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VEC2607 Abstract: No abstract text available Text: VEC2607 Ordering number : ENN8359 VEC2607 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2607 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,	Original	VEC2607 ENN8359 VEC2607	PDF
VEC2605 Abstract: No abstract text available Text: VEC2605 Ordering number : ENN8197 P-Channel and N-Channel Silicon MOSFET VEC2605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Best suited for DC/DC converters. The VEC2605 incorporates a P-channel MOSFET and an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance	Original	VEC2605 ENN8197 VEC2605	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: VEC2401 Ordering number : ENA0264 N-Channel Silicon MOSFET VEC2401 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for load switching applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting.	Original	ENA0264 VEC2401 900mm2 A0264-4/4	PDF
VEC2401 Abstract: No abstract text available Text: VEC2401 注文コード No. N A 0 2 6 4 三洋半導体データシート N VEC2401 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・ロードスイッチング用途に最適。・低オン抵抗。	Original	VEC2401 900mm2 IT09311 900mm2 IT10501 IT10502 A0264-4/4 VEC2401	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: VEC2401 Ordering number : ENA0264 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET VEC2401 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for load switching applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting.	Original	VEC2401 ENA0264 900mm2 A0264-4/4	PDF
VEC2607 Abstract: No abstract text available Text: VEC2607 注文コード No. N 8 3 5 9 三洋半導体データシート N VEC2607 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した	Original	VEC2607 900mm2 IT09285 IT09311 IT08607 900mm2 IT09286 VEC2607	PDF
A01042 Abstract: VEC2610 a0104 A0104-5 3am10 Text: VEC2610 注文コード No. N A 0 1 0 4 三洋半導体データシート N VEC2610 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した	Original	VEC2610 900mm2 IT08609 IT08607 900mm2 IT10216 IT10217 A01042 VEC2610 a0104 A0104-5 3am10	PDF
VEC2610 Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5 Text: VEC2610 Ordering number : ENA0104 VEC2610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2610 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,	Original	VEC2610 ENA0104 VEC2610 A0104-6/6 INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5	PDF
VEC2605 Abstract: No abstract text available Text: VEC2605 注文コード No. N 8 1 9 7 三洋半導体データシート N VEC2605 P チャネルおよび N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用途に最適。	Original	VEC2605 900mm2 500mA 500mA, 300mA, --10V IT08606 IT08612 IT08613 VEC2605	PDF