igbt module bsm 200
Abstract: GB60 igbt module bsm 300 eupec igbt BSM 100 gb
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,17 K/W - - 0,29 K/W Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC
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LED alta luminosidad
Abstract: sensor ultrasonico 3RG6451-3CC00 led amarillo SENSOR DE TEMPERATURA ultrasonico led verde led verde 2V ULTRASONICO ultrasonic transducer au 3ZX1012-0RG64-1CA1
Text: + 70° C + 70° C Sonar – BERO Kompaktreihe K08 IP 67 3RG6451-3CC00 -25° C Betriebsanleitung Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-1CA1 Reflexionstaster mit Hintergrundausblendung 300 kHz Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Ultraschall-Sensoren NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen verwendet werden!
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3RG6451-3CC00
3ZX1012-0RG64-1CA1
LED alta luminosidad
sensor ultrasonico
3RG6451-3CC00
led amarillo
SENSOR DE TEMPERATURA ultrasonico
led verde
led verde 2V
ULTRASONICO
ultrasonic transducer au
3ZX1012-0RG64-1CA1
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E86060
Abstract: 5NM60 L400 M18S 3ZX10 bero 3ZX1012-0R seconda Basso 3ZX1012
Text: + 70° C + 70° C IP 67 Sonar – BERO Kompaktreihe M18S Betriebsanleitung 3RG6421-3RS00 -25° C Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-1BA1 Sonar – BERO Compact range M18S Operating Instructions Frequenzausgang 300 kHz Frequency output 300 kHz Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Sonar-BERO NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen
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3RG6421-3RS00
3ZX1012-0RG64-1BA1
E86060
5NM60
L400
M18S
3ZX10
bero
3ZX1012-0R
seconda
Basso
3ZX1012
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3ZX1012-0R
Abstract: pulsador 4 pines 3RG6432-3BB00 pulsador sensor de barrera 3ZX1012-0RG64-2AA1 sensor ultrasonico 3zx1012 rifle fotocellula
Text: + 70° C + 70° C IP 67 Sonar – BERO Kompaktreihe M18S -25° C Betriebsanleitung 3RG6432-3BB00 Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-2AA1 Sonar – BERO Compact range M18S Operating Instructions Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Sonar-BERO NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen
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3RG6432-3BB00
3ZX1012-0RG64-2AA1
3ZX1012-0R
pulsador 4 pines
3RG6432-3BB00
pulsador
sensor de barrera
3ZX1012-0RG64-2AA1
sensor ultrasonico
3zx1012
rifle
fotocellula
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : LF 749119250 POWER OVER ETHERNET-ÜBERTRAGER WE-PoE POWER OVER ETHERNET-TRANSFORMER WE-PoE RoHS compliant DATUM / DATE : 2005-06-22
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D-74638
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP100R12KT4 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten/PreliminaryData
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FP100R12KT4
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M4D068-CF
Abstract: S4D300-AP28 S4D300-BP28 A4D300-AP28 068-CF 300-AP26 s4e 300-ap26
Text: Information AC axial fans 4 poles AC centrifugal S-Range, Ø 300 2 50 60 50 60 1860 2080 1740 2040 1370 1540 1400 1630 60 75 68 92 0,17 0,15 0,30 0,41 Pa -2,0/ 400 2,0/ 400 90 60 80 70 45 40 60 45 57 60 59 63 °C kg Type 1,9 *4D 300 A 1,9 *4E 300 A AC axial
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068-CF
M4D068-CF
M4D068-CF
S4D300-AP28
S4D300-BP28
A4D300-AP28
068-CF
300-AP26
s4e 300-ap26
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R12KT4 IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 暫定データ/PreliminaryData
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FP100R12KT4
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Abstract: No abstract text available
Text: 技术信息/TechnicalInformation IGBT-模块 IGBT-modules FP100R12KT4 IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedValues
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FP100R12KT4
25ayprovideapplicationnotes.
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hcp 932
Abstract: capacitor jianghai cd 293
Text: CD 281 LL Series 3 000 - 12 000h at 105°C CD 269 PH • Longest Lifetime 105°C · Low Impedance · Power Supplies · Smoothing, Buffering, Filtering 125°C CD 110 PT 85°C CD 287 GC smaller lower ESR CD 28L QL lowest ESR longest life CD 281 LL CD 284 XY Item
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120Hz)
v2006
hcp 932
capacitor jianghai cd 293
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Abstract: No abstract text available
Text: Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : 749119933 POWER OVER ETHERNET-ÜBERTRAGER WE-PoE POWER OVER ETHERNET-TRANSFORMER WE-PoE DATUM / DATE : 2006-06-12 A Mechanische Abmessungen / dimensions :
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D-74638
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z70u
Abstract: R100000
Text: EF 9 EF 9 H.F.-Penthode-Selektode Die Penthode E F 9 ist eine Hoch- oder Zwischenfrequenzröhre mit max32 veränderlicher Steilheit, die auch als N.F.-Verstärker m it Widerstandskopplung verwendet werden kann, und zwar m it oder ohne Regelung der Verstärkung automatische Lautstärkeregelung, die auch die
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max32
z70u
R100000
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Abstract: No abstract text available
Text: _PREMO CS0603 Features SMD Leadless small size inductor wound on high alumina ceramic bodies. High Q factor and self-resonance frequencies, allow excellent operation in G SM frequencies, DECT, cordless communications, wireless LANs, etc.
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CS0603
6nH-390nH)
CS0603
CS0603-
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cs0603
Abstract: JG35
Text: _ P R E M O CS0603 Features SMD Leadless small size inductor wound on high alumina ceramic bodies. High Q factor and self-resonance frequencies, allow excellent operation in G SM frequencies, DECT, cordless communications, wireless LANs, etc.
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CS0603
6nH-390nH)
code235
CS0603-
CS0603
JG35
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c 565-2
Abstract: 3X050-10-7 2X03-X-X
Text: Pulse-FEE A T E C H N I T R O L C O M P A N Y FE 2 X Series Current compensated Noise Supression Chokes Inductances compensées d'antiparasitage Key Features Electrical spe cificatio n a t 25°C L±30% mH Caractéristiques Basic Part N o 3,3 6,8 10 15 18
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FE2X03
FE2X07
FE2X10
FE2X15
FE2X18
FE2X27
FE2X39
FE2X47
PF500
c 565-2
3X050-10-7
2X03-X-X
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on 4409
Abstract: RG2 SERIES ef11 78 mo 5
Text: PHILIPS f lF lï PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. or A.F. amplifier PENTHCDE k pente variable pour utilisation en ampli ficatrice H.F., H.F. ou B.F. PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Verwen dung als HF-, ZF- oder NF-Verstärker
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Abstract: No abstract text available
Text: Thyristor Diode Modules for Current Source Inverters rrm V, V rrm V It rm sm A D iode (Thyr.) kA 10 ms, J ¡2dt kA2s 10 ms, ^vj max 1,40 It sm It A V M ^ c V (T O ) V ^vj max A/°C 180° el sin ^vj max 9,8 60/85 ri ma (di/dt) or tq MS (di/dt) or V/ps DIN IEC
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34G3ET7
0GD21Ã
/M5x11Z4-1
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ECC81
Abstract: ECC81 triode ecc 81 eCc8 philips B 7R031S5
Text: P H IL IP S ECC 81 R.P.DOUBLE TRIODE for use as oscillator, mixer or ampli fier in television receivers DOUBLE TRIODE H.F. pour utilisation en oscillatrice, mélangeuse ou amplificatrice dans des récepteurs de télévi sion HF-DOPPELTRIODE zur Verwendung als Oszillator, Mischröhre
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ECC81
7R0327B
ECC81
ECC81 triode
ecc 81
eCc8
philips B
7R031S5
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EF22
Abstract: la 4237
Text: EF 22 PHILIPS PENTODEfwith variable mutual conductance for use as H.F., I.F. and L.F. amplifier PENTHODE à pente variable pour l ’utilisation comme am plificatrice H.F., M.F. et B.F. PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Verwendung als H.F., Z.F. und N.F. Verstärker
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To-10T
EF22
la 4237
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ZF EPS
Abstract: af amplifier
Text: [¥9 PHILIPS PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. or A.F. amplifier PENTHODE k pente variable pour utilisation comme amplificatrice H.F., M.F. ou B.F. PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Verwehdung als HF-, ZF- oder NF-Verstärker
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Transistor BSX 95
Abstract: k 49 transistor LC 500-S BSX49 Q60218-X48 Q60218-X49 bsx 30 BSX48 Scans-0010549
Text: IMPIM-Transistoren fü r HF-Schalteranwendungen BSX 48 BSX 49 Die Transistoren BSX 48 und BSX 49 sind doppeltdiffundierte epitaktische Silizium-Transistoren in Planar-Technik im Gehäuse 18 A3 DIN 41 876 TO-18 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.
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Q60218-X48
Q60218-X49
Transistor BSX 95
k 49 transistor
LC 500-S
BSX49
Q60218-X48
Q60218-X49
bsx 30
BSX48
Scans-0010549
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: EUPEC b lE D m 3 4 0 3 2 c17 □□□1301 0Tb H U P E C Thyristor-Dioden-Module fur l-Umrichter Thyristor-diode-modules for current source inverters Typ Type V drm V rrm It r m s m It s m /¡ 2dt It a v m ^ c V TO it (di/dt)cr (dv/dt)cr Rthjc RlhCK tv, max
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: s e m ik r d n V rsm V rrm *L \ W er V drm Itrm s (maximum values for continuous operation 63 A | 78 A SKT 40 SKT 50 Itav (sin. 180; "case = •• - °C) V V V/us 4 0 A (80 °C) 500 7 00 400 500 SKT 40/04 D - 6 00 500 SKT 40/06 D SKT 50/06 D* 50 A (78 °C)
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SS502
Abstract: M502 Q60218-Y34 Q60218-Y58 BSY34 Scans-0010549
Text: NPIM-HF-Transistoren für Schalteranw endungen B S Y 34 B SY 58 B S Y 34 und B S Y 58 sind doppeltdiffundierte epitaktische NPN-Silizium-HF-Transistoren in Planartechnik im Gehäuse 5 C3 DIN 41 873 T O -39 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.
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Q60218-Y34
Q60218-Y58
100mA
100mA
/c-150mA,
SS502
M502
Q60218-Y34
Q60218-Y58
BSY34
Scans-0010549
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