Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LB M673, LT M673 Released Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse, farbloser klarer Verguss • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen mit wenig Platzbedarf
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Original
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3000/Rolle,
12000/Rolle,
JESD22-A114-D
D-93055
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MIL-I-8835
Abstract: SE 600 OSRAM LGR971-KN-1 OHAPY607 LGR971-LM JESD22-A114-D 720-LGR971-KN-1
Text: CHIPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LG R971 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: 0805, farbloser diffuser Verguss • Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2,0 mm x 1,25 mm x 0,8 mm • Wellenlänge: 570 nm (grün) • Abstrahlwinkel: extrem breite
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Original
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4000/Rolle,
JESD22-A114-D
D-93049
720-LGR971-KN-1
R971-KN-1
720-LGR971LM1
R971-LM-1
MIL-I-8835
SE 600 OSRAM
LGR971-KN-1
OHAPY607
LGR971-LM
JESD22-A114-D
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K389
Abstract: Q62703-Q1771 Q62703-Q1772 Q62703-Q1773
Text: LC ARGUS LED Low Current 3 mm T1 LED, Non Diffused LS K389, LY K389, LG K389 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: eingefärbtes, klares 3 mm (T1) Gehäuse mit spezieller Linse • Besonderheit des Bauteils: hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen; mit Einsatz eines äußeren
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Original
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M675-M2P1-25
Abstract: LP M675-M2P1 M675 Schalter
Text: Hyper Mini TOPLED High-optical Power LED HOP Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LP M675 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse, farbloser klarer Verguss • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform
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Original
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3000/Rolle,
12000/Rolle,
M675-M2P1-25
LP M675-M2P1
M675
Schalter
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GEOY6024
Abstract: Q62702-P5180 Q62702-P5181 R971
Text: CHIPLED LO R971, LY R971 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: 0805 • Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2,0 mm x 1,25 mm x 0,8 mm • Wellenlänge: 590 nm gelb , 605 nm (orange) • Abstrahlwinkel: extrem breite Abstrahlcharakteristik (160°)
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Original
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4000/Rolle,
GEOY6024
Q62702-P5180
Q62702-P5181
R971
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lg circuit diagram
Abstract: M670
Text: Mini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform 2,3 mm x 1,3 mm x 1,4 mm • Wellenlänge: 628 nm super-rot , 606 nm (orange), 587 nm (gelb),
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Original
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3000/Rollets
lg circuit diagram
M670
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CEHESS
Abstract: 7039.1790 7039.1920 cehess fuses CEHESS D1V 7039.1690
Text: FUSES / SICHERUNGEN NON RESETTABLE / NICHT RÜCKSTELLEND G-Sicherungseinsätze mit Kennmelder Typ D1V quick-acting F low breaking capacity Glass tube flink F kleines Ausschaltvermögen Glasrohr 50 75 Pre-arcing time in seconds ts Schmelzzeit in Sekunden ts
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Original
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OS-WL01A-A
Abstract: OS-WL01A-Y OS-WL01A-B OS-WL01A-V
Text: EFFECTlight OS-WL01A Data Sheet Besondere Merkmale Features • • • • • Engstrahlendes LED-Modul LED mit Linsen in 5*2-Anordnung 10 SMD-PowerTOPLED mit Linse extrem kleiner Ausstrahlwinkel ca. 4° verfügbar in den Farben red , yellow verde grün , blue ( blau)
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Original
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OS-WL01A
OS-WL01A-A
OS-WL01A-Y
OS-WL01A-B
OS-WL01A-V
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1uF mkt
Abstract: MKT 100 0.22 K
Text: MKT 78 Metallisierter Polyesterkondensator im Kunststoffgehäuse Rastermaß 5 mm für erhöhte Anforderungen Merkmale • kleine Abmessungen, selbstheilend und induktivitätsarm • besonders geeignet als Block-, Koppel- oder Siebkondensator in allen Bereichen der Elektronik
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Original
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2002/95/EG
D-02828
1uF mkt
MKT 100 0.22 K
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MKP 12
Abstract: No abstract text available
Text: MKP 29 Metallisierter Polypropylenkondensator für Wechselspannung im Kunststoffgehäuse, radial Merkmale • selbstheilend, kleine Abmessungen • verlust- und induktivitätsarm • RoHS-konform 2002/95/EG Dielektrikum: Polypropylen-Folie Beläge: metallbedampft, mit innerer Reihenschaltung
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Original
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2002/95/EG
D-02828
MKP 12
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Q65110A1936
Abstract: M67C
Text: Hyper Mini TOPLED Enhanced optical Power LED ATON® Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LW M67C Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse, farbiger diffuser Verguss • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen mit wenig Platzbedarf
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3000/Rolle,
Q65110A1936
M67C
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M676
Abstract: No abstract text available
Text: BLUE LINETM Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LB M676 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse, farbloser klarer Verguss • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen mit wenig Platzbedarf
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Original
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3000/Rolle,
12000/Rolle,
JESD22-A114-B
M676
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Q65110A2382
Abstract: Q65110A2372 Q65110A2373 Q65110A2378 M670-H1J1-1 M670-G1H2-1 Q65110A2385 M670 M670-J2M1-1 Q65110A2381
Text: Mini TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670 Nicht für Neuentwicklungen Not for new designs Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse, farbloser klarer Verguss • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: 0805 • Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2,0 mm x 1,25 mm x 0,8 mm • Wellenlänge: 633 nm super-rot , 606 nm (orange), 588 nm (gelb) • Abstrahlwinkel: extrem breite
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Original
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4000/Rolle,
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L29S
Abstract: No abstract text available
Text: Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB R99A Abgekündigt nach OS-PD-2003-007 - wird durch LB L29S ersetzt werden Obsolete acc. to OS-PD-2003-007 - will be replaced by LB L29S Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: 0805 • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform
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Original
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OS-PD-2003-007
4000/Rolle,
L29S
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ipc 9501
Abstract: radiant 4010
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter SFH 4010 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: LxBxH 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar
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Original
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950nm
ipc 9501
radiant 4010
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Y87C-S2T2-35
Abstract: No abstract text available
Text: Micro SIDELED Enhanced optical Power LED ATON® LW Y87C Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit extrem breiter Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und Einkopplungen in
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3000/Rolle,
10000/Rosts
Y87C-S2T2-35
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mini x scanner
Abstract: LW M67C T2 GPLY6928 S24C MARK
Text: Hyper Mini TOPLED Enhanced optical Power LED ATON® LW M67C Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen mit wenig Platzbedarf • Farbort: x = 0,32, y = 0,31 nach
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Original
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3000/Rolle,
12000/Rolle,
mini x scanner
LW M67C T2
GPLY6928
S24C MARK
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Q5121
Abstract: No abstract text available
Text: Mini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform 2,3 mm x 1,3 mm x 1,4 mm • Wellenlänge: 628 nm super-rot , 606 nm (orange), 587 nm (gelb),
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3000/Rolleosts
Q5121
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: S IE M E N S Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current SFH 212 Maße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im
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A235bOS
0057bDÃ
fl23SbOS
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PABC80
Abstract: EABC80 UABC80 K 250 diode AK 1302 "WF Berlin" WF Berlin Dioden DDR
Text: ELEKTRONENRÖHREN EABC 80 6 AK 8 PABC 80 9 AK 8 UABC 80 D R E I F A C H D I O D E D io d e m it g ro ß e m • m .2 2 ,2 ^ A M -B e re ic h e . A — TR IO DE In n e n w id e rs ta n d D u o d io d e In n e n w id e rs ta n d fü r m it für kleinem F M -B e re ic h e ,
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EABC80
PABC80
UABC80
Fernschreib70
UABC80
K 250 diode
AK 1302
"WF Berlin"
WF Berlin
Dioden DDR
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DIODE AA135
Abstract: diode germanium AA135 AA135 Germanium power
Text: AA135 Germanium-Kleinflächendiode Germanium small junction diode Anwendungen: Allgemein Applications: General purpose Besondere Merkmale: • Großer Durchlaßstrom, kleiner Sperrstrom Features: • High forward current to reverse current ratio Normgehäuse
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AA135
DIODE AA135
diode germanium AA135
AA135
Germanium power
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n4148
Abstract: diode t 4148 T 4148 Q62702-A273-F100 N 4148 diode 4148 t 4148 diode Diode N4148 A273 diode in 4148
Text: 1 N 4148 Die Silizium-Diode 1 N 4 1 4 8 im Glasgehäuse D O -3 5 eignet wich allgemein zum Einsatz als Schaltdiode. Sie hat eine kurze Rückwärtserholzeit und eine kleine Kapazität. ^ ^Kathode 00,5 Typ B e ste lln u m m er 1 N 4148 Q 6 2 7 0 2 -A 2 7 3 -F 1 00
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N4148
DO-35)
Q62702-A273-F100
57maxi
03max.
diode t 4148
T 4148
Q62702-A273-F100
N 4148
diode 4148
t 4148 diode
Diode N4148
A273
diode in 4148
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2N929
Abstract: 2N930 929-2N
Text: 2 N 929 • 2 N 930 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: Rauscharme NF-Verstärker Applications: Low noise AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Besonders rauscharm bei kleinen Kollektorström en
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