BTS560P
Abstract: mercedes SPT170 BCD Schalter BTS660P TO263 POWER SUPPLY BTS SIEMENS siemens automotive relay dc 12v to218 BTS640S2 SPT75
Text: 18. Tagung ‘Elektronik im Kraftfahrzeug’ 16./17. Juni 1998, München Halbleiter-Technologien und Schalter für das neue Kfz-Bordnetz Halbleiter-Technologien und Schalter für neue Kfz-Bordnetze Dr. Alfons Graf, Siemens AG, HL PS TM, 81617 München, Tel. 089/636-22805
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2V/14V,
32-bit
de/semiconductor/products/36/3673
HDT98D
BTS560P
mercedes
SPT170
BCD Schalter
BTS660P TO263
POWER SUPPLY BTS SIEMENS
siemens automotive relay dc 12v
to218
BTS640S2
SPT75
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Vossloh-Schwabe luga c
Abstract: visio
Text: LED-Produktprogramm 2013 LED Product Range 2013 Raum schaffen für neue Ideen Kundenspezifische Projekte, LED-Module und LED-Treiber, OLEDs Cree XLamps , Nichia LEDs LED-Selektion, LED-Bearbeitung, Gegurtete LEDs LEDs und Displays LED-Konfektionierung Backlights
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siemens V23018
Abstract: V23020 V23015 V23100-V7213-F110 V23150 V23021 V23018 relais datenbuch siemens V23015-A0118-B001 T91S1D22-12
Text: Relais Datenbuch 1992 3 Seit Herausgabe der letzten Auflage des Relais-Datenbuchs wurde ein Teil des Spektrums modifiziert sowie das Vertriebsprogramm um eine Reihe neuer Typen erweitert, für die bisher nur technische Einzelinformationen vorlagen und die nunmehr in die neue Ausgabe aufgenommen
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V23049-B1007-A322
siemens V23018
V23020
V23015
V23100-V7213-F110
V23150
V23021
V23018
relais datenbuch siemens
V23015-A0118-B001
T91S1D22-12
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 0398-00-JWT GB dt S.040-047 11.07.2000 18:20 Uhr Seite 42 Der rapide technologische Wandel, immer neue Anwendungen und der große Kapitalbedarf für Innovation und Produktion sind große Herausforderungen für einen Chiphersteller. Durch strategische Allianzen und Kooperationen mit anderen
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0398-00-JWT
256-Mbit
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300 volt 5 ampere mosfet
Abstract: BEI Technologies Infineon CoolMOS SPP04N60C2 SPP07N60C2 SPP11N60C2 SPP11N60S5 SPP20N60C2 mikroelektronik applikation
Text: Verdoppelung der Schaltnetzteilen Ausgangsleistung von Die neue Generation CoolMOS C2 und ihre Performance Der Markt der getakteten Stromversorgungen und elektronischer Lampenvorschaltgeräte nimmt rasant zu. Immer höhere Wirkungsgrade und immer kompaktere Aufbauten sind gefragt wie nie zuvor. Verzicht auf Kühlkörper und der Trend hin zu immer höheren Taktfrequenzen zur Reduzierung passiver
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Denso L 918
Abstract: Denso L 918 8 grundig sc 303 ECI T DAX kostal DER-256 EUPEC T 558 F GPS chip herr der ringe SCHNEIDER PLC
Text: Bericht über die Geschäftsentwicklung bis März 2000. Umschlag 11.07.2000 18:11 Uhr Seite U1 INFINEON TECHNOLOGIES AG Postfach 80 09 49 81609 München Kontakt für Anleger und Analysten Abteilung Investor Relations Telefon 0 89 - 23 42 66 55 Telefax 0 89 - 2 34 71 84 84
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B191-H7561
0398-00-JWT
Denso L 918
Denso L 918 8
grundig sc 303
ECI T DAX
kostal
DER-256
EUPEC T 558 F
GPS chip
herr der ringe
SCHNEIDER PLC
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Hauptübersicht | Index Main Overview | Index Technik/Technic Technische Daten der "LED-Technologie" Technical Data of "LED-Technology" Allgemeines zur Leuchtdiodentechnologie Leuchtdioden sind lichtemittierende, opto elektronische Halbleiter-Bauelemente, die
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siemens rohren
Abstract: siemens im 365 halbleiterwerk 36350
Text: Gefahr erkannt – Gefahr gebannt: Gefahrstoffe in Bauelementen Bei der Herstellung von Bauelementen ist der Einsatz von Gefahrstoffen häufig nicht zu umgehen. Sofern einzelne Bestandteile des Produkts aus Stoffen bestehen, die Mensch oder Umwelt gefährden können, ist eine klare Anwenderinformation unerläßlich.
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Vishay Intertechnology, Inc. AND TEC O L OGY INNOVAT I N HN O 19 62-2012 Firmenprofil BUILD VISHAY www.vishay.com into your DESIGN Diversifizierter Hersteller von elektronischen Bauteilen Vishay Intertechnology wurde 1962 von Dr. Felix Zandman mit finanzieller Unterstützung durch Alfred P. Slaner gegründet. Die
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VMN-MS6751-1210
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36350
Abstract: halbleiterwerk
Text: Gefahr erkannt – Gefahr gebannt: Gefahrstoffe in Bauelementen Bei der Herstellung von Bauelementen ist der Einsatz von Gefahrstoffen häufig nicht zu umgehen. Sofern einzelne Bestandteile des Produkts aus Stoffen bestehen, die Mensch oder Umwelt gefährden können, ist eine klare Anwenderinformation unerläßlich.
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ZU 107
Abstract: 10BaseS visteon zu107
Text: high-tech vom feinsten High-Tech vom Feinsten system-on-a-chip: klein aber oho die herausforderung die position von infineon Früher wurden die verschiedensten Kommunikations- und Rechenvorgänge meist von mehreren Halbleiter-Bauelementen parallel ausgeführt. Mittlerweile werden
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SKM200GB122D
Abstract: skm 191 semikron SKHI 22 AR semikron SKm GAL 123D SEMIKRON SKM 100 GAL 123D semikron SKHI 21 AR SKM300GB123D 062d skm 200 123d transistor SKM200GB101D
Text: 6. SEMITRANS IGBT Module Insulated Gate Bipolar Transistors Merkmale Typische Anwendungen • MOS-Eingang (spannungsgesteuert) • Motorsteuerung Drehstromantriebsumrichter • N-Kanal • Gleichstrom-Servo- und Roboter-Antriebe • Reihe mit niedriger Sättigungsspannung erhältlich
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Gasableiter Siemens
Abstract: No abstract text available
Text: SMD-PTC gegen Überstrom Kaltleiterschutz fürs Telefon Kaltleiter oder PTC-Widerstände bestehen aus dotierter Keramik, die auf dem ferroelektrischen Halbleiter BaTiO3 basiert. Sobald die sogenannte Curie-Temperatur erreicht ist, steigt der Widerstand der polykristallinen Materialien innerhalb
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16-mmmessungen
Gasableiter Siemens
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k175
Abstract: epcos vdr s20 varistor k175 varistor s14 k175 varistor S14 k1 varistor s10 k175 s20 k440 Varistoren k440 S20 K175
Text: Applications & Cases Varistoren November 2009 Varistoren erfüllen erweiterte UL 1449 Ein breites Spektrum an Varistoren von EPCOS erfüllt die erweiterten Anforderungen der neu aufgelegten UL 1449. Die dritte Ausgabe der Richtlinie für den Überspannungs-schutz ist am 29. September 2009 in
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10-mm-
14-mm-Varistoren,
k175
epcos vdr s20
varistor k175
varistor s14 k175
varistor S14 k1
varistor s10 k175
s20 k440
Varistoren
k440
S20 K175
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information applikation
Abstract: DL193D information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik applikation heft DL192D
Text: [ H n in k ^ t M E le l- c f a n a n il- c Information Applikatiùn Auf ein Wort: Werte Nutzer dieser Applikations-Hefte! Das Tempo der Entwicklung in der Mikroelektronik erfordert, ständig neue Informationen über Bauelemente und ihre mögliche Anwendung
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VEB mikroelektronik
Abstract: information applikation e435e information applikation mikroelektronik applikation heft fzl135 mikroelektronik Heft 12 D4803DC D718D "Mikroelektronik" Heft
Text: Information Applikation Treiber IC aus dem HFO fr vrn" m m . . Information Applikation HEFT 53 NEUE TREIBERSCHALTKREISE v a b helbleifcerwerk F r a n k f u r t / o d e r botrwb im v«b kombinat mikroeloktranik | KAMMER DER TECHNIK i * » _ J Ebertusstraße 2, Frankfurt Oder
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service-mitteilungen
Abstract: SAL 41 C-951 colortron Servicemitteilungen RFT Service Mitteilung Stassfurt Colortron Mitteilung VEB RFT SAY16 scans-048
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N M M IR a d io - Television I OKTOBER 1984 A 9 SEITE 1-4 Mitteilung aus dem VEB Fernsehgerätewerke "Friedr.Engels" Staßfurt Farbbildröhren vom Werk für Fernsehelektronik Berlin
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4000erSerie
67-cmund
51-cm-Diagonale
service-mitteilungen
SAL 41
C-951
colortron
Servicemitteilungen
RFT Service Mitteilung
Stassfurt Colortron
Mitteilung VEB RFT
SAY16
scans-048
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keramische Werke Hermsdorf
Abstract: Mischstufen VEB Keramische Werke OA741 OA645 OA625 hermsdorf OA665 neue halbleiterbauelemente Amateur
Text: HalbleiterBauelemente Dioden Germanium dioden Type Durchlaß spannung U a k IVI Durchlaß strom Sperr spannung lA K l m A l U k a |V| Sperrstrom IKA li'AI max. zuläss. Sperr spannung jEä max. zuass. Durchlaß strom UKAma* IVI ^AKmax !mAl Bau
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft
Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik
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RFT HiFi
Abstract: bauelemente DDR KP103L service-mitteilungen kp 103 ddr bauelemente rft bauelemente "service-mitteilungen" rundfunktechnik DIODE C93
Text: Mit Beilage: BT-Llste "B 93" SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N O D F E R N S E H E N | KmrciroHZ M fM | R a d i o avrim SEITE NOVEMBER -r e /e W s /o n | 1979 11 1-4 Mitteilung aus dem VEB Stern-Radio Sonneberg H i P l - S T E R E O - S T E U E R G E R Ä T
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25-VA-Kompaktbox
RFT HiFi
bauelemente DDR
KP103L
service-mitteilungen
kp 103
ddr bauelemente
rft bauelemente
"service-mitteilungen"
rundfunktechnik
DIODE C93
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information applikation
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Text: 9 ¡M i n M W V S I I V I S N l l ¥ a Die vorliegenden Datenblätter dienen als Informationsmaterial für Geräteentwickler und Konstrukteure, Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in "den Listen elektronischer Baulemente eingestuften Sortiments.
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V4019
DDR-1035
Halbleiterbauelemente DDR
diode BZW 70-20
VEB mikroelektronik
Datenblattsammlung
mikroelektronik DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik datenblattsammlung
mikroelektronik applikation
information applikation mikroelektronik
"halbleiterwerk frankfurt"
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information applikation mikroelektronik
Abstract: "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation VEB mikroelektronik C520D Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 "information applikation" C504D
Text: im f ik F t s n ln l it r a Information Applikation A/D-Wandler Gesamtübersicht n i i QSQ ¥ *- h m ^ J é é é é é | M *•'¥ ¥ ¥ ■ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ' i ¥ ¥ ¥ ¥ m f lk r ^ B ^ ^ - c t a n o r iik Information Applikation H E F T 52 A/D-WANDLER
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b589n
Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Text: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r
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