A0933
Abstract: VEC2601 TC-00000864
Text: VEC2601 注文コード No. N A 0 9 3 3 三洋半導体データシート N VEC2601 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界効果トランジスタを
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Original
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VEC2601
900mm2
--10V
900mm2
IT12928
IT12929
A0933-6/7
A0933-7/7
A0933
VEC2601
TC-00000864
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VEC2603
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2603 注文コード No. N A 0 9 3 4 三洋半導体データシート N VEC2603 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界効果トランジスタを
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Original
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VEC2603
900mm2
--16A
IT09410
IT09411
900mm2
IT12932
IT12929
A0934-6/7
VEC2603
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CPH6619
Abstract: A047
Text: CPH6619 注文コード No. N A 0 4 7 3 三洋半導体データシート N CPH6619 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界
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Original
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CPH6619
900mm2
IT11329
IT04321
IT04320
IT11330
A0473-6/6
CPH6619
A047
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VEC2901
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2901 Ordering number : ENN8198 VEC2901 TR : NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FET : N-Channel Silicon MOSFET Switching, Flash Applications Features • • Composite type with an NPN transistor and N-ch MOS-FET contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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VEC2901
ENN8198
VEC2901
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CPH6605
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 7 1 8 3 CPH6605 三洋半導体データシート N CPH6605 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロードスイッチング用 ・低オン抵抗超高速スイッチングの P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル
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Original
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PDF
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CPH6605
900mm2
900mm2
IT00235
IT04068
IT04069
CPH6605
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SCH2602
Abstract: TA-100972
Text: SCH2602 注文コード No. N 8 3 2 3 三洋半導体データシート N SCH2602 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを
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Original
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PDF
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SCH2602
900mm2
IT04361
900mm2
IT04362
IT03293
SCH2602
TA-100972
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MCH6628
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 7 9 1 9 MCH6628 三洋半導体データシート N MCH6628 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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Original
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PDF
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MCH6628
900mm
--10V
IT03374
IT03370
900mm2
IT03377
MCH6628
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WF24
Abstract: TA-3770 MCH6631
Text: 注文コード No. N 7 4 4 4 MCH6631 三洋半導体データシート N MCH6631 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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Original
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MCH6631
900mm2
IT04360
IT04359
IT04355
900mm2
IT04362
WF24
TA-3770
MCH6631
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EMH2603
Abstract: PC-H-600
Text: EMH2603 注文コード No. N A 0 6 5 7 三洋半導体データシート N EMH2603 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに
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Original
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EMH2603
900mm2
900mm2
IT11988
IT11990
A0657-6/7
A0657-7/7
EMH2603
PC-H-600
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2044B
Abstract: GK001T
Text: GK001T Ordering number : ENN7781 GK001T N-Channel GTBT Switching Regulator Applications Features • • • • • • Adoption of process GTBT Grounded-Trench-MOS assisted Bipolar-mode Field Effect Transistor . High breakdown voltage and high reliablity.
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Original
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GK001T
ENN7781
2044B
GK001T
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GT80J101
Abstract: No abstract text available
Text: GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N − CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit: mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High Input Impedance High Speed : tf = 0.40µs Max. Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3.5V (Max.) Enhancement−Mode
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Original
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GT80J101
2-10F1C
GT80J101
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KTK5133S
Abstract: No abstract text available
Text: SEMICONDUCTOR KTK5133S TECHNICAL DATA N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS FEATURES 2.5 Gate Drive. Low Threshold Voltage : Vth=0.5 High Speed. Small Package. Enhancement-Mode. E B L L D 1.5V.
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Original
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KTK5133S
KTK5133S
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GT80J101
Abstract: No abstract text available
Text: GT80J101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N − CHANNEL MOS TYPE GT80J101 Unit: mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS l High Input Impedance l High Speed : tf = 0.40µs Max. l Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3.5V (Max.) l Enhancement−Mode
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Original
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GT80J101
2-10F1C
GT80J101
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MBM800E17D
Abstract: MBM800
Text: Spec.No.IGBT-SP-05002 R0 IGBT MODULE MBM800E17D PRELIMINARY SPECIFICATION Silicon N-channel IGBT OUTLINE DRAWING 1.FEATURES ∗ High speed, low loss IGBT module. ∗ Low driving power due to low input capacitance MOS gate. ∗ Low noise due to ultra soft fast recovery diode.
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Original
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IGBT-SP-05002
MBM800E17D
000cycles)
MBM800E17D
MBM800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SSM6L36FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36FE Unit: mm ○ High-Speed Switching Applications 1.6±0.05 Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52Ω max (@VGS = 1.5 V) : Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
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Original
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SSM6L36FE
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GK001T
Abstract: 2044B
Text: GK001T 注文コード No. N 7 7 8 1 三洋半導体データシート N GK001T N チャネル GTBT スイッチング電源用 特長 ・GTBT プロセス採用（Grounded-Trench-MOS assisted Bipolar-mode Field Effect Transistor） 。 ・高耐圧・高信頼性である。
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Original
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GK001T
400mA
IT07040
IT07041
IT07042
IT07043
GK001T
2044B
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SSM6L36TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36TU Unit: mm High-Speed Switching Applications 2.1±0.1 Ron = 1.14Ω max (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V) 1 6 2 5 3 4 0.7±0.05
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Original
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SSM6L36TU
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TOSHIBA GT80J101 GT 8 0 J 1 01 TO SHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N -C H A N N E L MOS TYPE HIGH POWER SW ITCHING APPLICATIONS. • • • • High Input Impedance High Speed Low Saturation Voltage Enhancement-Mode tf=0.40/¿s Max. V C E (sat) = 3-5V(Max.)
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GT80J101
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GT80J101
Abstract: 80J101 2-21F1C J101
Text: TOSHIBA GT80J101 G T 8 0 J 101 TO SHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N -C H A N N E L MOS TYPE HIGH POWER SW ITCHING APPLICATIONS. • High Input Impedance • High Speed • Low Saturation Voltage • Enhancement-Mode tf=0.40^s Max. v CE(sat) = 3-5V (Max.)
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GT80J101
GT80J101
80J101
2-21F1C
J101
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TOSHIBA GT80J101 GT 8 0 J 1 01 TO SHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N -C H A N N E L MOS TYPE HIGH POWER SW ITCHING APPLICATIONS. • • • • High Input Impedance High Speed Low Saturation Voltage Enhancement-Mode tf=0.40/¿s Max. V C E (sat) = 3-5V(Max.)
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GT80J101
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS 8,192 WORD X 8 BIT STATIC RAM N-CH AN NEL SILICON GATE M O S TMM2063P-10, TMM2063P-12 TMM2063P-15 D C S C H IP n O tt TheTMM2063Pisa 65,536 bits high speed and low power static random access memory organized as 8,192 words by 8 bits and operates from a single
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TMM2063P-10,
TMM2063P-12
TMM2063P-15
TheTMM2063Pisa
100ns/
120ns/150ns
TMM2063P
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7149 p
Abstract: SN54M5 54145
Text: TTL MSI TYPES SN54M5, SN54LSH5. SN74145, SN74LS145 BCD-TO-DECIMAL DECODERS/DRIVERS B U L L E T I N N O . D L -S 7 6 J 1 8 1 S . M A R C H Î 9 7 4 - H E V IS E D O C T O B E R 1 9 7 6 FOR USE AS LAMP, RELAY, OR MOS DRIVERS S N 54145, S N 54LS145 . . . J O R W PAC KAG E
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SN54M5,
SN54LSH5.
SN74145,
SN74LS145
SN54145,
80-mA
7149 p
SN54M5
54145
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Teledyne Semiconductor
Abstract: AN0110N AN0110NA AN0120N AN0120NA AN0130N AN0130NA AN0140N AN0140NA AN01-10
Text: 2ÖE D TELEDYNE COMPONENTS • öTlTbOE QQQtabT 7 WÊ î î S ' S ü * îg j“ H AN0130N, AN0140N SEMICONDUCTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D-MOS FETs 8-CHANNEL ARRAYS ORDERING INFORMATION AN0110NA 100V,100Q 18 Pin Plastic DIP Description each channel AN0120NA
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aT17t
AN0120N
AN0130N,
AN0140N
AN0110NA
AN0120NA
AN0130NA
AN0140NA
800pA
AN0110N.
Teledyne Semiconductor
AN0110N
AN0110NA
AN0130N
AN0140N
AN0140NA
AN01-10
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N5880
Abstract: No abstract text available
Text: TYPES SN74145, SN74LS145, SN54145, SN54LS145 BCD-TO-DECIMAL DECODERS/DRIVERS M A R C H 1 9 / 4 - R E V IS E D D E C E M B E R 1983 FOR USE AS LAMP, R'ELAY, OR MOS D R IV E R S S N 5 41 45 , S N 5 4 L S 1 4 5 . J P A C K A G E 8 N 7 4 1 4 5 . N P A C K A G E
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SN74145,
SN74LS145,
SN54145,
SN54LS145
SN74LS145
80-mA
LS145
N5880
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