ecg semiconductors master replacement guide
Abstract: ecg master replacement guide mkl b32110 siemens mkp B32650 c945 p 331 ks transistor IC,MASTER master replacement guide Kennlinie KTY 10-6 siemens b32110 A2005 transistor
Text: Liebe Schuricht-Kunden, Ihre Zufriedenheit ist unser größtes Anliegen. Aus diesem Grunde versuchen wir, Ihnen Informationen und Ware stets zum richtigen Zeitpunkt verfügbar zu machen. Das gilt insbesondere auch für die Produkte der Siemens AG mit den drei
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Original
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 4580 SFH 4585 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-11-12 SFH 4580 SFH 4585 SIEMENS Wesentliche Merkmale
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SFH4580
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IR Emitters
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Si-Foto-Detektoren, IR-Lumineszenzdioden, Lichtschranken Si-Photodetectors, IR Emitters, Light Barriers Data Book 03.96
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Text: SIEMENS Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes Data Book 01.97 These technical data are also available on CD-ROM and at our www address: http://www.siemens.de/semiconductor
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Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Gute Linearität /e = /[/p ] bei hohen Strömen • Sehr hoher Wirkungsgrad
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fl235b05
0DS7717
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GE006367
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 . LD 269 Chip 2.54 mm spacing GE006367 Cathode LD 263 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features
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GE006367
80-Serie
LD260
GE006367
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH415 SFH 416 Cathode Approx. weight 0.2 g Area not flat Collector Transistor < o Approx. weight 0.4 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale
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SFH415
SFH416
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH415 SFH 416 Area not flat o Cathode Diode Collector (Transistor) CO (O (O o X 0) GEX06630 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale
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SFH415
GEX06630
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS LD 260 LD 262 . LD 269 feoQ6367 fez06365 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless W esentliche M erkm ale Features • • • • G aAs-IR-Lum ineszenzdiode, hergestellt im
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80-Serie
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Q62702-P1806
Abstract: 4580 4580 chip Phototransistor SFH
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 4580 SFH 4585 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.3 .2.05 ' 1.95 3.7 3.3 14.7 .13.1 Cathode E 05 II I GE006960 - A—• SFH 4580 evi "> 4.5 3.9 ' 7.7 Chip position 4.5
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GE006960
GE006961
SFH4580
OHRQ0696
Q62702-P1806
4580
4580 chip
Phototransistor SFH
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Text: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden in SMT-Gehäuse High-Speed GaAIAs Infrared Emitters in SMT Package SFH 423 SFH 427 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Sehr schnelle GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität le=/: f/F] bei hohen Strömen
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OHAX2295
fi23SbQS
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm GaAs Infrared Emitters (950 nm) SFH 4510 SFH 4515 Chip position 4.5 3.9 8.0 7.4 * P i . R 2 '05 r 1.95 15 .5 14.7 GE006969 SFH 4515 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GE006969
SFH4510
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat 9-0 Cathode Chip position Approx. weight 0.5 Area not fla t Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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SFH484
SFH485
m1000
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area o O) o CO o GE006314 2.7 Chip position 00.45 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401
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GE006314
GET06091
GET06013
OHR00881
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays 7.4 LD 260 LD 262 . LD 269 Chip in O CO (O o N GE006367 (O CO (O o o 0 Cathode (LD 263) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale
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GE006367
80-Serie
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Q1322
Abstract: Q1330 Q1324 3330-L Q1323 Q1318 LR3360
Text: -F4I-ZI SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF 47E D I ÖE35baS □□2t.72c] 1 Lumineszenzdioden ¡SIEG Light Emitting Diodes LEDs 3 mm 1 LEDs 3 mm dia Type Emissionsfarbe ^p e a k Emission color Gehausefarbe Case color nm LR 3360-DG L R 3360-F LR3360-G LR 3360—FJ 660
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E35baS
3360-DG
3360-F
LR3360-G
LS3360-J
3360-L
3360-KN
3360-HL
3360-J
3360-K
Q1322
Q1330
Q1324
3330-L
Q1323
Q1318
LR3360
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d 4515
Abstract: h 4515 4510 op 4510
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm G a A s Infrared Emitters (950 nm) Chip position 4.5 7.5 3.9 2.7 5.5 ,2.05 2.3 '1.95 SFH 4510 SFH 4515 (3.2) c\i c\i "(R2.8) oo m 3.7 3.3 . (3-2) 5.8 5.4 14.7 13.1 GE006968 SFH 4510 4.5 3.9 7.7 7.1 Cathode Chip position
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GE006968
GE006969
d 4515
h 4515
4510 op
4510
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TCA 785
Abstract: 7400 lm 7400 tca 785 application siemens hall application notes
Text: Hinweise für Ihre LiteraturBestellung How to order Literature Folgende Hinweise gelten nur für Bestel lungen innerhalb Deutschlands. The following only applies to orders pla ced in Germany. Richten Sie bitte Ihre Bestellung an Send your order to Siemens AG
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sicH6795-G1-X-7600
B112-H6738-G1-X-7600
B3-B3501
-X-X-7600
B3-B3529
B3-B3529-X-X-7600
B159-H6376
B159-H6376-X-X-7600
TCA 785
7400
lm 7400
tca 785 application
siemens hall application notes
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485AP
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) A p p ro x. A p p ro x. w e ig h t 0 .5 w e ig h t 0 .5 SFH 484 SFH 485 g g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkm ale
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wavelength of sfh484
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat ,-c # #*• 1 ^ C\J (O o GEX06271 Area not flat Cathode 5.9 5.5 W 0.6 *04 in o CO (O o X 0) GEX06305 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06271
GEX06305
OHR01891
SFH484
wavelength of sfh484
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TCA 785
Abstract: TCA 785 IC 7400 siemens tca-785 halbleiter schaltungen B143-H6824-G1-X-7600 TcA 785 A IC Semiconductor PRICE BOOK
Text: H inw eise für Ihre LiteraturBestellung How to order Literature Folgende Hinweise gelten nur für Bestel lungen innerhalb Deutschlands. The following only applies to orders pla Richten Sie bitte Ihre Bestellung an Send your order to Siemens AG ID - LZF - Semiconductor Book Shop
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unverbin795-G1
-X-7600
B112-H6738-G1
B3-B3501
-X-X-7600
B3-B3529
B3-B3529-X-X-7600
B159-H6376
TCA 785
TCA 785 IC
7400
siemens tca-785
halbleiter schaltungen
B143-H6824-G1-X-7600
TcA 785 A IC
Semiconductor PRICE BOOK
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sfh 517
Abstract: diodes 415
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 7.5 EL •r. E N, * u/ 4.8 Area not f l a t ' Chip p o s itio n ' A p pro x. w e ight 0.2 g Area not fla t 1.2 29 .5 _ 27.5 Chip position Cathode D iode C o llector (T ra n s is to r)
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415-T
416-R
415-U
sfh 517
diodes 415
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480 SFH 481 SFH 482 rC a th o d e (SFH 4 8 0 ) R adiant i1 Anode (SFH 216, SFH 231, Sensitive area Chip p osition (2 .7 ) I SFH 4 0 0 ) \y o . / ~i t4 y / 0 0 .4 5 I -1 (T 7
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TRANSISTOR si 6822
Abstract: LM 3140 si 6822 transistor transistor 6822 si transistors Si 6822 lm3140 SN-72500 transistors br 6822 Siemens technische transistor 6823
Text: Technische Erläuterungen SIEMENS Allgem eines O ptoelektronische Bauelem ente haben in der m odernen Elektronik und dam it in fast allen Bereichen unseres Lebens weiten Eingang gefunden. Sie sind in hohem Maße an dem Um stellungsprozeß von Mechanik auf Elektronik beteiligt und haben, aufgrund ihrer Funktion als
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