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    MIKROELEKTRONIK A 202 Search Results

    MIKROELEKTRONIK A 202 Result Highlights (2)

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    74AC11244DW Texas Instruments Octal Buffers/Drivers 24-SOIC -40 to 85 Visit Texas Instruments Buy

    MIKROELEKTRONIK A 202 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    ferritkerne

    Abstract: No abstract text available
    Text: Armin Schweiger Ringkerne: Druckabhängigkeit der Permeabilität Häufig werden Ferritkerne bei der Weiterverarbeitung mechanischer Beanspruchung ausgesetzt. Wie sich die Permeabilität von Ferritkernen – speziell von Ringkernen – bei Druck verhält, hat Siemens Matsushita


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    CS81

    Abstract: DS06-20206-1E 3813K 0.18-um CMOS standard cell library inverter
    Text: FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS06-20206-1E Semicustom CMOS Standard cell array CS81 Series • DESCRIPTION The CS81 series of 0.18 µm CMOS standard cell arrays is a line of highly integrated CMOS ASICs featuring high speed and low power consumption at the same time.


    Original     		PDF DS06-20206-1E CS81 DS06-20206-1E 3813K 0.18-um CMOS standard cell library inverter

    DS06-20206-1E

    Abstract: xl 1225 transistor CS81 0.18-um CMOS standard cell library inverter
    Text: To Top / Lineup / Index FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS06-20206-1E Semicustom CMOS Standard cell array CS81 Series • DESCRIPTION The CS81 series of 0.18 µm CMOS standard cell arrays is a line of highly integrated CMOS ASICs featuring high speed and low power consumption at the same time.


    Original     		PDF DS06-20206-1E DS06-20206-1E xl 1225 transistor CS81 0.18-um CMOS standard cell library inverter

    tube 5670

    Abstract: NISSEI TRANSISTOR c 5578 B a1231 D-82024 ericsson 20147 d 1780 data book electronique HATTELAND MMD Components
    Text: 23-013M Januar 1996 HITACHI EUROPE ELECTRONIC COMPONENTS GROUP European Sales Locations HITACHI EUROPE ELECTRONIC COMPONENTS GROUP PRODUCT RANGE 4-, 8-, 16-Bit Microcomputers Microprocessor - Peripherals 32-Bit Microprocessors Smart Card ICs Display Controller/Driver


    Original     		PDF 23-013M 16-Bit 32-Bit tube 5670 NISSEI TRANSISTOR c 5578 B a1231 D-82024 ericsson 20147 d 1780 data book electronique HATTELAND MMD Components

    information applikation mikroelektronik

    Abstract: information applikation C520D mikroelektronik Heft mikroelektronik Heft 12 VQB71 Mikroelektronik Information Applikation VQE23 applikation heft Applikation Information
    Text: m O N in s ie la t K Information Applikation t a n a r il* INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Heft 14: C 520 D 3-Digit-Analog/Digital-Wandler <?> veb H alb le ite rw e rk franlcfurt o d e r lejtb etrieb im veb kombinat mikroelektronik K A M M E R DER T E C H N I K


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    a210k

    Abstract: Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D
    Text: INFORMATION APPLIKATIO N MIKROELEKTRONIK In fo r m a tio n - Applikation Die monolithisch integrierten N F-V erstärker A 210D A210K A211D Eigenschaften und ! Anwendung Mikroelektronik Heft 1 veb haîbîeîterwerk frankfurt/oder l e i t b e t r i e b im v e b k o m b i n a t m ik r o e le k t r o n ik


    OCR Scan     		PDF A210K A211D Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D

    information applikation mikroelektronik

    Abstract: mikroelektronik applikation applikation heft mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik A211D Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft valvo transistoren
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION KBD FT Inform ation-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Aufnahmeund W iedergabeverstärkerSchaltkreises A 202 D M ikroelektronik Heft 4 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb kom binat m ikroelektronik


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    A210K

    Abstract: mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation valvo halbleiter mikroelektronik Heft 12 tca730 "halbleiterwerk frankfurt"
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION r INTEGRIERTE LAUTSTÄRKE/BALANCE UND BASS/DISKANTEINSTELL-SCHALTKREISE Illlll Inform ation-A pplikation G leichspannungsgesteuerte NF - S tereo -Einsteilschalt kreise A 2 7 3 D und A 2 7 4 D M ikroelektronik Heft 7


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    SSY20

    Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen­ Vorzugs­ anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
    Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP


    OCR Scan     		PDF 57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft

    RPY 86

    Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
    Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ­


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    A225D

    Abstract: A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt"
    Text: Inform ation Applikation K * D FTDDlknroeBlBl^lanariil^. Inform ation Applikation HEFT 24 ; A 225 D FM -ZF-VERSTÄRKER FT-1 VEBHalbleTterwerfeFfanWurt TOctert U E c im VEB Kombinat Mikroelektronik KSDj KAMM ER DER TECHNIK I Ißegirksvörstandfiankfurt/O. .Autor : Di.pl .-Ing*


    OCR Scan     		PDF 19S4- A225D A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt"

    b342d

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
    Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: MQE10 DL8640DC C41dc 4580d DS2510DC VEB Kombinat analoge schaltkreise VEB M ik ro e le k tro n ik c520d
    Text: Neuheiten Weiterentwicklungen 1989 veb kombinat mikroelektronik Inhaltsverzeichnis Analoge Schaltkreise für die Konsumgüterelektronik H e rs te lle A 4555 D M u lti s t a n d a r d d e k o d e r f ü r P A L , SE C A M u n d N T S C 3 A 4565 D S ig n a l v e r s t e i l e r u n g s - u n d V e r z ö g e r u n g s s c h a ltu n g


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    mikroelektronik ddr

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden


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    mikroelektronik Heft 12

    Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
    Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER­ SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH­ SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:


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    TCA 785 application note

    Abstract: SAF 1093 H669 TCA 785 halbleiterwerk 82C257 a19100 phase control ic 7400 family SDA 2086
    Text: Hinweise für Ihre LiteraturBestellung How to order Literature Folgende Hinweise gelten nur für Bestellungen innerhalb Deutschlands. The following only applies to orders placed in Germany Richten Sie bitte Ihre Bestellung an Send your order to Siemens AG


    OCR Scan     		PDF unve00 B115-H6793-X-X-7600 B115-H6844-X-X-7600 B115-H6881 -X-X-7600 2258A/82C258A, 82C257, 82C258A B158-B6305-X-X-7600 B115-H6877-X-X-7600 TCA 785 application note SAF 1093 H669 TCA 785 halbleiterwerk 82C257 a19100 phase control ic 7400 family SDA 2086

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR
    Text: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender


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    information applikation

    Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511
    Text: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft
    Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik


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    granat 216

    Abstract: RFT HiFi RFT SD 3935 RFT SV 3930 RFT KR 650 KR 660 rk 88 HMK-V 100 STRALSUND RFT SKR 501 granat 227
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN vee I N D U S T R I E V E R T R I E B RUNDFUNK UNO FERNSEHEN Iradio - television | Ausgabe 1987 Belte •■ 7 1 - 4 P a u s c h a l a a t z l l a t « für Garantiereparaturen Stands Dezember 1987 04 » Stern-Radio Sonneberg 01 = PSGW Staßfurt a/w


    OCR Scan     		PDF 1100-S 4000-2/41C granat 216 RFT HiFi RFT SD 3935 RFT SV 3930 RFT KR 650 KR 660 rk 88 HMK-V 100 STRALSUND RFT SKR 501 granat 227

    A109d

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR SMY50 mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft
    Text: Information Applikation Fïn]o i=3rn(s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik r o o t a k t r o m k


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    information applikation

    Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
    Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,


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