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 1d
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en 60721-3-3
Abstract: Si-npn OHM02257 OHM02258 Q62702-P5038 sfh9201 SFH 9201
Text: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Reflective Interrupter in SMT Package SFH 9201 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender Si-NPN-Fototransistor: Empfänger
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SFH 9202
Abstract: No abstract text available
Text: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Reflective Interrupter in SMT Package SFH 9202 Wesentliche Merkmale • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender • Si-NPN-Fototransistor: Empfänger • Tageslichtsperrfilter • Kollektor-Emitter-Strom typ. 0.2 mA
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SFH 9202
Abstract: No abstract text available
Text: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter
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Q65110A2712
Q65110A2705
Q65110A2710
Q65110A2709
Q65110A2711
SFH 9202
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SFH9206
Abstract: en 60721-3-3 SFH 9202
Text: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9202 Not for new design Replacement: SFH9206 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination
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SFH9206
Q65110A2712
Q65110A2705
Q65110A2710
Q65110A2709
Q65110A2711
SFH9206
en 60721-3-3
SFH 9202
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OHM02257
Abstract: OHM02258 Q65110A2710 Q65110A2705 92024 9202 Q65110A2712 SFH 9202
Text: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter
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UEI 20 SP 010
Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
Text: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"
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64-KBit-Sehreib--Iese-Speicher
086/11/B9
UEI 20 SP 010
Datenblattsammlung
u82720
mikroelektronik datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
UB8820M
"halbleiterwerk frankfurt"
UEI 15 SP 020
Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2
B4207D
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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B083D
Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
Text: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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6x10x12
Halbleiterbauelemente DDR
Dioden SY 250
diode sy-250
B250C135
u103d
GD244
transistor gc 301
SAM42
diode sy 166
D172C
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diode E1110
Abstract: lN4002 LN4003 ANA 618 20010 TDB 0123 km b3170 E1110 Diode UB8560D MAA723 moc 2030
Text: elektronik-bauelem ente I WT VD AVL 1 /8 7 Bl. 2 E r l ä u t e r u n g e n z u m I n h a l t und zu d e n A n g a b e n d e r B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e D ie B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e e n t h ä l t a l l e in d e r B i l a n z v e r a n t w o r t u n g d e s V E B K o m b i n a t
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK
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siemens EM 235
Abstract: sfh siemens 900-3 SFH900 Q62702-P935 sfh diode
Text: SIEMENS SFH 900 Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches P la s tic f la s h b e tw e e n _,1'9 jri?.! t ^ o d i k -I'll- 1. 0.8 2. •^ , , p oi i T - S » * 3. E m itt e r onode E m itt e r c a th o d e / d e te c to r e m it te r
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Text: 9 ¡M i n M W V S I I V I S N l l ¥ a Die vorliegenden Datenblätter dienen als Informationsmaterial für Geräteentwickler und Konstrukteure, Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in "den Listen elektronischer Baulemente eingestuften Sortiments.
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V4019
DDR-1035
Halbleiterbauelemente DDR
diode BZW 70-20
VEB mikroelektronik
Datenblattsammlung
mikroelektronik DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik datenblattsammlung
mikroelektronik applikation
information applikation mikroelektronik
"halbleiterwerk frankfurt"
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RPY 86
Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ
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