SBS007M
Abstract: No abstract text available
Text: SBS007M SPICE PARAMETER DIODE model : DIODE Parameter Value IS 1.04E-05 BV 20.0 ISR 5.80E-06 VJ 0.54 TT 1.00E-09 TRS 3.60E-03 Temp = 27 deg Date : 2003/10/7 Parameter N IBV NR M EG Value 1.04 1.00E-03 1.20 0.52 0.54 Parameter RS CJO FC XTI Value 0.156 8.70E-11
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Original
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SBS007M
04E-05
80E-06
00E-09
60E-03
00E-03
70E-11
SBS007M
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ic 74243
Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
Text: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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ENN7424
MCH5815
MCH5815]
MCH3317)
SBS007M)
ic 74243
MCH3317
MCH5815
SBS007M
TA-3841
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SBS007M
Abstract: 69082
Text: 注文コード No. N 6 9 0 8 SBS007M No. N6908 21001 新 SBS007M ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい
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Original
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SBS007M
N6908
100mA,
600mm2
Duty10%
IT02954
IT02953
IT02955
IT02956
SBS007M
69082
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MCH3405
Abstract: MCH5801 SBS007M TA3100
Text: Ordering number : ENN6941 MCH5801 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5801 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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ENN6941
MCH5801
MCH3405)
SBS007M)
MCH5801]
MCH3405
MCH5801
SBS007M
TA3100
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7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
Text: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
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Original
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ENN7447
CPH5818
MCH3339)
SBS007M)
CPH5818]
7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
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MCH5818
Abstract: MCH3339 SBS007M
Text: MCH5818 注文コード No. N 7 7 5 4 三洋半導体データシート N MCH5818 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SBS007M)を 1 パッケージに
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Original
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MCH5818
MCH3339)
SBS007M)
900mm2
TA-3839
--10V
IT05619
900mm2
MCH5818
MCH3339
SBS007M
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SBS007M
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6908 SBS007M Schottky Barrier Diode SBS007M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 [SBS007M] 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)
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Original
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ENN6908
SBS007M
SBS007M]
SBS007M
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MCH3339
Abstract: MCH5818 SBS007M
Text: MCH5818 Ordering number : ENN7754 MCH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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MCH5818
ENN7754
MCH3339)
SBS007M)
MCH3339
MCH5818
SBS007M
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7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
Text: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
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Original
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ENN7447
CPH5818
MCH3339)
SBS007M)
CPH5818]
7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
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MCH3408
Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104 IT03105
Text: Ordering number : ENN6942 MCH5804 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3408 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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ENN6942
MCH5804
MCH3408)
SBS007M)
MCH5804]
MCH3408
MCH5804
SBS007M
IT03104
IT03105
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M
Text: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN7381
CPH5815
CPH5815]
MCH3317)
SBS007M)
CPH5815
MCH3317
SBS007M
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M N2603
Text: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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PDF
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CPH5815
MCH3317
SBS007M
600mm2
IT02912
IT02914
IT02915
IT00636
CPH5815
MCH3317
SBS007M
N2603
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74243
Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
Text: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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PDF
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MCH5815
MCH3317
SBS007M
900mm2
IT02912
IT02914
IT02915
ID00338
74243
74241
MCH3317
MCH5815
SBS007M
TA-3841
74242
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SBE001
Abstract: SB20015M SS2003M SS3003CH ec2d02b SB007-W03C SB10015M SBS004M ss200 SS10015M
Text: Schottky Barrier Diodes Shortform Table Surfacemount Type Package Series CONTENTS •Packages ■Quick selection guide ■Recommendation circuit diagram ■Lineup according to packages ・ECSP1006-2 ・ECSP1008-2 ・ECSP1608-4 ・SSFP ・SCH6 ・SMCP ・MCP
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Original
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ECSP1006-2
ECSP1008-2
ECSP1608-4
SB30W03T
SB40W03T
SB10W05T
SB25W05T
SBE001
SB20015M
SS2003M
SS3003CH
ec2d02b
SB007-W03C
SB10015M
SBS004M
ss200
SS10015M
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TA-3843
Abstract: SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447
Text: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5818
N7447
MCH3339
SBS007M
600mm2
IT02953
IT05891
IT02955
IT02956
TA-3843
SBS007M
CPH5818
MCH3339
N7447
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TA-3843
Abstract: MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384
Text: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 No. N 7 4 4 7 A 91003 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5818
N7447
MCH3339
SBS007M
600mm2
IT02953
IT05891
IT02955
IT02956
TA-3843
MOSFET MCH33
N7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
TA384
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TA3100
Abstract: MCH3405 MCH5801 SBS007M N6941
Text: 注文コード No. N 6 9 4 1 MCH5801 No. N6941 62501 新 MCH5801 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405）とショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5801
N6941
MCH3405
SBS007M
900mm2
IT02912
IT02914
IT02915
TA3100
MCH3405
MCH5801
SBS007M
N6941
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MCH3408
Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104
Text: 注文コード No. N 6 9 4 2 MCH5804 No. N 6 9 4 2 52101 新 MCH5804 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5804
MCH3408
SBS007M
600mm2
IT02953
IT03107
IT02955
IT02956
MCH3408
MCH5804
SBS007M
IT03104
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SBS007M
Abstract: marking DIODE 2U 04 marking SB
Text: Ordering number : ENN6908 Schottky Barrier Diode SBS007M ISAttYOl 15V, 1A Rectifier Package Dimensions unit : mm 130 5 Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . [S B S 007M ] Features • Low forward voltage (If =0.3A , V f m ax=0.4V)
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ENN6908
SBS007M
sbs007m]
SBS007M
marking DIODE 2U 04
marking SB
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