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    M/DDR SCHALTKREISE Search Results

    M/DDR SCHALTKREISE Result Highlights (5)

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    M/DDR SCHALTKREISE Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    DDR Schaltkreise

    Abstract: DL014D DL132D 74LS132N Deutschen Demokratischen Republik DSAGER00016 74ls014 26713
    Text: inn]D[klP3is ] ^ i0 ^ ^ 3 ls,Q n S ' DL 014 D DL 132 D Internationale Vergleichstypen; SN 74L S 014 N SN 74LS132 N Schaltkreise in Low -pow er-S chottky-Tschnologie DL 0 14 D 6 Schm itt-Trigger-Inverter Y = Ä DL 132 D 4 S chm itt-Trigger NAND-Gatter m it je 2 Eingängen


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    74LS132 DDR Schaltkreise DL014D DL132D 74LS132N Deutschen Demokratischen Republik DSAGER00016 74ls014 26713 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT­ BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder


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    4093 BP

    Abstract: cd 4093 equivalent V40098D V40511D 40511 4017 BP MC 4011 BCP MC 4093 ZUD 132 ci 4093 equivalent
    Text: i iriilk if^ B c lG l-c te n a n il-i Übersicht CMOS-Schaltkreise CMOS-IC’s Übersicht CMOS-Schaltkreise - CMOS-IC’s V4001 D V 4007 D V4011 D V 4012 D V 4013 D V4015D V4017D V4019D V 4023 D V 4027 D V 4028 D V 4029 D V 4030 D V 4034 D V 4035 D V 4042


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    V4001 V4011 V4015D V4017D V4019D V4051 4093 BP cd 4093 equivalent V40098D V40511D 40511 4017 BP MC 4011 BCP MC 4093 ZUD 132 ci 4093 equivalent PDF

    SAS 251

    Abstract: 4580d tda 2022 Tda 865 TDA 7650 CPA 7660 cmo 765 TAA 2761 A TCA4510 TAA761A
    Text: 1:UNKAMATEUR-Bauelementeinformation IS Vergleichslisten für integrierte Schaltkreise DDR/international IS für den Einsatz in Rundfunkempfängern und Recordern DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung A 202 D A 22SD A 244 D/SD


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    A225D 1310P 1524D A273D 1818D A274D A4100D A277D TJAAI80) A4510D SAS 251 4580d tda 2022 Tda 865 TDA 7650 CPA 7660 cmo 765 TAA 2761 A TCA4510 TAA761A PDF

    VEB mikroelektronik

    Abstract: mikroelektronik DDR mikroelektronik RFT elektronik DDR DDR Schaltkreise bauelemente DDR elektronische bauelemente rft Transistoren DDR service-mitteilungen RFT Service Mitteilung
    Text: RFT INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN Ausgabe ¡^M\radio-te/evision\ Ckt. 1988 f VEB 00 SERVICE-MITTEILUNGEN Seite 1-9 Mitteilung aus dem VEB RFT IV RuF Leipzig/Servicevorbereitung Effektive Eroduktionstechnologie in der KonBumguterelektronik - kontra Heparaturtechnologie ?


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    B556D

    Abstract: elektronik DDR DDR Schaltkreise HA 555 bs560 b 555 u2 555 scans-048 halbleiterwerk DSAGER00016
    Text: Vorläufige technische Daten Internationale Vergleichstypeni Die Schaltkreise B 555 0 und B 556 D sind monolithisch integrierte Einfach» und D o p p e l - Z a i t g e b e r s o h a l t u n g e n , die sich für sehr präzise Z aitverzögerungsn und als Oszillator


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    14-polxges B556D elektronik DDR DDR Schaltkreise HA 555 bs560 b 555 u2 555 scans-048 halbleiterwerk DSAGER00016 PDF

    schlenzig

    Abstract: electronica reihe reihe electronica VEB M ik ro e le k tro n ik ddr veb Electronica DDR Scans-048 sc 236 SC236 DSAGER00043
    Text: veb Z e n t r u m fü r forschung und technologie m ikroelektronik INFORMATION Amateurschaltkreis S 114 D D e r A m a te u rs c h a ltk re is S 1 1 4 D ist e in q u a rz g e s te u e rte r T a k tg e b e r fü r U h re n m it S c h rittm o to r. P rin z ip ie ll sind auch


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170 PDF

    2761 l

    Abstract: TAA2761A TAAS61A TCA325A k 2761 A 2761 I TAA2761 taa761a TAA 2761 A tca325
    Text: Internationale Vergleichstypen: T C A 3 1 1 A , T C A 3 1 5 A , TGA321A» TCÄ325A» TCA 331 A, TCA 335 A, TÄÄ 761 A, TÄÄ 765 A, TAAS61A, TAA8S5A» TAÄ 2761 A, TAÄ 2765 A, TAÄ 4761 A, TÄÄ 4785 A Einfache, doppelte oder vierfache Operatiosisveretirker


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    TGA321A» TAAS61A, B4781 B76109X2 8761D S761D S76110X2 2761 l TAA2761A TAAS61A TCA325A k 2761 A 2761 I TAA2761 taa761a TAA 2761 A tca325 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
    Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der


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    Kombinat VEB A 281

    Abstract: sn 76001 rft halbleiter A281D DDR Schaltkreise elektronik DDR service-mitteilungen A211D Transistoren DDR nf schaltungen
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN r a d i o -television W s V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N AUSGABE: NOVEMBER Der VEB Kombinat STERN C O N T U R A 2510 Stern-Radio Berlin, Stammbetrieb wird die Produk­ tion des neuen Kofferrundfunkemp­


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    rgk 20

    Abstract: gbr relais GBR111 rgk 20/1 Relais RGI RGI GBR 7 elektronik DDR rgk grossbreitenbach tgl 200-3796 rgk 30
    Text: NEUTRALE ELEKTROMAGNETISCHE RELAIS DER INFO RM ATIO N STEC H NIK I R I M Ì V IB RELAISTECHNIK GROSSBREITENBACH • ILMENAU M it dem vo rlie g e n d e n K atalog hoffen wir einem h ä u fig an uns h e ra n g e tra g e n e n Wunsch gerecht zu w erden, indem w ir ein e


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    LT 8216

    Abstract: DS8282D DDR Schaltkreise DS8282 8286 ds8205d DS8212 DS8216D DS8287D 8212
    Text: f m o i k l n T a Schnelle Inierface-Schottky-TTL-SchaStkresse V o rläu fig e technische Daten Vergleichstyp Kurzcharakteristik 1 aus 8 Binärdekoder 8 Bit-Bustreiber mit Speicher, Tri-state-Ausgänge 4 Bit-paralleler bidirektionaler Bustreiber, Tri-stateA u sgä n ge


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    D286A3X! 3SS66 S180232 LT 8216 DS8282D DDR Schaltkreise DS8282 8286 ds8205d DS8212 DS8216D DS8287D 8212 PDF

    information applikation

    Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
    Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,


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    RFT HiFi

    Abstract: bauelemente DDR KP103L service-mitteilungen kp 103 ddr bauelemente rft bauelemente "service-mitteilungen" rundfunktechnik DIODE C93
    Text: Mit Beilage: BT-Llste "B 93" SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N O D F E R N S E H E N | KmrciroHZ M fM | R a d i o avrim SEITE NOVEMBER -r e /e W s /o n | 1979 11 1-4 Mitteilung aus dem VEB Stern-Radio Sonneberg H i P l - S T E R E O - S T E U E R G E R Ä T


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    25-VA-Kompaktbox RFT HiFi bauelemente DDR KP103L service-mitteilungen kp 103 ddr bauelemente rft bauelemente "service-mitteilungen" rundfunktechnik DIODE C93 PDF

    DDR Schaltkreise

    Abstract: elektronik DDR service-mitteilungen Stern Radio robotron sensomat 3000 sensomat 18 servicemitteilungen bauelemente DDR GER-A
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN -television VEB IN DUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEH EN r a d io AUSGABE: AUGUST Sä SEITE 1-8 3lO W i c h t i g s t Fernsehnorm Fernsehbereiche Bildröhre ; Senderwahl Rundfunkbereiohe Anschlüsse Stromversorgung Abmessungen G e w io h t


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    1/111/Ti 20-V-Li III/18/379 DDR Schaltkreise elektronik DDR service-mitteilungen Stern Radio robotron sensomat 3000 sensomat 18 servicemitteilungen bauelemente DDR GER-A PDF

    b342d

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
    Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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    information applikation

    Abstract: applikation heft A109D a 109 opv information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft
    Text: I 1 I 'li Information Applikation OPERATIONS VERSTÄRKER •lit J m ■ liUf [ f ^ a lk a r a ^ E lo k c t s n a n il- c Information Applikation Heft 21: OPERATIONS-VERSTÄRKER-IS T e ill veb halbleiterwerk frankfurt/oder im v e b k o m b in a t m ik ro e le k tro n ik


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    MH 74141

    Abstract: Tesla katalog MH74S04 MH74188 information applikation MH74S287 mikroelektronik RFT CDB404E ucy 74132 MZH 115
    Text: m o N r ^ e le l- c fe n a n il- c Information Applikation ._ B|B Information Applikation Heft 26: IMPORT-IS Teil 2 i ' . • fbkj veb Halbleiterwerk frankfurt/oder Ü B d batriab im vab ko m binat mfcr m M ftrnnllt DER TECHNIK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft VEB mikroelektronik "information applikation"
    Text: m ffik a r ^ e le l-c b n a r iîl-c Information Applikation [ n nf l^ On i □ Information Applikation Heft : 3 7 Qualitätssicherung - Zuverlässigkeit veto halbtaMfcorwerk frankfurt/oder bateriabkn veb kombinat mikroelektrontk KAMMER PER TECHNIK Vorslond des Beiirkiverbondei


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    mikroelektronik Heft 12

    Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
    Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER­ SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH­ SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:


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    mikroelektronik ddr

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
    Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs­ elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK


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    74S487

    Abstract: information applikation cdb 4121 e CDB 447 FZH 195 mh 3212 applikation heft 74LS125N MH 74141 FZH195
    Text: m ô D ^ n iœ lo M s n a n ilK Information Applikation INTERFACE SCHALTUNGEN RGW mit internationaler Typen­ übersicht ¿ kH KKÄÄÄÄAZJ, r in iO lk r t^ B lo lK b n a in H K I Information Applikation H a f t I N T E E F A C E E 4 8 » - S C G H A L T U N G E N


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