GEXY6308
Abstract: Q62703-Q517
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 P Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GEX06308
Abstract: Q62703-Q517
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) 2.0 1.7 1.8 1.2 3.5 Chip position 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 29 27 4.5 4.0 Cathode 0.6 0.4 GEX06308 fex06308 2.54 mm spacing 3.1 2.5 0.7 0.8 0.4 0.4 Area not flat 0.6 0.4 SFH 487 P Approx. weight 0.3 g
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Original
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GEX06308
fex06308
OHR00880
OHR00886
OHR00949
GEX06308
Q62703-Q517
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GEX06308
Abstract: OHLY0598
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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Original
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PDF
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GEX06308
Abstract: OHLY0598
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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Original
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OPTOKOPPLER
Abstract: OHR00886
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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Original
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PDF
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Q62703Q0517
720-SFH487P
OPTOKOPPLER
OHR00886
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 P Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309
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Original
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GEXY6308
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optokoppler
Abstract: GEX06308 Q62703-Q517
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 P Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309
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Original
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OHR01894
GEX06308
optokoppler
GEX06308
Q62703-Q517
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IEC 62471 osram
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors
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Original
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D-93055
IEC 62471 osram
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 P 4.0 " l 3.6 p -& Ï0.4 Cathode G EX06308 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
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EX06308
OHR01894
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