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MCH6646 Abstract: MARKING WW Text: MCH6646 Ordering number : ENA0112 N-Channel Silicon MOSFET MCH6646 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	MCH6646 ENA0112 900mm2 A0112-4/4 MCH6646 MARKING WW
MCH6646 Abstract: IT10338 Text: MCH6646 注文コード No. N A 0 1 1 2 MCH6646 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・1.8V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	MCH6646 900mm2 IT10334 900mm2 IT10337 A0112-3/4 IT10338 A0112-4/4 MCH6646 IT10338

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MCH6646

Abstract: MARKING WW
Text: MCH6646 Ordering number : ENA0112 N-Channel Silicon MOSFET MCH6646 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

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MCH6646 ENA0112 900mm2 A0112-4/4 MCH6646 MARKING WW

MCH6646

Abstract: IT10338
Text: MCH6646 注文コード No. N A 0 1 1 2 MCH6646 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・1.8V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

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MCH6646 900mm2 IT10334 900mm2 IT10337 A0112-3/4 IT10338 A0112-4/4 MCH6646 IT10338