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Untitled Abstract: No abstract text available Text: J2G0035-17-41 作成：1998年 1月 MSM5117400B l 前回作成：1997年 5月 ¡ 電子デバイス MSM5117400B 4,194,304-Wordx4-Bit DYNAMIC RAM：高速ページモード n 概要 MSM5117400BはCMOSプロセス技術を用いた4,194,304ワ−ド×4ビット構成のダイナミックランダム	Original	PDF	J2G00351741 MSM5117400B 304Word MSM5117400B MSM5117400BCMOS4 42CMOS 26/24SOJ26/24TSOP 04832ms 26/24300milSOJ SOJ26/24P3001

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Abstract: No abstract text available
Text: J2G0035-17-41 作成：1998年 1月 MSM5117400B l 前回作成：1997年 5月 ¡ 電子デバイス MSM5117400B 4,194,304-Wordx4-Bit DYNAMIC RAM：高速ページモード n 概要 MSM5117400BはCMOSプロセス技術を用いた4,194,304ワ−ド×4ビット構成のダイナミックランダム

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J2G00351741 MSM5117400B 304Word MSM5117400B MSM5117400BCMOS4 42CMOS 26/24SOJ26/24TSOP 04832ms 26/24300milSOJ SOJ26/24P3001