A1208
Abstract: RD1006LS
Text: RD1006LS Ordering number : ENA1208 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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Original
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RD1006LS
ENA1208
PW100s,
cycle50%
A1208-3/3
A1208
RD1006LS
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.
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Original
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RD1006LS-SB5
ENA1608
A1608-3/3
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PDF
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A1442
Abstract: A1442-3 A-1442
Text: RD1006LN 注文コード No. N A 1 4 4 2 三洋半導体データシート N RD1006LN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。
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Original
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RD1006LN
51309SA
TC-00001965
A1442-1/3
IT13677
IT14509
IT13676
IT13678
A1442
A1442-3
A-1442
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.
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Original
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RD1006LS-SB5
ENA1608
A1608-3/3
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PDF
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A1608
Abstract: RD1006
Text: RD1006LS-SB5 注文コード No. N A 1 6 0 8 三洋半導体データシート N RD1006LS-SB5 シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。
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Original
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RD1006LS-SB5
N1109SA
TC-00002179
A1608-1/3
IT13677
IT14499
IT13676
IT13678
A1608-2/3
A1608
RD1006
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PDF
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A1208
Abstract: A12081 RD1006LS
Text: RD1006LS 注文コード No. N A 1 2 0 8 三洋半導体データシート N RD1006LS シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。
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Original
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RD1006LS
82708SA
TC-00001550
A1208-1/3
IT13677
IT13679
IT13676
IT13678
A1208
A12081
RD1006LS
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RD1006LS-SB
Abstract: No abstract text available
Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.
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Original
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RD1006LS-SB5
ENA1608
A1608-3/3
RD1006LS-SB
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PDF
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a1442
Abstract: RD1006 transistor a1442
Text: RD1006LN Ordering number : ENA1442 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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Original
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RD1006LN
ENA1442
A1442-3/3
a1442
RD1006
transistor a1442
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