OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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transistor 415
Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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GEOY6645
GEXY6630
transistor 415
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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GEO06645
Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode
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Original
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fexf6626
GEO06645
fex06630
GEX06630
OHR01553
OHR00860
GEO06645
GEX06630
OHRD1938
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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415-U
416-R
Q62702-P296
Q62702-P1137
Q62702-P1139
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transistor 415
Abstract: GEO06645 GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 transistor sr 61
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat 0.6 0.4 fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54mm 1.8 1.2 9.0 8.2 GEO06645 Chip position Approx. weight 0.2 g 5.9 5.5 0.6 0.4 4.0
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fexf6626
GEO06645
GEX06630
fex06630
OHR01553
OHR00860
transistor 415
GEO06645
GEX06630
OHRD1938
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
transistor sr 61
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transistor 415
Abstract: MARKING 416 OPTO OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 SFH 960
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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stea01-01
GEO06645
GEX06630
transistor 415
MARKING 416 OPTO
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
SFH 960
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