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    RD2003

    Abstract: A1593 RD2003JN ENA1593
    Text: RD2003JN Ordering number : ENA1593 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2003JN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=300V . High reliability. Fast forward / reverse recovery time.


    Original     		PDF RD2003JN ENA1593 A1593-3/3 RD2003 A1593 RD2003JN ENA1593

    RD2003

    Abstract: A1593 RD2003JN
    Text: RD2003JN 注文コード No. N A 1 5 9 3 三洋半導体データシート N RD2003JN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=300V 。 ・高信頼性である。 ・逆回復時間が速い。


    Original     		PDF RD2003JN O2809SA TC-00002161 A1593-1/3 IT15107 IT15109 IT15106 IT15108 RD2003 A1593 RD2003JN