MIKROELEKTRONIK A 202 Search Results

MIKROELEKTRONIK A 202 Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
74AC11086D	Texas Instruments	Quadruple 2-Input Exclusive-OR Gates 16-SOIC -40 to 85
74AC11244DW	Texas Instruments	Octal Buffers/Drivers 24-SOIC -40 to 85
74AC11245DW	Texas Instruments	Octal Bus Transceivers 24-SOIC -40 to 85
74AC16244DGGR	Texas Instruments	16-Bit Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 48-TSSOP -40 to 85
74ACT11000DR	Texas Instruments	Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 16-SOIC -40 to 85

MIKROELEKTRONIK A 202 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	Type	Document Tags	PDF
information applikation mikroelektronik Abstract: information applikation C520D mikroelektronik Heft mikroelektronik Heft 12 VQB71 Mikroelektronik Information Applikation VQE23 applikation heft Applikation Information Text: m O N in s ie la t K Information Applikation t a n a r il* INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Heft 14: C 520 D 3-Digit-Analog/Digital-Wandler <?> veb H alb le ite rw e rk franlcfurt o d e r lejtb etrieb im veb kombinat mikroelektronik K A M M E R DER T E C H N I K	OCR Scan		PDF
a210k Abstract: Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D Text: INFORMATION APPLIKATIO N MIKROELEKTRONIK In fo r m a tio n - Applikation Die monolithisch integrierten N F-V erstärker A 210D A210K A211D Eigenschaften und ! Anwendung Mikroelektronik Heft 1 veb haîbîeîterwerk frankfurt/oder l e i t b e t r i e b im v e b k o m b i n a t m ik r o e le k t r o n ik	OCR Scan	A210K A211D Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D	PDF
information applikation mikroelektronik Abstract: mikroelektronik applikation applikation heft mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik A211D Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft valvo transistoren Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION KBD FT Inform ation-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Aufnahmeund W iedergabeverstärkerSchaltkreises A 202 D M ikroelektronik Heft 4 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb kom binat m ikroelektronik	OCR Scan		PDF
A210K Abstract: mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation valvo halbleiter mikroelektronik Heft 12 tca730 "halbleiterwerk frankfurt" Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION r INTEGRIERTE LAUTSTÄRKE/BALANCE UND BASS/DISKANTEINSTELL-SCHALTKREISE Illlll Inform ation-A pplikation G leichspannungsgesteuerte NF - S tereo -Einsteilschalt kreise A 2 7 3 D und A 2 7 4 D M ikroelektronik Heft 7	OCR Scan		PDF
SSY20 Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen Vorzugs anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3	OCR Scan		PDF
VEB mikroelektronik Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP	OCR Scan	57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft	PDF
RPY 86 Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1 Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ	OCR Scan		PDF
A225D Abstract: A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt" Text: Inform ation Applikation K * D FTDDlknroeBlBl^lanariil^. Inform ation Applikation HEFT 24 ; A 225 D FM -ZF-VERSTÄRKER FT-1 VEBHalbleTterwerfeFfanWurt TOctert U E c im VEB Kombinat Mikroelektronik KSDj KAMM ER DER TECHNIK I Ißegirksvörstandfiankfurt/O. .Autor : Di.pl .-Ing*	OCR Scan	19S4- A225D A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt"	PDF
b342d Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g\|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder \| betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.	OCR Scan		PDF
VEB mikroelektronik Abstract: MQE10 DL8640DC C41dc 4580d DS2510DC VEB Kombinat analoge schaltkreise VEB M ik ro e le k tro n ik c520d Text: Neuheiten Weiterentwicklungen 1989 veb kombinat mikroelektronik Inhaltsverzeichnis Analoge Schaltkreise für die Konsumgüterelektronik H e rs te lle A 4555 D M u lti s t a n d a r d d e k o d e r f ü r P A L , SE C A M u n d N T S C 3 A 4565 D S ig n a l v e r s t e i l e r u n g s - u n d V e r z ö g e r u n g s s c h a ltu n g	OCR Scan		PDF
information applikation mikroelektronik Abstract: VEB mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt" applikation heft Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation information applikation halbleiterwerk Text: m D N n ö e le lK te n a r iil- c Information BAUELEMENTE DER LEISTUNGS ELEKTRONIK BAUELEMENTE ÜBERSICHT GRENZ-UND KENNDATEN Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " B ish er e r s c h ie n e n : H e ft H e ft H e ft H e ft	OCR Scan		PDF
ferritkerne Abstract: No abstract text available Text: Armin Schweiger Ringkerne: Druckabhängigkeit der Permeabilität Häufig werden Ferritkerne bei der Weiterverarbeitung mechanischer Beanspruchung ausgesetzt. Wie sich die Permeabilität von Ferritkernen – speziell von Ringkernen – bei Druck verhält, hat Siemens Matsushita	Original		PDF
mikroelektronik ddr Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden	OCR Scan		PDF
mikroelektronik Heft 12 Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:	OCR Scan		PDF

Halbleiterbauelemente DDR Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR Text: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511 Text: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G	OCR Scan		PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik	OCR Scan		PDF
granat 216 Abstract: RFT HiFi RFT SD 3935 RFT SV 3930 RFT KR 650 KR 660 rk 88 HMK-V 100 STRALSUND RFT SKR 501 granat 227 Text: SERVICE-MITTEILUNGEN vee I N D U S T R I E V E R T R I E B RUNDFUNK UNO FERNSEHEN Iradio - television \| Ausgabe 1987 Belte •■ 7 1 - 4 P a u s c h a l a a t z l l a t « für Garantiereparaturen Stands Dezember 1987 04 » Stern-Radio Sonneberg 01 = PSGW Staßfurt a/w	OCR Scan	1100-S 4000-2/41C granat 216 RFT HiFi RFT SD 3935 RFT SV 3930 RFT KR 650 KR 660 rk 88 HMK-V 100 STRALSUND RFT SKR 501 granat 227	PDF
A109d Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden	OCR Scan		PDF
CS81 Abstract: DS06-20206-1E 3813K 0.18-um CMOS standard cell library inverter Text: FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS06-20206-1E Semicustom CMOS Standard cell array CS81 Series • DESCRIPTION The CS81 series of 0.18 µm CMOS standard cell arrays is a line of highly integrated CMOS ASICs featuring high speed and low power consumption at the same time.	Original	DS06-20206-1E CS81 DS06-20206-1E 3813K 0.18-um CMOS standard cell library inverter	PDF
DS06-20206-1E Abstract: xl 1225 transistor CS81 0.18-um CMOS standard cell library inverter Text: To Top / Lineup / Index FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS06-20206-1E Semicustom CMOS Standard cell array CS81 Series • DESCRIPTION The CS81 series of 0.18 µm CMOS standard cell arrays is a line of highly integrated CMOS ASICs featuring high speed and low power consumption at the same time.	Original	DS06-20206-1E DS06-20206-1E xl 1225 transistor CS81 0.18-um CMOS standard cell library inverter	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR SMY50 mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft Text: Information Applikation Fïn]o i=3rn(s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik r o o t a k t r o m k	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation" Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,	OCR Scan		PDF
tube 5670 Abstract: NISSEI TRANSISTOR c 5578 B a1231 D-82024 ericsson 20147 d 1780 data book electronique HATTELAND MMD Components Text: 23-013M Januar 1996 HITACHI EUROPE ELECTRONIC COMPONENTS GROUP European Sales Locations HITACHI EUROPE ELECTRONIC COMPONENTS GROUP PRODUCT RANGE 4-, 8-, 16-Bit Microcomputers Microprocessor - Peripherals 32-Bit Microprocessors Smart Card ICs Display Controller/Driver	Original	23-013M 16-Bit 32-Bit tube 5670 NISSEI TRANSISTOR c 5578 B a1231 D-82024 ericsson 20147 d 1780 data book electronique HATTELAND MMD Components	PDF

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