Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BAR 65-03W Silicon RF Switching Diode Preliminary data • Low loss, low capacitance PIN-diode • Band switch for TV-tuners • Series diode for mobile communications transmit-receive switch Type Marking Ordering Code BAR 65-03WM/blue Q62702Q62702-A1047 Pin Configuration
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Original
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5-03W
65-03WM/blue
Q62702Q62702-A1047
OD-323
Mar-04-1996
100MHz
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transistor A1046
Abstract: A1046 k a1046 a1046 transistor 68-03W
Text: BAT 68-03W Silicon Schottky Diode Preliminary data • For mixer applications in the VHF/UHF range • For high speed switching Type Marking Ordering Code BAT 68-03W K Q62702Q62702-A1046 Pin Configuration Package 1=A SOD-323 2=K Maximum Ratings Parameter Symbol
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Original
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8-03W
8-03W
Q62702Q62702-A1046
OD-323
Mar-04-1996
10kHz
transistor A1046
A1046
k a1046
a1046 transistor
68-03W
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A1145 transistor
Abstract: marking bbs
Text: BAR 81 Silicon RF Switching Diode Preliminary data • Design for use in shunt configuration • High shunt signal isolation • Low shunt insertion loss Type Marking Ordering Code Pin Configuration BAR 81 BBs 1=C Q62702Q62702-A1145 2=A 3=C Package 4=A MW-4
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Original
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Q62702Q62702-A1145
Feb-26-1996
A1145 transistor
marking bbs
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A1104
Abstract: sod323 diode marking code AC
Text: BAT 15-03W Silicon Schottky Diode • DBS mixer applications to 12 GHz • Low noise figure • Low barrier type ESD: ElectroStatic Discharge sensitive device, observe handling precautions! Type Marking Ordering Code BAT 15-03W P/white Q62702Q62702-A1104 Pin Configuration
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Original
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5-03W
5-03W
Q62702Q62702-A1104
OD-323
Mar-19-1996
A1104
sod323 diode marking code AC
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A676-P2R1-1
Abstract: No abstract text available
Text: Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LS A676, LA A676, LO A676, LY A676 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: Abstrahlung parallel zur Platine, deshalb ideal zur Einkopplung in Lichtleiter • Wellenlänge: 633 nm super-rot ,
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Original
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2000/Rolle,
A676-P2R1-1
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opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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OHR01461
GET06625
opto 7800
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
current sensor 7800
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Q62703-Q4999
Abstract: LWA67C-T1U2-3C5D Q62703-Q5030 A679-E1F1 A672-M2 A679-E2F2-1 LA M776-P2Q2-1 A679-F1G2-1 Q62703Q5072
Text: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES SMT-LED SMT-LED Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. [nm] Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of light emitting area Mini TOPLED RG (Reverse Gullwing) through-hole ΦV [mlm] IF 2ϕ (typ.) Bestellnummer
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Original
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M470-J2K2-1
M470-K2M1-1
M47K-G1H1-1
M47K-H1J2-1
Q62703-Q6023
Q62703-Q6166
M770-H2J2-1
M770-J2L1-1
M770-H2J2-24
M770B
Q62703-Q4999
LWA67C-T1U2-3C5D
Q62703-Q5030
A679-E1F1
A672-M2
A679-E2F2-1
LA M776-P2Q2-1
A679-F1G2-1
Q62703Q5072
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Q62703-Q6202
Abstract: Q62703-Q6206 L896-Q1R2-24 Q62703-Q6164
Text: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES SMT-LED SMT-LED Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. [nm] SmartLEDTM Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of light emitting area ΦV [mlm] IV [mcd] at IF 2ϕ (typ.) Bestellnummer (50% IV) Ordering code
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Original
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L89K-G1H1-1
L89K-H1J2-1
L89K-H2J2-24
L89K-J2L1-24
L89K-G2H2-26
L89K-H2K1-26
L896-M1N1-1
L896-N1P2-1
L896-P1Q1-1
L896-Q1R2-1
Q62703-Q6202
Q62703-Q6206
L896-Q1R2-24
Q62703-Q6164
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Q62703Q5075
Abstract: No abstract text available
Text: Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LS A676, LA A676, LO A676, LY A676 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: Abstrahlung parallel zur Platine, deshalb ideal zur Einkopplung in Lichtleiter • Wellenlänge: 633 nm super-rot ,
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Original
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2000/Rolle,
Q62703Q5075
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E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GET06625
fet06625
OHR01461
OHR01457
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
sfh4641
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tda 6109
Abstract: V23100-V7228-F110 B32650 V23100-V7213-F104 V23100-W1224-A104 V23082-A1005-A401 V23108-A1003-B101 V23104-A1003-B101 V23100-V7228-F104 B32110-F
Text: Katalognummern-Referenz: SCHURICHT-Nummern ⇔ SIEMENS-Nummern Da im Katalog aus drucktechnischen Gründen die Siemensnummern oft nicht zusammenhängend – sondern in Produktgruppen- und Einzelexemplar-Teil aufgetrennt – dargestellt sind, finden Sie hier in einer großen Tabelle für jedes Bauteil die SCHURICHT- und die SIEMENS-Nummern
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B57236S509M"
Q67000A8118
Q67000A8183
Q67000A9094
Q670008237
Q67000A9108
Q67000A9062
Q67000A8187
Q67000A9003
Q67000A9059
tda 6109
V23100-V7228-F110
B32650
V23100-V7213-F104
V23100-W1224-A104
V23082-A1005-A401
V23108-A1003-B101
V23104-A1003-B101
V23100-V7228-F104
B32110-F
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Q62901-B65
Abstract: Q62902-B156-F222 Q62902-B152-F222 A671 transistor Datasheet diode BZW 70-20 LW T67C-S2U1-35 Q62703-Q6351 LM776 din standard 5480 Q62703-P4699
Text: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES 58 Wavelength λdomtyp. 645 nm 633 nm 628 nm 617 nm 606 nm 590 nm 587 nm 570 nm 560 nm 528 nm 505 nm 470 nm 465 nm Viewing Angle (typ.) 30 … 70 degrees 40 … 80 degrees > 80 degrees > 80 degrees > 80 degrees Die Technology
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HOP2000)
Q62902-B154-F222
Q62902-B141-F222
GEXY6720
Q62901-B65
Q62902-B156-F222
Q62902-B152-F222
A671 transistor
Datasheet diode BZW 70-20
LW T67C-S2U1-35
Q62703-Q6351
LM776
din standard 5480
Q62703-P4699
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit
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Q62902-B152-F222
Abstract: Q62902-B156-F222 Q62901-B65 Q62902-B155 a5954 lsp 5502 Q62902-B153-F222 LED LR 3330 Q62901-B62 Q62703-Q2376
Text: Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes SMT-LED SMT-LEDs Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. [nm] Farbe der Lichtaustrittsfläche IV Color of light [mcd] emitting area TOPLED LH T674-KM LH T674-L LH T674-M LH T674-LN LS T670-HK LS T670-J
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T674-KM
T674-L
T674-M
T674-LN
T670-HK
T670-J
T670-K
T670-L
T670-JM
Q62902-B152-F222
Q62902-B156-F222
Q62901-B65
Q62902-B155
a5954
lsp 5502
Q62902-B153-F222
LED LR 3330
Q62901-B62
Q62703-Q2376
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Q62902-B152-F222
Abstract: Q62902-B155 Q62902-B141 LM776 3360D Q62703P5269 Q62902-B152 Q62703Q5109 Q62703-Q5083 T676-P1Q1-1
Text: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES LUMINESZENZDIODEN LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES LIGHT EMITTING DIODES Taping of LEDs SMT LED type designation system Gurtung von Lumineszenzdioden All SMT LEDs are available in 8 mm resp. 12 mm tapes. SMT-LED-Typenbezeichnungsschema
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Original
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12-mm
Q62902-B141-F222
GPXY6739
Q62902-B155-F222
GPXY6738
Q62902-B152-F222
Q62902-B155
Q62902-B141
LM776
3360D
Q62703P5269
Q62902-B152
Q62703Q5109
Q62703-Q5083
T676-P1Q1-1
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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7800 opto
Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAIAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IRAnteil
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Sam1998-07-15
SFH464
OHR01457
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FP 310
Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
Text: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26
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6N135
6N136
6N138
6N139
BPW21
H62702-P3051
Q62702-P3009
Q62702-P3057
Q62702-P3058
Q62702-P3054
FP 310
Q62902-B155-F222
Siemens LS 3369-fh
irl 3034
SCF 5784
KTY 11-5
KTY 20-5
KTY 14-6
Q68000-A7820
LG 57A
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IAO5 Sharp
Abstract: free transistor equivalent book 2sc siemens transistor asy 27 Diode BAY 61 TRANSISTOR BJ 131-6 tesla typ 202 thyristor Tesla z1072 HALL EFFECT 21E z1071
Text: SIEM EN S Semiconductor Manual Discrete Industrial Types 1974 ACY 23, ACY 32 PNP Transistors for AF pre-stages The ACY 23 and ACY 32 are alloyed germanium PNP transistors in the case 1 A 3 DIN 41871 sim. TO -1 . The leads are electrically insulated from the case. The
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Q60103-
thS10
to3530
to4600
to4600
IAO5 Sharp
free transistor equivalent book 2sc
siemens transistor asy 27
Diode BAY 61
TRANSISTOR BJ 131-6
tesla typ 202 thyristor
Tesla
z1072
HALL EFFECT 21E
z1071
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem
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0HR01457
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Q62703-Q1746
Abstract: q62703q1381
Text: L u m in e s z e n z d io d e n L ig h t E m it t in g D io d e s R a d ia l e L E D R a d ia l L E D Package Type Emissionsfarbe Emission color Adorn typ. Gehäusefarbe Emission Color at <J>., [mlm] Iv [mcd] [nm] 2<p (typ.) Bestellnummer (50% lv) Ordering code
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CP140
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem
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KTY 88
Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
Text: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code
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Q60215-Y111-S5
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q60215-Y63-S1
Q60215-Y65
Q60215-Y66
Q60215-Y67
Q62607-S60
KTY 88
KTY 20-6
Q62902-B152-F222
Q62902-B156-F222
Q62703-N0191
Q62902-B155
Q62702-P1088
Q62702P946
Q62703-N209
Q62902-B155-F222
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