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Abstract: No abstract text available
Text: FS 25 R 12 KF Transistor Transistor Thermische Eigenschaften RthJC Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values 1200 V 25 A V ce S Ic Thermal properties DC, pro Baustein / per module DC, pro Zweig / per arm 0,104
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QD02070
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Abstract: No abstract text available
Text: FS 25 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige W erte Maximum rated values 600 V 25 A 50 A 100 W ge 20 V Inversdiode Inverse diode LU 20 V Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte
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34G32R7
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Abstract: No abstract text available
Text: FS 25 R 06 KF 2 Transistor Transistor Thermische Eigenschaften Rthjc Elektrische Eigenschaften Electrical properties Thermal properties DC, pro B a u ste in /p e r module DC, pro Zweig / per arm 0,21 1,25 °C/W °C/W Maximum rated values VcES 600 V 25 A 150
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alps stec
Abstract: 25r06
Text: FS 25 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige W erte V ces Maximum rated values •c Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,21 RthJC DC, pro Zweig / per arm 1,25
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3MG32R7
alps stec
25r06
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Abstract: No abstract text available
Text: FF 25 R 12 KF 2 Transistor Transistor Thermische Eigenschaften Rthjc Elektrische Eigenschaften 1Electrical properties RthCK Höchstzulässige W erte Maximum rated values Thermal properties pro Baustein / per module D C , pro Zweig / per arm pro Baustein / per module
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34032T7
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1BW TRANSISTOR
Abstract: No abstract text available
Text: FF 25 R 06 KF SEE T> EUPEC Thermische Eigenschaften Transistor Transistor 34D32T7 OOQGlflb n i H U P E C Rthjc Elektrische Eigenschaften Electrical properties VCES Maximum rated values 600 V 25 A RfhCK lc Thermal properties DC, pro Baustein/per module DC, pro Zweig /p e r arm
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34D32T7
34D32CI7
1BW TRANSISTOR
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FS 25 R 12 KF 2 Thermische Eigenschaften Thermal properties Rthjc DC, pro Baustein/per module 0,104 °C/W DC, pro Zweig/per arm 0,625 °C/W Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values 1200
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Q0G2Q71
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Abstract: No abstract text available
Text: 9- 3 / 7 ^3 F 6 - 25 R 06 KF EUPEC J> SEE GGGG272 Sf lf l «UPEC Thermische Eigenschaften Thermal pnoperties Rthjc DC, pro Baustein /p er module 0,21 °C/W Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values
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GGGG272
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Abstract: No abstract text available
Text: 7 ^ - 3 / F 6 - 25 R 12 KF EUPEC SEE T> Transistor Transistor 34032=17 0000273 414 « U P E C Thermische Eigenschaften *thjc Elektrische Eigenschaften Thermal properties DC, pro Baustein / per module DC, pro Zweig / per arm Electrical properties 0,104 °C/W
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1BW TRANSISTOR
Abstract: transistor bw 51 transistor 1BW 25
Text: 7 ^ -3 / F 6 - 25 R12 KF EUPEC SEE Transistor T> Transistor 34032=17 0 000 273 Thermische Eigenschaften *thjc Elektrische Eigenschaften 414 « U P E C Thermal properties DC, pro Baustein / per module DC, pro Zweig / per arm Electrical properties 0,104 °C/W
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D0D0273
34D32CI7
1BW TRANSISTOR
transistor bw 51
transistor 1BW 25
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Abstract: No abstract text available
Text: FF 300 R 12 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties VCES Maximum rated values 1200 V 300 A lc Thermische Eigenschaften Rthjc RthCK IC R M tp = 1 ms 600 A Pto t tc = 25°C 1800 W Thermal properties DC, pro Baustein/per module
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300R12tCF2
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Abstract: No abstract text available
Text: FZ 400 R 06 KF 3 Transistor Transistor Thermische Eigenschaften Thermal properties 0,074 DC, pro Baustein / per module R th J C Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values 600 V 400 A tp = 1 ms 800 A tc = 25° C
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3M032T7
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Abstract: No abstract text available
Text: FF 25 R 12 KF Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rthjc DC, pro B austein/p e r module 0,25 0,5 DC, pro Zweig / per arm 0,06 RthCK pro Baustein /p e r module 0,12 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties H öchstzulässige W erte
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34D32CI7
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FS 25 R 12 KF Transistor Elektrische Eigenschaften IE lectrical properties Höchstzulässige W erte VCES Maximum rated values Therm ische Eigenschaften Thermal properties 0 ,1 0 4 D C , pro Baustein / per module R th J C 0 ,6 2 5 D C , pro Zweig / per arm
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D002070
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FS 25 R 12 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige W erte Maximum rated values V Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rtwc DC, pro B a u ste in /p e r module 0,104 °C/W DC, pro Z w e ig /p e r arm
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1BW TRANSISTOR
Abstract: No abstract text available
Text: 7=3 9 -3 / F 6 - 25 R 06 KF E UP EC SEE m ]> G G G G 272 Sf lf l «UPEC J Thermische Eigenschaften Thermal properties DC, pro Baustein /per module 0,21 °C/W ' RthJC DC, pro Zweig / per arm 1,25 °C/W Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties
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GGGG272
34D32CI7
1BW TRANSISTOR
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100nj 100
Abstract: No abstract text available
Text: FS 15 R 12 KF Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte V ces Maximum rated values 1200 V 15 A ms 30 A tc = 25°C 125 W lc Ic r m Pta, Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rthjc DC, pro B a u ste in /p e r module
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15V10
QD020b7
100nj 100
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25r06
Abstract: No abstract text available
Text: FF 25 R 06 KF 2 Therm ische Eigenschaften Transistor Transistor R thjc Elektrische Eigenschaften Electrical properties RthCK H ö ch s tz u lä s s ige W e rte V ces M axim u m rated va lu e s 600 V 25 A lc Thermal properties °C /W 0,5 DC, p ro B a u ste in / p e r m od u le
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FFZSR06KF2
25r06
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FS 25 R 12 KF Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Therm ische Eigenschaften Thermal properties Rthjc DC, pro B a u ste in /p e r module 0,104 °C/W DC, pro Z w e ig /p e r arm 0,625 °C/W Maximum rated values V C ES 1 2 0 0
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0002Q70
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HHB8
Abstract: No abstract text available
Text: 7— / v fc S * S ' — h* m Com pound Transistor i? T / \ f 7 4# BAI F4N ! mm ★ » o s<4 r x t s t / t £ i*ui l x ^ £ i"c Ri = 22 kfì, R2= 47 k£2) o BN1F4N t ^ > "7° ij / > 9 'J T'féffl T"^ £ i " t Ì 6 Ì Ì * * S # ( T a = 25 °C) il -?- aE #
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PWiS10
HHB8
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jb 5531
Abstract: sl 0565 r JE 33 T108 JE 720 transistor
Text: W L Ì3 \'-7 > Ì> 7 > 9 Compound Transistor FN1L3N U □ > V=7 > ì>7.9 F*91PN PI mm K M o X 5 t £ l*|jK L T X ^ 1 ^ f i : mm 2. 8 ± 0 . 2 1"c 1.5 (R i = 4.7 k£2, R 2= 10 kfì) O o FA1L3N V x itfflx - W R è 1 1“ ( T a = 25 °C ) IH 3 u ? 3
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T108
Abstract: TC-6241
Text: ÎH'ra'h Com pound Transistor GA1 L3M 4W H !» S / nM o L T W î : mm v ^ f , ( R i = 4 . 7 k£2, R 2 = 4 . 7 kfì) O — V W - R, o G N 1 L 3 M £ =j > 7 ° >J y > 9 ‘J T ' ê Ò E S (T a = 25 °C ) I l 3 9 u a u 3 - 3 • 9 9 i /H g 9 •/ 9 — V cE O
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FF150
Abstract: No abstract text available
Text: FF 150 R 06 KF 3 Thermische Eigenschaften Transistor Transistor R th jc Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte VCES Maximum rated values 600 V 150 A 0,08 CC/W 0,16 °C/W 0,03 C/W 0,06 °C/W 150 °C - 4 0 / + 150 °C - 40 / + 125 °C
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FF150
34032T7
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kf 202 transistor
Abstract: transistor KF
Text: FF 50 R 06 KF 3 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte Maximum rated values 600 V 50 A V ces ¡c Therm ische Eigenschaften Thermal properties 0,225 DC, pro Baustein /p e r module DC, pro Zweig / per arm
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