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    A01042

    Abstract: VEC2610 a0104 A0104-5 3am10
    Text: VEC2610 注文コード No. N A 0 1 0 4 三洋半導体データシート N VEC2610 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した


    Original     		VEC2610 900mm2 IT08609 IT08607 900mm2 IT10216 IT10217 A01042 VEC2610 a0104 A0104-5 3am10 PDF

    VEC2610

    Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5
    Text: VEC2610 Ordering number : ENA0104 VEC2610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2610 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,


    Original     		VEC2610 ENA0104 VEC2610 A0104-6/6 INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5 PDF

    marking 2105

    Abstract: LT1021D-7 LT1021DCS8-10 LT1021-10
    Text: LintiAR TECHNOLOGY LT1021DCS8 Precision Reference F€flTUR€S D€SCRIPTIOn • Low Drift—20ppm/°C Max Slope^ ■ Trimmed Output Voltage?" ■ Operates in Series or Shunt Mode ■ Output Sinks and Sources in Series Mode ■ Very Low Noise < tppm p-p 0.1Hz to 10Hz


    OCR Scan     		Drift--20ppm/ 100dB LT1021DCS8 LT1021 marking 2105 LT1021D-7 LT1021DCS8-10 LT1021-10 PDF