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    IT08571 Search Results

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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: VEC2813 Ordering number : ENA0384 VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original
    PDF VEC2813 ENA0384 A0384-6/6

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).


    Original
    PDF ENN8254 SBS811

    vec8

    Abstract: No abstract text available
    Text: SBS811 Ordering number : EN8254A SANYO Semiconductors DATA SHEET SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V)


    Original
    PDF EN8254A SBS811 vec8

    diode sy 710

    Abstract: VEC2813 N1407
    Text: VEC2813 Ordering number : ENA0384B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original
    PDF VEC2813 ENA0384B A0384-6/6 diode sy 710 VEC2813 N1407

    VEC2811

    Abstract: 82871
    Text: VEC2811 Ordering number : ENN8287 VEC2811 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package


    Original
    PDF VEC2811 ENN8287 VEC2811 82871

    VEC2818

    Abstract: No abstract text available
    Text: VEC2818 注文コード No. N A 0 5 7 7 三洋半導体データシート N VEC2818 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。


    Original
    PDF VEC2818 1200mm2 11707PE TC-00000470 A0577-1/5 IT08571 IT08572 IT03090 VEC2818

    SBS811

    Abstract: No abstract text available
    Text: SBS811 注文コード No. N 8 2 5 4 SBS811 ショットキバリアダイオード 30V, 2.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・スイッチングノイズが小さい。


    Original
    PDF SBS811 100mA, 92mm2 1000mm2 62797GI TB-00001372 61005SB BX-0698 IT08568 SBS811

    VEC2818

    Abstract: No abstract text available
    Text: VEC2818 Ordering number : ENA0577 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package


    Original
    PDF VEC2818 ENA0577 A0577-6/6 VEC2818

    SBS811

    Abstract: 82543
    Text: SBS811 注文コード No. N 8 2 5 4 三洋半導体データシート N SBS811 ショットキバリアダイオード 30V, 2.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。


    Original
    PDF SBS811 100mA, 92mm2 1000mm2 62797GI TB-00001372 61005SB IT08568 IT08569 SBS811 82543

    VEC2813

    Abstract: No abstract text available
    Text: VEC2813 注文コード No. N A 0 3 8 4 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0384A をさしかえてください。 VEC2813 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード


    Original
    PDF VEC2813 NA0384A 900mm2 N0106 TC-00000299 52506PE TB-000002333 A0384-1/6 N1407 VEC2813

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : EN8254A SBS811 Schottky Barrier Diode http://onsemi.com 30V, 2A, Low VF, Non-Monolithic Dual VEC8 Common Cathode Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise


    Original
    PDF EN8254A SBS811

    SBS811

    Abstract: No abstract text available
    Text: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).


    Original
    PDF SBS811 ENN8254 SBS811

    VEC2811

    Abstract: 82871
    Text: VEC2811 注文コード No. N 8 2 8 7 三洋半導体データシート N VEC2811 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。


    Original
    PDF VEC2811 900mm2 70505PE TB-00001099 IT08571 IT08572 IT03090 VEC2811 82871

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).


    Original
    PDF SBS811 ENN8254

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SBS811 Ordering number : EN8254A SANYO Semiconductors DATA SHEET SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V)


    Original
    PDF SBS811 EN8254A