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    OHR00881 Search Results

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    SFH485P

    Abstract: OHLPY985
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    PDF Q62703Q0516 720-SFH485P SFH485P OHLPY985

    4580

    Abstract: opto 2505 SFH4585 fotodiod
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4580 SFH 4585 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad


    Original
    PDF 720-SFH4580 720-SFH4585-Z 4585-Z 4580 opto 2505 SFH4585 fotodiod

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF Q62703Q0516

    GPL06899

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 4281 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ιe = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich


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    GEXY6308

    Abstract: Q62703-Q517
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 P Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    GEOY6956

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen


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    GEX06626

    Abstract: Q62703-Q1094
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar


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    PDF OHR01733 GEX06626 GEX06626 Q62703-Q1094

    Q62702-P1819

    Abstract: 0083CA
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszensdiode 880 nm und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung


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    PDF GPLY6965 Q62702-P1819 0083CA

    GEXY6306

    Abstract: OHLY0598
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4289 This data sheet is under PCN-revision (OS-PCN-2010-033-A). Not to be used for design-in. Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • •


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    PDF OS-PCN-2010-033-A)

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an


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    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4080 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 880 nm


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    Q62702-P0331

    Abstract: opto 421 Q62702-P1055 GPL06724 GPL06880
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    fototransistor led

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7221 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung


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    fototransistor led

    Abstract: GPL06965
    Text: SMT Multi TOPLED SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 0.9 0.7 3 C A E 0.1 typ 1.1 0.5 3.4 3.0 C 3.7 3.3 2 2.4 0.8 0.6 2.1 1.7 1 4 0.18 0.12 Package marking 0.6 0.4 GPL06965 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    PDF GPL06965 IPCE/IPCE25o OHF00871 OHF01530 OHF00312 fototransistor led GPL06965

    OS-PCN-2010-033-A

    Abstract: marking "SR"
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4289 This data sheet is under PCN-revision (see separate data sheet with respect to "OS-PCN-2010-033-A"). Do not use this version for design-in. Wesentliche Merkmale


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    PDF OS-PCN-2010-033-A" OS-PCN-2010-033-A marking "SR"

    JEDEC J-STD-020B

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm und grüne GaP-LED (565 nm) GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and green GaP-LED (565 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7222 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und grünem Sender (565 nm)


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4680 SFH 4685 SFH 4680 SFH 4685 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • AlGaAs-LED mit typischer Emissionswellenlänge 880 nm


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4080 Nicht für Neuentwicklungen im Automobilbereich / not for new designs in automotive applications Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm


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    osram ir ld 274

    Abstract: E9548 Q65110A1434
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad


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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    PDF Q62703Q0516

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4580 SFH 4585 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad


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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4580 SFH 4585 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad


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    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4080 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 880 nm


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