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    GETY6090

    Abstract: SFH400
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF

    opto 7800

    Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF OHR01461 GET06625 opto 7800 E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800

    GPLY6724

    Abstract: J-STD-020A
    Text: Rote Lumineszenzdiode Red Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4273 Wesentliche Merkmale Features • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse • Typische Emissionswellenlänge 660nm • Verbesserte Abbildungseigenschaften durch Absorption der Seitenstrahlung


    Original
    PDF 660nm J-STD-020A GPLY6724 J-STD-020A

    GMO06983

    Abstract: Q62702-P5053 marking code diode 04 to-18
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Chip position 1 0.9 .1 (2.7) 4.05 3.45 Flat glass cap ø2.54 5.5 5.2 fmo06983 Cathode 1.1 .9 ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing ø0.45 14.5 12.5 GMO06983 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    PDF fmo06983 GMO06983 OHR01872 OHR00391 OHR00389 GMO06983 Q62702-P5053 marking code diode 04 to-18

    GET06090

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse


    Original
    PDF OHR01888 GET06090 GET06090

    GMO06983

    Abstract: Q62702-P5053
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF OHR00389 GMO06983 GMO06983 Q62702-P5053

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Rote Lumineszenzdiode Red Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4273 Wesentliche Merkmale Features • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse • Typische Emissionswellenlänge 660nm • Verbesserte Abbildungseigenschaften durch Absorption der Seitenstrahlung


    Original
    PDF 660nm J-STD-020A

    E7800

    Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
    Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    PDF GET06625 fet06625 OHR01461 OHR01457 E7800 GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF OHR00389 GMOY6983

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF Q62702P5053

    BPX osram

    Abstract: E7800
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit


    Original
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    GPLY6724

    Abstract: No abstract text available
    Text: Rote Lumineszenzdiode Red Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4273 Wesentliche Merkmale Features • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse • Typische Emissionswellenlänge 660nm • Verbesserte Abbildungseigenschaften durch Absorption der Seitenstrahlung


    Original
    PDF 660nm J-STD-020C GPLY6724

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil


    Original
    PDF E7800 D-93055

    7800 opto

    Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden


    Original
    PDF E7800 Q62702Q1745 103ou

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2008-08-11 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.0 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil


    Original
    PDF E7800 D-93055

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2007-12-07 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.0 SFH 4860 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • High reliability • Matches all Si-Photodetectors


    Original
    PDF D-93055

    GMO06983

    Abstract: OHLY0598
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF

    GMOY6983

    Abstract: Q62702-P5053
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 4860 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • High reliability • Matches all Si-Photodetectors


    Original
    PDF D-93055

    Q62702P1745

    Abstract: E7800 GETY6625 OHLY0598
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse


    Original
    PDF OHR01888 GETY6090

    GMO06983

    Abstract: OHLY0598
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


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    E7800

    Abstract: GETY6625 OHLY0598
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden


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