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Untitled Abstract: No abstract text available Text: J2G0033-17-41 作成：1998年 1月 MSM5116400B l 前回作成：1997年 5月 ¡ 電子デバイス MSM5116400B 4,194,304-Wordx4-Bit DYNAMIC RAM：高速ページモード n 概要 MSM5116400BはCMOSプロセス技術を用いた4,194,304ワ−ド×4ビット構成のダイナミックランダム	Original	PDF	J2G00331741 MSM5116400B 304Word MSM5116400B MSM5116400BCMOS4 42CMOS 26/24SOJ26/24TSOP 09664ms 26/24300milSOJ SOJ26/24P3001

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Abstract: No abstract text available
Text: J2G0033-17-41 作成：1998年 1月 MSM5116400B l 前回作成：1997年 5月 ¡ 電子デバイス MSM5116400B 4,194,304-Wordx4-Bit DYNAMIC RAM：高速ページモード n 概要 MSM5116400BはCMOSプロセス技術を用いた4,194,304ワ−ド×4ビット構成のダイナミックランダム

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J2G00331741 MSM5116400B 304Word MSM5116400B MSM5116400BCMOS4 42CMOS 26/24SOJ26/24TSOP 09664ms 26/24300milSOJ SOJ26/24P3001