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    Abstract: No abstract text available
    Text: 赤外高感度 Si APD S11519シリーズ 近赤外高感度 MEMS構造を応用 当社は、フォトダイオードの裏面にMEMS構造を形成することによって、近赤外域で高感度を実現したSi検出器を開発しまし た。S11519シリーズは、近赤外域の感度を向上させたSi APDです。


    Original     		S11519ã S8890ã KAPDB0185JA KAPDB0190JA S11519-30 S11519-10 KAPDB0191JA PDF