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    SFH 325 Search Results

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    SFH 325 Price and Stock

    ams OSRAM Group SFH 325 FA-3-Z

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    ams OSRAM Group SFH 325 FA-3/4-Z

    SENSOR PHOTO 980NM SIDE VIEW SMD
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    ams OSRAM Group SFH 325 FA-Z

    SENSOR PHOTO 980NM SID VIEW PLCC
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    ams OSRAM Group SFH 325-Z

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    ams OSRAM Group SFH 325-3/4-Z

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    SFH 325 Datasheets (49)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Type PDF
    SFH 325 OSRAM NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED - Gehause Original PDF
    SFH325 OSRAM Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package Original PDF
    SFH325 Siemens Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED Package Original PDF
    SFH325 Siemens NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELEDa-Package Original PDF
    SFH325-3 Infineon Technologies Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED Package Original PDF
    SFH325-3 OSRAM Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED -Package Original PDF
    SFH325-3 OSRAM Silicon NPN Phototransistor Original PDF
    SFH325-3 Siemens NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELEDa-Package Original PDF
    SFH325-3--4 Infineon Technologies Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED Package Original PDF
    SFH 325-3/-4 OSRAM Phototransistor, Silicon NPN Phototransistor Original PDF
    SFH325-3/-4 OSRAM Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED -Package Original PDF
    SFH325-3/-4 OSRAM Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package Original PDF
    SFH325-3/4-Z OSRAM Optical Sensors - Phototransistors, Sensors, Transducers, PHOTOTRANS NPN SIDELED 2-PLCC Original PDF
    SFH 325-3/4-Z OSRAM Opto Semiconductors Sensors, Transducers - Optical Sensors - Phototransistors - PHOTOTRANS NPN SIDELED 2SMD Original PDF
    SFH325-3-Z OSRAM Optical Sensors - Phototransistors, Sensors, Transducers, PHOTOTRANSISTOR NPN 980NM 2PLCC Original PDF
    SFH 325-3-Z OSRAM Opto Semiconductors Sensors, Transducers - Optical Sensors - Phototransistors - PHOTOTRANSISTOR NPN 980NM 2PLCC Original PDF
    SFH325-4 Infineon Technologies Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED Package Original PDF
    SFH325-4 OSRAM Silicon NPN Phototransistor Original PDF
    SFH325-4 Siemens NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELEDa-Package Original PDF
    SFH325-4-Z OSRAM Optical Sensors - Phototransistors, Sensors, Transducers, PHOTOTRANSISTOR NPN 980NM 2PLCC Original PDF

    SFH 325 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Q62702-P1610

    Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603 Q62702-P3604 OHF01121
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei


    Original     		PDF

    Q62702-P1610

    Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603 Q62702-P3604 OHF01924
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei


    Original     		PDF

    Q62702-P3604

    Abstract: Q62702-P1610 Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei


    Original     		PDF

    SFH325FA

    Abstract: No abstract text available
    Text: 20013-01-16 Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehäuse Version 1.0 SFH 325, SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 nm . 1120 nm SFH 325 , 750 nm . 1120 nm


    Original     		PDF D-93055 SFH325FA

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehäuse Version 1.1 SFH 325, SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 nm . 1120 nm SFH 325 , 750 nm . 1120 nm


    Original     		PDF D-93055

    Q62702-P1610

    Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1615 Q62702-P1639 Q62702-P1724 Q62702-P3603 Q62702-P3604
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei


    Original     		PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich


    Original     		PDF

    foto transistor

    Abstract: Q62702-P1614 Q62702-P1610 Q62702-P1611 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 SFH325FA
    Text: SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA fplf6867 fpl06867 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale


    Original     		PDF fplf6867 fpl06867 IPCE/IPCE25o foto transistor Q62702-P1614 Q62702-P1610 Q62702-P1611 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 SFH325FA

    Q65110A2487

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich


    Original     		PDF

    FA 600

    Abstract: phototransistor 600 nm SFH 110
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich


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    GPL06724

    Abstract: GPL06880 Q62702-P5165 Q62702-P978
    Text: Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit


    Original     		PDF

    Q62702-P0330

    Abstract: No abstract text available
    Text: SFH 420 SFH 425 fpl06724 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 TOPLED fpl06867 SFH 425 SIDELED Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale


    Original     		PDF fpl06724 fpl06867 Q62702-P0330

    GPLY6724

    Abstract: GPLY6880 Q62702-P5165 Q62702-P978
    Text: Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit


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    SFH 7770

    Abstract: SFH 7770 E6
    Text: SFH 7770 E6 Ambient Light and Proximity Sensor 1 Abstract This application note describes technical details and provides some application guidelines for the combined ambient light and proximity sensor SFH 7770 E6. Compared to its predecessors SFH 7770 E4 and E5 , the SFH 7770 E6 features a


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    GPLY6724

    Abstract: GPLY6880 Q62702-P1055
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    Q65110A2463

    Abstract: SFH4243 Q65110-A2463
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Not for new design Replacement: SFH4243 (for SFH420) / SFH4244 (for SFH425) Wesentliche Merkmale


    Original     		PDF SFH4243 SFH420) SFH4244 SFH425) Q65110A2463 SFH4243 Q65110-A2463

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Not for new design Replacement: SFH4253 (for SFH421) / SFH4256 (for SFH426) Wesentliche Merkmale


    Original     		PDF SFH4253 SFH421) SFH4256 SFH426)

    Q65110A2512

    Abstract: SFH4253 SFH4256
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Not for new design Replacement: SFH4253 (for SFH421) / SFH4256 (for SFH426) Wesentliche Merkmale


    Original     		PDF SFH4253 SFH421) SFH4256 SFH426) Q65110A2512 SFH4253 SFH4256

    opto 421

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


    Original     		PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


    Original     		PDF

    GPL06724

    Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    Q62702-P0330

    Abstract: GPLY6724 GPLY6880 Q62702-P1690
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    SIEMENS Phototransistors BPY

    Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
    Text: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA


    OCR Scan     		PDF 300/FA 313/FA 314/FA 309/FA 310/FA 309P/PFA 303/FA 203/FA 213/FA 214/FA SIEMENS Phototransistors BPY 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10