Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2813 Ordering number : ENA0384 VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2813
ENA0384
A0384-6/6
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).
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Original
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ENN8254
SBS811
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vec8
Abstract: No abstract text available
Text: SBS811 Ordering number : EN8254A SANYO Semiconductors DATA SHEET SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V)
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Original
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EN8254A
SBS811
vec8
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diode sy 710
Abstract: VEC2813 N1407
Text: VEC2813 Ordering number : ENA0384B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2813
ENA0384B
A0384-6/6
diode sy 710
VEC2813
N1407
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VEC2811
Abstract: 82871
Text: VEC2811 Ordering number : ENN8287 VEC2811 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2811
ENN8287
VEC2811
82871
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VEC2818
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2818 注文コード No. N A 0 5 7 7 三洋半導体データシート N VEC2818 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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VEC2818
1200mm2
11707PE
TC-00000470
A0577-1/5
IT08571
IT08572
IT03090
VEC2818
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SBS811
Abstract: No abstract text available
Text: SBS811 注文コード No. N 8 2 5 4 SBS811 ショットキバリアダイオード 30V, 2.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・スイッチングノイズが小さい。
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Original
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PDF
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SBS811
100mA,
92mm2
1000mm2
62797GI
TB-00001372
61005SB
BX-0698
IT08568
SBS811
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VEC2818
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2818 Ordering number : ENA0577 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2818
ENA0577
A0577-6/6
VEC2818
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SBS811
Abstract: 82543
Text: SBS811 注文コード No. N 8 2 5 4 三洋半導体データシート N SBS811 ショットキバリアダイオード 30V, 2.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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PDF
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SBS811
100mA,
92mm2
1000mm2
62797GI
TB-00001372
61005SB
IT08568
IT08569
SBS811
82543
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VEC2813
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2813 注文コード No. N A 0 3 8 4 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0384A をさしかえてください。 VEC2813 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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VEC2813
NA0384A
900mm2
N0106
TC-00000299
52506PE
TB-000002333
A0384-1/6
N1407
VEC2813
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : EN8254A SBS811 Schottky Barrier Diode http://onsemi.com 30V, 2A, Low VF, Non-Monolithic Dual VEC8 Common Cathode Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise
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Original
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PDF
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EN8254A
SBS811
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SBS811
Abstract: No abstract text available
Text: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).
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Original
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PDF
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SBS811
ENN8254
SBS811
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VEC2811
Abstract: 82871
Text: VEC2811 注文コード No. N 8 2 8 7 三洋半導体データシート N VEC2811 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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VEC2811
900mm2
70505PE
TB-00001099
IT08571
IT08572
IT03090
VEC2811
82871
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).
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Original
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PDF
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SBS811
ENN8254
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SBS811 Ordering number : EN8254A SANYO Semiconductors DATA SHEET SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V)
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Original
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PDF
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SBS811
EN8254A
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