VEC2607
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2607 Ordering number : ENN8359 VEC2607 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2607 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
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Original
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PDF
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VEC2607
ENN8359
VEC2607
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VEC2605
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2605 Ordering number : ENN8197 P-Channel and N-Channel Silicon MOSFET VEC2605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Best suited for DC/DC converters. The VEC2605 incorporates a P-channel MOSFET and an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance
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Original
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PDF
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VEC2605
ENN8197
VEC2605
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2401 Ordering number : ENA0264 N-Channel Silicon MOSFET VEC2401 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for load switching applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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ENA0264
VEC2401
900mm2
A0264-4/4
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VEC2401
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2401 注文コード No. N A 0 2 6 4 三洋半導体データシート N VEC2401 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチング用途に最適。 ・低オン抵抗。
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Original
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PDF
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VEC2401
900mm2
IT09311
900mm2
IT10501
IT10502
A0264-4/4
VEC2401
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2401 Ordering number : ENA0264 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET VEC2401 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for load switching applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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VEC2401
ENA0264
900mm2
A0264-4/4
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VEC2607
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2607 注文コード No. N 8 3 5 9 三洋半導体データシート N VEC2607 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した
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Original
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PDF
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VEC2607
900mm2
IT09285
IT09311
IT08607
900mm2
IT09286
VEC2607
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A01042
Abstract: VEC2610 a0104 A0104-5 3am10
Text: VEC2610 注文コード No. N A 0 1 0 4 三洋半導体データシート N VEC2610 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した
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Original
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PDF
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VEC2610
900mm2
IT08609
IT08607
900mm2
IT10216
IT10217
A01042
VEC2610
a0104
A0104-5
3am10
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VEC2610
Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5
Text: VEC2610 Ordering number : ENA0104 VEC2610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2610 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
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Original
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VEC2610
ENA0104
VEC2610
A0104-6/6
INVERTER BOARD SANYO TB
A0104-5
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VEC2605
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2605 注文コード No. N 8 1 9 7 三洋半導体データシート N VEC2605 P チャネルおよび N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用途に最適。
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Original
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PDF
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VEC2605
900mm2
500mA
500mA,
300mA,
--10V
IT08606
IT08612
IT08613
VEC2605
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