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a1044 Abstract: A1044-1 A10441 Text: SCH2311 Ordering number : ENA1044 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2311 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	SCH2311 ENA1044 PW10s, 900mm20 A1044-4/4 a1044 A1044-1 A10441
it1327 Abstract: A1044 A1044-1 A10441 Text: SCH2311 注文コード No. N A 1 0 4 4 三洋半導体データシート N SCH2311 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・4V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	SCH2311 900mm2 --30V --120mA IT10873 900mm2 IT13272 it1327 A1044 A1044-1 A10441

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a1044

Abstract: A1044-1 A10441
Text: SCH2311 Ordering number : ENA1044 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2311 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

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SCH2311 ENA1044 PW10s, 900mm20 A1044-4/4 a1044 A1044-1 A10441

it1327

Abstract: A1044 A1044-1 A10441
Text: SCH2311 注文コード No. N A 1 0 4 4 三洋半導体データシート N SCH2311 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・4V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

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SCH2311 900mm2 --30V --120mA IT10873 900mm2 IT13272 it1327 A1044 A1044-1 A10441