GEOY6061
Abstract: SFH5130
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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Original
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sfh5130
Abstract: No abstract text available
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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Original
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Q62702-P5160
Abstract: SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Original
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GEOY6028
Abstract: Q62702-P5160 SFH3410 SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm
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Original
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GEO06314
Abstract: Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Original
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Q62702-P936
GEO06314
GEO06314
Q62702-P936
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GEOY6314
Abstract: Fotodiode tci 571 Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Q62702-P936
GEOY6314
GEOY6314
Fotodiode
tci 571
Q62702-P936
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SFH 3410
Abstract: Radian SFH3410-2
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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Q65110A1211
Q65110A2653
Q65110A2654
Q65110A2655
720-SFH3410-2/3-Z
3410-2/3-Z
SFH 3410
Radian
SFH3410-2
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Fotodiode
Abstract: GEOY6314 Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Q62702-P936
Fotodiode
GEOY6314
Q62702-P936
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GEOY6446
Abstract: OHLY0598 npn phototransistor 560nm
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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GEO06028
Abstract: Q62702-P5160 phototransistor 550 nm SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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GEO06028
GEO06028
Q62702-P5160
phototransistor 550 nm
SFH 3410
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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GEO06314
GET06091
GET06013
OHRD1938
Q62702-P784
Q62702-P787
Q62702-P790
Q62702-P96
Q62702-P98
BPY 62
SFH 960
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Q62702P0097
Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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OHRD1938
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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BPX65
Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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ultraviolet sensor flame
Abstract: uv flame sensor UV diode foto sensor flame detector burner Fotodiode SFH 530-G ultraviolet detector GEOY6954 uv sensors
Text: Ultraviolet Selective Sensor SFH 530 Wesentliche Merkmale Features • Hohe UV-Empfindlichkeit • Speziell geeignet für Anwendungen bei 310 nm • Geringe Empfindlichkeit bei sichtbarem und IR-Licht • Eine Versorgungsspannung • Geringe Stromaufnahme
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530-Y/R/B/G
Q62702-P5079
GEOY6954
ultraviolet sensor flame
uv flame sensor
UV diode
foto sensor
flame detector burner
Fotodiode
SFH 530-G
ultraviolet detector
GEOY6954
uv sensors
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uv flame sensor
Abstract: foto sensor ultraviolet sensor flame flame detector Fotodiode uv sensors uv sensor UV diode FLAME SENSOR UV SFH 530-Y
Text: Ultraviolet Selective Sensor SFH 530 Wesentliche Merkmale • Hohe UV-Empfindlichkeit • Speziell geeignet für Anwendungen bei 310 nm • Geringe Empfindlichkeit bei sichtbarem und IR-Licht • Eine Versorgungsspannung • Geringe Stromaufnahme • Hermetisch dichte Metallbauform TO-39
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SFH 4750
Abstract: No abstract text available
Text: OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics 850nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4750 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • 3.5 W optische Leistung bei IF=1A Aktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm2
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Original
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850nm)
JESD22-A114-B
SFH 4750
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GEO06645
Abstract: Q62702-P955 Q62702-P956 SFH203
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 203 und bei 880 nm (SFH 203 FA)
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OHR00883
OHF01026
GEO06645
GEO06645
Q62702-P955
Q62702-P956
SFH203
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OHF04132
Abstract: JESD22-A114-B OSRAM SFH 4750 SFH 4750
Text: OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics 850nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4750 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • 3.5 W optische Leistung bei IF=1A Aktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm2
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850nm)
JESD22-A114-B
OHF04132
JESD22-A114-B
OSRAM SFH 4750
SFH 4750
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foto transistor
Abstract: SFH2030F D 2030 A 850 nm LED ta 2030 silicon PIN photodiode with daylight filter 2030 Q62702-P955 Q62702-P956 SFH2030
Text: SFH 2030 SFH 2030 F Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 2030 SFH 2030 F Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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850 nm LED
Abstract: SFH 250 equivalent REICH Q62702-P946 Q62702-P947 SFH203PFA IR photodiode 880 nm SFH203 SFH203p
Text: SFH 203 P SFH 203 PFA SFH 203 P SFH 203 PFA feof6644 feo06644 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features
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feof6644
feo06644
850 nm LED
SFH 250 equivalent
REICH
Q62702-P946
Q62702-P947
SFH203PFA
IR photodiode 880 nm
SFH203
SFH203p
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low dark Current SFH 263 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im
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SFH263
235LD5
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SFH203FA
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im
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OHF01036
SFH203FA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Siiizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 2030 SFH 2030 F 0.8 k Íb o ho-»j r< Cathode M ît-
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E35b05
35b05
GQ57bbO
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