Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-07-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 3401 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Smart DIL • High linearity • Available only on tape and reel • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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Original
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D-93055
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Q62702-P5200
Abstract: Q62702-P5014
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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PDF
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OHF00309
OHF00334
GEO06973
Q62702-P5200
Q62702-P5014
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Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200 fototransistor
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar
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Original
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PDF
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Q65110A2635
Q65110A2644
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für
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Original
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foto transistor
Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06973 Q62702-P5014
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 0.1 0.0 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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PDF
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GEO06973
phas33
OHF00309
OHF00334
foto transistor
phototransistor 500-600 nm
GEO06973
Q62702-P5014
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GEO06973
Abstract: Q62702-P5014
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GEO06973
suitabl33
OHF00309
OHF00334
GEO06973
Q62702-P5014
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar
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950nm
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Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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OHF00334
GEOY6973
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