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    1164B

    Abstract: DWC010
    Text: DWC010 Ordering number : ENN2832D DWC010 Silicon Epitaxial Planar Type Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • Ideally suited for use in hybrid ICs because of ultrasmall package. High breakdown voltage : VR=200V. Small interterminal capacitance.


    Original     		PDF DWC010 ENN2832D 1164B DWC010

    1164B

    Abstract: DWC010
    Text: DWC010 注文コード No. N 2 8 3 2 D 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N2832C とさしかえてください。 DWC010 シリコンエピタキシァルプレーナ形 超高速スイッチングダイオード 特長 ・超小型外形でありハイブリッド IC 用として最適である。


    Original     		PDF DWC010 N2832C 100mA 62797GI BX-0698 TB-00000129 IT07506 IT07507 IT07508 1164B DWC010

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    Text: DWC010 Ordering number : ENN2832C DWC010 Silicon Epitaxial Planar Type Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • Ideally suited for use in hybrid ICs because of ultrasmall package. High breakdown voltage : VR=200V. Small interterminal capacitance.


    Original     		PDF ENN2832C DWC010