81073
Abstract: V 2238 CPH6616
Text: CPH6616 注文コード No. N 8 1 0 7 三洋半導体データシート N CPH6616 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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PDF
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CPH6616
900mm2
IT07314
900mm2
IT07316
IT07318
81073
V 2238
CPH6616
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CPH6615
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6615 注文コード No. N 8 0 6 9 三洋半導体データシート N CPH6615 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH6615
900mm2
--15V
--10V
IT07310
900mm2
IT07317
IT07318
CPH6615
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CPH6615
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6615 注文コード No. N 8 0 6 9 CPH6615 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH6615
900mm2
--15V
--10V
IT07310
900mm2
IT07317
IT07318
CPH6615
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CPH6616
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6616 Ordering number : ENN8107 N-Channel Silicon MOSFET CPH6616 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting. Excellent ON-resistance characteristic.
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Original
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CPH6616
ENN8107
900mm2
CPH6616
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DIODE 8069
Abstract: CPH6615
Text: CPH6615 Ordering number : ENN8069 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs CPH6615 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The CPH6615 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance, Ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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CPH6615
ENN8069
CPH6615
DIODE 8069
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